本申请的一些实施例提供了一种硅片缺损检测的方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合；基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片；对所述多个硅片边缘切片进行检测，得到硅片缺损检测结果，其中，所述硅片缺损检测结果中包括存在缺损位置的硅片边缘点坐标。本申请的一些实施例可以实现对硅片缺损的位置检测，计算量较小，效率较高。效率较高。效率较高。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片缺损检测的方法、装置、存储介质及电子设备
[0001]本申请涉及芯片制造
，具体而言，涉及一种硅片缺损检测的方法、装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
[0002]芯片制造过程如同盖房子，硅片是“地基”，每一层都要确保够平整，才能再盖另一层。硅片是半导体产业链的起点，也是产业最上游，其产能和质量直接制约整个半导体产业的发展。
[0003]目前，在芯片制造的过程中，需要对硅片进行检测，以确保硅片的生产质量。传统的检测方式是通过物理指标检测方式获取硅片的表面的数据，进而通过观测确定硅片是否存在缺损。但是该检测方式在获取硅片的表面数据时需要的计算量较大，且检测结果的精准度较低。
[0004]因此，如何提供一种高效精准的硅片缺损检测的方法的技术方案成为亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请的一些实施例的目的在于提供一种硅片缺损检测的方法、装置、存储介质及电子设备，通过本申请的实施例的技术方案可以实现对硅片缺损的检测，计算量较小，效率较高且提升了检测的精准度。
[0006]第一方面，本申请的一些实施例提供了一种硅片缺损检测的方法，包括：确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合；基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片；对所述多个硅片边缘切片进行检测，得到硅片缺损检测结果，其中，所述硅片缺损检测结果中包括存在缺损位置的硅片边缘点坐标。
[0007]本申请的一些实施例通过获取待检测硅片的图片上的硅片边缘点集合，然后对硅片边缘进行切片处理后再进行检测，得到缺损位置的硅片边缘点坐标，可以在降低计算量的同时实现对硅片的精准检测，效率较高。
[0008]在一些实施例，所述确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合，包括：确定所述硅片边缘图片中硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点；对所述左顶点、所述右顶点和所述上顶点的关联关系进行计算，确定硅片圆弧函数；基于所述硅片圆弧函数，确定与所述硅片边缘圆弧匹配的所述硅片边缘点坐标集合。
[0009]本申请的一些实施例通过对硅片边缘圆弧进行分析，得到硅片圆弧函数，进而得到图片中硅片边缘点坐标集合，计算量较小，效率较高。
[0010]在一些实施例，所述硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点是由所述硅片边缘图片上的像素点大小和像素点标准值确定的。
[0011]本申请的一些实施例通过像素点大小和像素点标准值驱动硅片边缘圆弧的顶点，方式简便效率高。
[0012]在一些实施例，在所述确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合之前，所述方法还包括：获取所述待检测硅片的原始硅片边缘图片；对所述原始硅片边缘图片进行二值化处理，得到所述硅片边缘图片。
[0013]本申请的一些实施例通过对原始硅片边缘图片进行二值化处理得到硅片边缘图片，可以有效去除噪声干扰，提升检测结果的准确度。
[0014]在一些实施例，所述基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片，包括：获取预设切片尺寸和所述设定步长；将所述硅片边缘图片中的硅片边缘圆弧按照所述预设切片尺寸和所述设定步长进行切分，得到所述多个硅片边缘切片。
[0015]本申请的一些实施例通过预设切片尺寸和设定步长对硅片边缘圆弧进行切片，得到多个硅片边缘切片，为后续检测硅片缺损提供检测基础数据，同时通过切片处理的方式进行检测可以降低计算量。
[0016]在一些实施例，所述对所述多个硅片边缘切片进行检测，得到硅片缺损检测结果，包括：将所述多个硅片边缘切片中各个硅片边缘切片依次经过分类卷积神经网络模型和目标检测模型，得到所述硅片缺损检测结果，其中，所述分类卷积神经网络模型中添加有NAM注意力机制，所述目标检测模型为轻量级卷积网络模型。
[0017]本申请的一些实施例通过分类卷积神经网络模型和目标检测模型对硅片边缘切片进行检测，效率高且精准度较高。
[0018]第二方面，本申请的一些实施例提供了一种硅片缺损检测的装置，包括：确定模块，被配置为确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合；切片模块，被配置为基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片；检测模块，被配置为对所述多个硅片边缘切片进行检测，得到硅片缺损检测结果，其中，所述硅片缺损检测结果中包括存在缺损位置的硅片边缘点坐标。
[0019]在一些实施例中，确定模块，被配置为确定所述硅片边缘图片中硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点；对所述左顶点、所述右顶点和所述上顶点的关联关系进行计算，确定硅片圆弧函数；基于所述硅片圆弧函数，确定与所述硅片边缘圆弧匹配的所述硅片边缘点坐标集合。
[0020]在本申请的一些实施例中，所述硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点是由所述硅片边缘图片上的像素点大小和像素点标准值确定的。
[0021]在一些实施例中，确定模块，被配置为获取所述待检测硅片的原始硅片边缘图片；对所述原始硅片边缘图片进行二值化处理，得到所述硅片边缘图片。
[0022]在一些实施例中，切片模块，被配置为获取预设切片尺寸和所述设定步长；将所述硅片边缘图片中的硅片边缘圆弧按照所述预设切片尺寸和所述设定步长进行切分，得到所述多个硅片边缘切片。
[0023]在一些实施例中，检测模块，被配置为将所述多个硅片边缘切片中各个硅片边缘切片依次经过分类卷积神经网络模型和目标检测模型，得到所述硅片缺损检测结果，其中，所述分类卷积神经网络模型中添加有NAM注意力机制，所述目标检测模型为轻量级卷积网络模型。
[0024]第三方面，本申请的一些实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时可实现如第一方面任一实施例所述的方法。
[0025]第四方面，本申请的一些实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其中，所述处理器执行所述程序时可实现如第一方面任一实施例所述的方法。
[0026]第五方面，本申请的一些实施例提供一种计算机程序产品，所述的计算机程序产品包括计算机程序，其中，所述的计算机程序被处理器执行时可实现如第一方面任一实施例所述的方法。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请的一些实施例的技术方案，下面将对本申请的一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0028]图1为本申请的一些实施例提供的一种硅片缺损检测的系统图；
[0029]图2为本申请的一些实施例提供的硅片缺损检测的方法流程图之一；
[0030]图3为本申请的一些实施例提供的原始硅片边缘图片示意图；
[0031]图4为本申请的一些实施例提供的硅片边缘图片示意图；
[0032]图5为本申请的一些实施例提供的硅片边本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片缺损检测的方法，其特征在于，包括：确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合；基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片；对所述多个硅片边缘切片进行检测，得到硅片缺损检测结果，其中，所述硅片缺损检测结果中包括存在缺损位置的硅片边缘点坐标。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合，包括：确定所述硅片边缘图片中硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点；对所述左顶点、所述右顶点和所述上顶点的关联关系进行计算，确定硅片圆弧函数；基于所述硅片圆弧函数，确定与所述硅片边缘圆弧匹配的所述硅片边缘点坐标集合。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅片边缘圆弧的左顶点、右顶点和上顶点是由所述硅片边缘图片上的像素点大小和像素点标准值确定的。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述确定待检测硅片的硅片边缘图片中硅片边缘点坐标集合之前，所述方法还包括：获取所述待检测硅片的原始硅片边缘图片；对所述原始硅片边缘图片进行二值化处理，得到所述硅片边缘图片。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基于设定步长对所述硅片边缘图片进行切片，获取多个硅片边缘切片，包括：获取预设切片尺寸和所述设定步长；将所述硅片边缘图片中的硅片边缘圆弧按照所述预设切片尺寸和所述设定步长进行切分，得到所述多个硅片边缘切片。6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海莹，何必仕，
申请(专利权)人：慧眼奇智广州精密技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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