一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术提供了一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，通过在相邻两组多量子阱层之间的氧化层和隧穿结；其中，至少一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以同时限制光场和电场。其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，以限制电流；进一步地，氧化层顶层设置于所述驻波的波腹位置。从而，通过将一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以增加此氧化层内部的光场强度，使得VCSEL发光孔内外的有效折射率差异降低，进而抑制高阶模式的产生，降低了发散角。此外，通过将其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，在保证对发光区限定效果的同时，还可以保证其余氧化层所在位置的光场强度较小，可以进一步的减小氧化层的光限制因子，从而实现电流限制的效果。限制的效果。限制的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器是一种半导体微腔激光器，相较于传统的边发射激光器，垂直腔面发射激光器由于具有低阈值电流、体积小、圆对称光斑易于光纤耦合、高光束质量、单纵模、面发射易于集成等优势，使其在近年来得到了迅猛的发展，广泛应用于人脸识别等三维传感、光通信、激光雷达、无人驾驶等领域中。
[0003]目前采用的垂直腔面发射激光器芯片主要为单结垂直腔面发射激光器，单结垂直腔面发射激光器的单孔出光功率一般是5mW
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10mW；对于大型三维传感应用场景而言，例如基于激光雷达的无人驾驶领域，单结垂直腔面发射激光器已经无法满足其需求，需要更大功率和高效率的激光器；为了达到更大出光功率，通常考虑增大芯片发光面积，但是这种做法增加了发光面尺寸以及物料成本，不仅增加了光学设计难度，而且也让终端产品尺寸难以小型化。
[0004]利用隧道结技术在材料外延过程中直接将多个半导体激光器外延层串联，如此可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底以及沿所述衬底表面依次堆叠的N型DBR反射层、谐振腔层以及P型DBR反射层；所述谐振腔层通过谐振形成驻波，其包括若干组多量子阱层以及设置于相邻两组多量子阱层之间的氧化层和隧穿结；其中，至少一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以限制光场和电场。2.根据权利要求1所述的砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，以限制电流。3.根据权利要求1或2所述的砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，沿第一方向上的氧化层顶层设置于所述驻波的波腹位置；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型DBR反射层。4.根据权利要求3所述的砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述氧化层设置于所述多量子阱层与所述隧穿结之间。5.根据权利要求1所述的砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述隧穿结包括沿所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴真龙，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：