显示面板制造技术

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板。显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板中具有黑矩阵层，黑矩阵层包括交叉排布的若干挡光条；阵列基板包括：衬底、位于衬底朝向彩膜基板的一侧表面的若干TFT开关件、位于TFT开关件背离衬底的一侧的遮光层，遮光层包括若干遮光部，遮光部在衬底上的正投影位于挡光条在衬底上的正投影内，遮光部和黑矩阵层能够共同阻挡外界光线照射至TFT开关件的沟道区，以避免外界光线照射到TFT开关件的沟道区导致TFT开关件产生光致漏电流。遮光层的设置还能够缩小黑矩阵层中挡光条的宽度，从而提高了显示面板的像素开口率，提高了显示面板的显示效果。了显示面板的显示效果。了显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本专利技术涉及显示面板
，具体涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]TFT液晶显示器(TFT
‑
Liquid Crystal Display，TFT
‑
LCD)是利用施加在液晶层上的电场强度的变化，改变液晶分子的旋转程度，从而控制液晶层的透过能力以实现图像显示的。通常液晶显示面板包括包括相对设置的阵列基板和彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，阵列基板上包括若干TFT开关件，所述彩膜基板中具有网格状的黑矩阵层，所述黑矩阵层包括垂直交叉排布的若干挡光条。黑矩阵层不仅能够防止不同颜色的光发生串扰，还能够用于阻挡外界光线，以避免透过彩膜基板照射到TFT开关件的沟道区导致TFT开关件中产生光致漏电流，从而降低光致漏电流对TFT开关特性的影响。而当外界光线的亮度过高时，光线会由挡光条的边缘通过衍射照射至TFT开关件的沟道区，为了阻挡外界光线，通常增大挡光条的宽度，但是这同时降低了像素开口率，影响了显示面板的显示效果，尤其对具有较高分辨率要求的显示面板影响较大。
[0003]因此，目前的显示面板仍有待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述彩膜基板中具有黑矩阵层，所述黑矩阵层包括交叉排布的若干挡光条；所述阵列基板包括：衬底、位于所述衬底朝向所述彩膜基板的一侧表面的若干TFT开关件、位于所述TFT开关件背离所述衬底的一侧的遮光层，所述遮光层包括若干遮光部，所述遮光部在所述衬底上的正投影位于所述挡光条在所述衬底上的正投影内。
[0006]在一些实施例中，所述显示面板包括至少一个像素开口区，所述TFT开关件位于所述像素开口区的外侧；所述阵列基板还包括：位于所述遮光层与所述TFT开关件之间的树脂层，所述树脂层在所述衬底上的正投影覆盖所述TFT开关件在所述衬底上的正投影，且与所述像素开口区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述树脂层具有通孔，所述通孔在所述衬底上的正投影位于所述TFT开关件的漏极在所述衬底上的正投影内；位于所述树脂层背离所述衬底的一侧表面的至少一个像素电极层，所述像素电极层位于所述像素开口区；位于所述通孔内的导电件，所述像素电极层通过所述导电件与所述TFT开关件的漏极电连接。
[0007]在一些实施例中，所述遮光部具有镂空区以及环绕所述镂空区的遮光边框，所述TFT开关件的沟道区在所述衬底上的正投影位于所述镂空区在所述衬底上的正投影内。
[0008]在一些实施例中，所述镂空区的宽度d为l≤d<l+2D3×
tanθ；式中，l为所述TFT开关件的沟道区的宽度，θ为外界光线照射在显示面板表面的最大入射角，D3为所述遮光层背
离所述衬底的一侧表面与所述TFT开关件的漏极背离所述衬底的一侧表面之间的距离；
[0009]所述挡光条的宽度J
n
为l+2D
n
×
tanθ≤J
n
<l+2D2×
tanθ；式中，J
n
为当所述镂空区的宽度为d
n
时所述挡光条的宽度，D
n
为一交点位置至所述黑矩阵层之间的距离，所述交点为经过所述沟道区的侧边缘的纵向竖直线与经过所述镂空区的边缘的入射角θ的外界光线的交点；D2为所述黑矩阵层与所述TFT开关件的漏极之间的距离，所述纵向为垂直于所述衬底的方向；
[0010]所述遮光部的宽度满足d
n
+2a≤L
n
≤J
n
；式中，L
n
为当所述镂空区的宽度为d
n
时所述遮光部的宽度，a为所述遮光边框的横向宽度，所述横向为平行于所述衬底的方向。
[0011]在一些实施例中，所述遮光部具有连续结构，在所述挡光条的宽度方向，所述挡光条的边缘与所述遮光部的边缘平齐；所述遮光部的宽度满足l+2D1×
tanθ≤L<l+2D2×
tanθ；式中，L为所述遮光部的宽度，l为所述TFT开关件的沟道区的宽度，θ为外界光线照射在所述显示面板表面的最大入射角，D1为所述遮光层与所述TFT开关件的漏极之间的距离，D2为所述黑矩阵层与所述TFT开关件的漏极之间的距离。
[0012]在一些实施例中，所述遮光层的材料为金属，所述遮光层的厚度为
[0013]在一些实施例中，所述遮光层还包括若干遮光条，一个所述遮光条与至少一个所述遮光部连接，所述遮光条的延伸方向平行于所述阵列基板的栅线。
[0014]在一些实施例中，所述显示面板包括若干像素开口区，所述TFT开关件位于所述像素开口区的外侧；所述遮光条与所述栅线对应设置；所述遮光条的宽度小于等于所述栅线的宽度，所述遮光条在所述衬底上的正投影与所述栅线在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
[0015]在一些实施例中，所述显示面板包括若干像素开口区，所述TFT开关件位于所述像素开口区的外侧；所述阵列基板包括靠近所述阵列基板边缘的两个边缘遮光条、两个边缘栅线、位于两个边缘遮光条之间的中间遮光条、以及位于两个边缘栅线之间的中间栅线；所述中间遮光条在所述衬底上的正投影位于相邻两个所述中间栅线在所述衬底上的正投影之间；所述边缘遮光条的宽度小于等于所述边缘栅线的宽度，所述边缘遮光条在所述衬底上的正投影与所述边缘栅线在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
[0016]在一些实施例中，所述遮光层的材料为黑色绝缘材料。
[0017]本专利技术技术方案，具有如下优点：
[0018]1、本专利技术提供的显示面板中，位于阵列基板中的遮光层与彩膜基板中的黑矩阵层共同承担了阻挡外界光线的作用，从而避免了外界光线照射到TFT开关件的沟道区导致TFT开关件中产生光致漏电流，进而降低了光致漏电流对TFT开关特性的影响。同时，遮光层的设置还能够缩小黑矩阵层中挡光条的宽度，从而提高了显示面板的像素开口率，提高了显示面板的显示效果。
[0019]2、本专利技术提供的显示面板中，阵列基板还包括位于遮光层与TFT开关件之间的树脂层，树脂层的设置增大了遮光层与TFT开关件的沟道区之间的距离，遮光层的材料为金属且遮光部具有连续结构时，能够避免TFT开关件的沟道区与位于沟道区上方的遮光部发生耦合。
[0020]3、本专利技术提供的显示面板中，遮光部具有镂空区以及环绕镂空区的遮光边框，所述TFT开关件的沟道区在所述衬底上的正投影位于所述镂空区在所述衬底上的正投影内，
使TFT开关件的沟道区暴露在所述镂空区，能够避免TFT开关件的沟道区与位于沟道区上方的金属遮光部发生耦合，因此遮光层与TFT开关件之间无需额外设置树脂层，不仅简化了工艺，还避免了树脂层对阵列基板的透过率的影响，提高了阵列基板的透过率。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述彩膜基板中具有黑矩阵层，所述黑矩阵层包括交叉排布的若干挡光条；其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；位于所述衬底朝向所述彩膜基板的一侧表面的若干TFT开关件；位于所述TFT开关件背离所述衬底的一侧的遮光层，所述遮光层包括若干遮光部，所述遮光部在所述衬底上的正投影位于所述挡光条在所述衬底上的正投影内。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括至少一个像素开口区，所述TFT开关件位于所述像素开口区的外侧；所述阵列基板还包括：位于所述遮光层与所述TFT开关件之间的树脂层，所述树脂层在所述衬底上的正投影覆盖所述TFT开关件在所述衬底上的正投影，且与所述像素开口区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述树脂层具有通孔，所述通孔在所述衬底上的正投影位于所述TFT开关件的漏极在所述衬底上的正投影内；位于所述树脂层背离所述衬底的一侧表面的至少一个像素电极层，所述像素电极层位于所述像素开口区；位于所述通孔内的导电件，所述像素电极层通过所述导电件与所述TFT开关件的漏极电连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光部具有镂空区以及环绕所述镂空区的遮光边框，所述TFT开关件的沟道区在所述衬底上的正投影位于所述镂空区在所述衬底上的正投影内。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述镂空区的宽度d为l≤d<l+2D3×
tanθ；式中，l为所述TFT开关件的沟道区的宽度，θ为外界光线照射在显示面板表面的最大入射角，D3为所述遮光层背离所述衬底的一侧表面与所述TFT开关件的漏极背离所述衬底的一侧表面之间的距离；所述挡光条的宽度J
n
为l+2D
n
×
tanθ≤J
n
<l+2D2×
tanθ；式中，J
n
为当所述镂空区的宽度为d
n
时所述挡光条的宽度，D
n
为一交点位置至所述黑矩阵层之间的距离，所述交点为经过所述沟道区的侧边缘的纵向竖直线与经过所述镂空区的边缘的入射角θ的外界光线的交点；D2为所述黑矩阵层与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳峰，武晓娟，冯大伟，段金帅，王家星，于志强，陈翠玉，王宁，侯丹星，刘明晶，丁丁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：