咔唑衍生物，以及使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件制造技术

为提供具有高发光效率的发光元件和提供功耗低且在低电压下驱动的发光器件和电子器件，提供由通式(1)代表的咔唑衍生物。在该式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13个碳原子的亚芳基；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13个碳原子的芳基；R1代表氢原子、具有1

【技术实现步骤摘要】
咔唑衍生物，以及使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件
[0001]本申请是以下申请的分案申请：申请日：2008年11月28日；申请号：200880126449.5(PCT/JP2008/072104，201710477630.1，202010084186.9)；专利技术名称：“咔唑衍生物，以及使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件”的分案申请。


[0002]本专利技术涉及咔唑衍生物、使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件。

技术介绍

[0003]近年来，对于用电致发光的发光元件的研究和开发非常活跃。作为这些发光元件的基本结构，将含发光物质的层插入电极对之间。通过向该元件施加电压，可由发光物质得到光发射。
[0004]因为这种发光元件是自发光类型，它具有比液晶显示元件更优的优点，例如高可见度的像素且不需要背光源(backlight)，因此认为适用于平板显示元件。另外，可将这种发光元件制成薄和重量轻的元件，这也是重要优点。另外，极高反应速度也为其特征。
[0005]另外，因为可将这种发光元件形成膜形式，可通过形成大面积元件，容易的得到平面光发射。难以通过使用由白炽灯或LED代表的点光源或通过使用由荧光灯代表的线光源得到该特性。因此，上述发光元件还具有作为适用于照明等的平面光源的高实用性价值。
[0006]根据发光物质是有机化合物还是无机化合物，将此类用电致发光的发光元件粗略分类。当有机化合物用于发光物质时，通过向发光元件施加电压，然后电流通过其中，将电极对中的电子和空穴注入含发光有机化合物的层。然后通过将这些载体(电子和空穴)重组，发光有机化合物形成激发态，当激发态返回基态时则发射光。
[0007]因为这种机理，这种发光元件称为电流激励发光元件。注意，有机化合物的激发态可为单重激发态或三重激发态。由单重激发态发射的光称为荧光，由三重激发态发射的光称为磷光。
[0008]在改善这种发光元件的元件特性中，存在取决于物质的很多问题，为解决这些问题，已进行了元件结构改善、物质开发等方面的工作(例如非专利文件1:Meng
‑
Huan Ho,Yao
‑
Shan Wu and Chin H.Chen,2005SID International Symposium Digest of Technical Papers,第XXXVI卷.第802
‑
805页)。
[0009]在非专利文件1中所述发光元件中，4,4'
‑
二[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基氨基]联苯(缩写:NPB)用作与发光层接触的层。但是，NPB具有低的单态激发能，且存在能量可从处于激发态的发光材料转移的可能性。因为在发射具有短波长的蓝光的发光材料的情况中，激发态的能量水平特别高，能量转移到NPB的可能性更高。因为能量转移到NPB，存在发光元件的发光效率降低的问题。

技术实现思路

[0010]因此。本专利技术的目的是通过提供新的咔唑衍生物提供具有高发光效率的发光元件。另外，本专利技术的另一个目的是提供能耗低并在低电压下驱动的发光器件和电子器件。
[0011]本专利技术的一个特征是由以下通式(1)代表的咔唑衍生物
[0012][0013]在该式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13个碳原子的亚芳基，这些碳原子形成环；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13个碳原子的芳基，这些碳原子形成环；R1代表氢原子、具有1
ꢀ‑
6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团；R2代表具有1
‑
6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团。另外，l、m和n各自独立为0或1。
[0014]另外，在以上结构中，通式(1)中α1‑
α4由以下通式(2
‑
1)
‑
(2
‑
12)中任一个式代表。
[0015][0016]在式中，R
11
–
R
16
、R
21
‑
R
30
、R
31
‑
R
38
和R
41
‑
R
45
各自代表氢原子、具有1
–
6个碳原子的烷基、苯基和联苯基中的任何基团。R
46
和R
47
各自代表具有1
–
6个碳原子的烷基和苯基中的任何基团。另外，R
46
和R
47
可相互连接形成环。R
48
代表氢原子、具有1
–
6个碳原子的烷基、苯基和联苯基中的任何基团。
[0017]另外，在以上结构中，通式(1)中Ar1和Ar2由以下通式(3
‑
1)
‑
(3
‑
6)中任一个式代表。
[0018][0019]在式中，R
51
‑
R
56
、R
61
‑
R
70
、R
71
‑
R
78
和R
81
‑
R
85
各自代表氢原子、具有1
–
6个碳原子的烷基、苯基和联苯基中的任何基团。R
86
和R
87
各自代表具有1
–
6个碳原子的烷基和苯基中的任何基团。另外，R
86
和R
87
可相互连接形成环。R
88
和R
89
各自代表氢原子、具有1
‑
6个碳原子的烷基、苯基和联苯基中的任何基团。
[0020]另外，在以上结构中，通式(1)中R1由以下通式(4
‑
1)
‑
(4
‑
9)任一个式代表，通式(1)中R2由以下通式(4
‑
2)
‑
(4
‑
9)任一个式代表。
[0021][0022]在式中，R
51
‑
R
70
各自代表氢原子、具有1
‑
6个碳原子的烷基、苯基和联苯基中的任何基团。
[0023]另外，本专利技术的一个特征由以下结构式(5)
‑
(8)中任一个式代表。
[0024][0025][0026]另外，作为本专利技术的另一个特征，发光元件包括电极对之间的EL层，EL层至少包括发光层和空穴
‑
传输层，发光层和空穴
‑
传输层中至少一个含上述任何咔唑衍生物。
[0027]另外，作为本专利技术的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由通式(9)表示的化合物：其中，a1、a2、a3和a4各自表示具有小于或等于13个碳原子的亚芳基，Ar1和Ar2各自表示具有小于或等于13个碳原子的芳基，X3表示卤基，和l、m和n各自独立为0或1。2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述通式(9)中的Ar1由通式(3
‑
4)或(3
‑
5)表示：3.一种由通式(11)表示的化合物：其中，a 1
、a3和a 4
各自表示具有小于或等于13个碳原子的亚芳基，Ar1表示具有小于或等于13个碳原子的芳基，R1表示氢原子、具有1
‑
6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基和取代或未取代的联苯基中的任何基团，R2表示具有1
‑
6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基和取代或未取代的联苯基中的任何基团，和l和n各自独立为0或1。4.一种发光元件，包括：阳极，所述阳极上的EL层，所述EL层包括接触于所述阳极的空穴注入层、所述空穴注入层上的空穴传输层和所述空穴传输层上的发光层，和
所述EL层上的阴极，其中：所述空穴传输层包含由式(1)表示的化合物：Ar1和Ar2由式(3
‑
6)表示：α1‑
α4各自由式(2
‑
1)表示：R1、R
11
、R
12
、R
14
、R
15
、R
81
‑
R
85
、R
88
和R
89
各自表示氢和具有1
‑
6个碳原子的烷基中的任何基团，R2为苯基，R
86
和R
87
各自为具有1
‑
6个碳原子的烷基，和l、m和n为0。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述空穴注入层包含具有空穴传输性质的物质和具有受体性质的物质。6.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述化合物由式(193)表示：
7.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述阳极包含铝、银和含铝的合金中的任一种。8.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述发光层包含发光物质和多种物质。9.一种发光元件，包括：阳极，所述阳极上的EL层，所述EL层包括接触于所述阳极的空穴注入层、所述空穴注入层上的空穴传输层和所述空穴传输层上的发光层，和所述EL层上的阴极，其中：所述空穴注入层和所述空穴传输层均包含由式(1)表示的化合物：Ar1和Ar2由式(3
‑
6)表示：α1‑
α4各自由式(2
‑
1)表示：
R1、R
11
、R
12
、R
14
、R
15
、R
81
‑
R
85
、R
88
和R
89
各自表示氢和具有1
‑
6个碳原子的烷基中的任何基团，R2为苯基，R
86
和R
87
各自为具有1
‑
6个碳原子的烷基，和l、m和n为0。10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述空穴注入层包含所述化合物和具有受体性质的物质。11.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述化合物由式(193)表示：12.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述阳极包含铝、银和含铝的合金中的任一种。13.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述发光层包含发光物质和多种物质。14.一种发光元件，包括：阳极，所述阳极上的第一层，所述第一层上的发光层，所述发光层上的第二层，和所述发光层上的阴极，其中：所述第一层包含由式(1)表示的化合物：
Ar1和Ar2由式(3
‑
6)表示：α1‑
α4各自由式(2
‑
1)表示：R1、R
11
、R
12
、R
14
、R
15
、R
81
‑
R
85
、R
88
和R
89
各自表示氢和具有1
‑
6个碳原子的烷基中的任何基团，R2为苯基，R
86
...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村洸子，尾坂晴惠，牛洼孝洋，川上祥子，濑尾哲史，下垣智子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：