一种自适应补偿电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种自适应补偿电路，该电路包括：共源极放大器设置于误差放大器与负载电路之间；电容的一端与误差放大器的输出端连接，另一端与第二固定电阻的一端连接；第二固定电阻与第一固定电阻的公共端与可调电阻电路的一控制端相连，第一固定电阻的另一端与可调电阻电路的另一控制端相连，可调电阻电路的检测端与负载电路连接，可调电阻电路的输出端与共源极放大器和负载电路相连；当可调电阻电路检测到负载电路的负载发生变化时，调整固定电阻接入电路的比例，从而得到随阻值和负载变化的补偿零点，达到在保证LDO稳定性的同时提高LDO负载瞬态响应能力的目的。高LDO负载瞬态响应能力的目的。高LDO负载瞬态响应能力的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应补偿电路


[0001]本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种自适应补偿电路。

技术介绍

[0002]低压差线稳压器(low dropout regulator，LDO)一般用于较宽的负载范围，且该LDO需要在较宽的负载范围内保持稳定。但是，很多应用场合对LDO的负载瞬态响应也有一定的要求，希望LDO能够具有较好的负载瞬态响应性能，这时，LDO就需要较大的带宽才能实现上述要求。而较大的带宽，又会影响LDO在较宽的负载范围内的稳定性。
[0003]因而，现有技术则面临如何确保LDO在较宽的负载范围内保持稳定性的同时，具有良好的负载瞬态响应能力的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供一种自适应补偿电路，以实现在确保LDO既能够保持稳定性的同时，又能够具有良好的负载瞬态响应能力的目的。
[0005]为实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
[0006]本技术实施例提供了一种自适应补偿电路，所述自适应补偿电路包括：误差放大器、共源极放大器、负载电路和自适应零点补偿网络；
[0007]所述共源极放大器设置于所述误差放大器与所述负载电路之间；
[0008]所述自适应零点补偿网络包括第一固定电阻Rzs、第二固定电阻Rzx、电容Cc和可调电阻电路；
[0009]所述电容Cc的一端与所述误差放大器的输出端连接，另一端与所述第二固定电阻Rzx的一端连接；
[0010]所述第二固定电阻Rzx与所述第一固定电阻Rzs的公共端与所述可调电阻电路的一控制端相连，所述第一固定电阻Rzs的另一端与所述可调电阻电路的另一控制端相连，所述可调电阻电路的检测端与所述负载电路连接，所述可调电阻电路的输出端与所述共源极放大器和所述负载电路相连；
[0011]当所述可调电阻电路检测到所述负载电路的负载变化时，调整第一固定电阻Rzs和第二固定电阻Rzx得到频率随阻值和负载变化的补偿零点。
[0012]可选的，所述可调电阻电路包括：第一功率管M1、第二功率管M2和控制电路；
[0013]所述第二功率管M2的源级与所述第二固定电阻Rzx和所述第一固定电阻Rzs的公共端相连，所述第二功率管M2的栅极与控制电路的第二控制端相连；
[0014]所述第二功率管M2的漏极与所述第一功率管M1的源级相连的一端与所述第一固定电阻Rzs的另一端连接；
[0015]所述第一功率管M1的栅极与所述控制电路的第一控制端相连，所述第一功率管M1的漏极与所述共源极放大器和所述负载电路相连；
[0016]所述控制电路的采样端与所述负载电路相连，用于采集所述负载电路产生的负
载，若负载变小，所述控制电路控制所述第一功率管M1与所述第一固定电阻Rzs和第二固定电阻Rzx构成第一调零电阻，得到低频的补偿零点；若负载变大，所述控制电路控制所述第一功率管M1、第二功率管M2与所述第二固定电阻Rzx构成第二调零电阻，得到高频的补偿零点。
[0017]可选的，所述第一功率管M1和所述第二功率管M2为N型MOS管。
[0018]可选的，所述控制电路包括：第三功率管M3、第四功率管M4、第五功率管M5、第六功率管M6、采样管MS和滤波器；
[0019]所述采样管MS的栅极与所述负载电路相连，源级与所述第六功率管M6的漏极相连，所述采样管M7用于采样负载的大小；
[0020]所述第六功率管M6与所述第五功率管M5共栅极构成镜像电路，所述第五功率管M5和第六功率管M6箝位使得所述采样管MS的漏级电压等于所述负载电路的输出电压VOUT；
[0021]所述第五功率管M5的栅极和源级短接，并连接所述第三功率管M3的漏极；
[0022]所述第三功率管M3和第四功率管M4共栅极构成镜像电路，所述第四功率管M4的栅极和漏极短接，并连接所述第六功率管M6的源级，所述第四功率管M4的漏极作为所述控制电路的第一控制端；
[0023]所述共端连接所述滤波器，所述滤波器的输出端作为所述控制电路的第二控制端。
[0024]可选的，所述滤波器包括：电阻R1和电容C1；
[0025]所述电阻R1与所述电容C1相连的公共端作为所述控制电路的第二控制端；
[0026]所述电阻R1的另一端与所述共端连接，所述电容C1的另一段接地。
[0027]可选的，所述第三功率管M3和所述第四功率管M4为N型MOS管；
[0028]所述第五功率管M5和第六功率管M6为P型MOS管；
[0029]所述采样管MS为P型MOS管。
[0030]可选的，所述共源极放大器包括：第七功率管M7和偏置电流源IB1；
[0031]所述第七功率管M7的栅极与所述误差放大器的输出端相连，漏极连接电源，栅极连接所述偏置电流源IB1的正极，所述偏置电流源IB1的负极接地。
[0032]可选的，其中，所述第七功率M7为P型MOS管。
[0033]可选的，所述负载电路包括：第八功率管M8、第一分压电阻RFB1、第二分压电阻RFB2、负载电容Cout和负载电阻Rout；
[0034]所述第一分压电阻RFB1和所述第二分压电阻RFB2串联的公共端与所述误差放大器的负向输入端连接；
[0035]所述第一分压电阻RFB1与负载电容Cout、负载电阻Rout的公共端与所述第八功率管M8的源级相连；
[0036]所述第二分压电阻RFB2、负载电容Cout和负载电阻Rout的另一端接地；
[0037]所述第八功率管M8的栅极与所述共源极放大器的输出端、所述可调电阻电路的采样端相连，漏极与电源相连；
[0038]可选的，所述第八功率管M8为P型MOS管。
[0039]基于上述本技术实施例提供的一种自适应补偿电路，该自适应补偿电路包括：误差放大器、共源极放大器、负载电路和自适应零点补偿网络；所述共源极放大器设置
于所述误差放大器与所述负载电路之间；所述自适应零点补偿网络包括第一固定电阻Rzs、第二固定电阻Rzx、电容Cc和可调电阻电路；所述电容Cc的一端与所述误差放大器的输出端连接，另一端与所述第二固定电阻Rzx的一端连接；所述第二固定电阻Rzx与所述第一固定电阻Rzs的公共端与所述可调电阻电路的一控制端相连，所述第一固定电阻Rzs的另一端与所述可调电阻电路的另一控制端相连，所述可调电阻电路的检测端与所述负载电路连接，所述可调电阻电路的输出端与所述共源极放大器和所述负载电路相连；当所述可调电阻电路检测到所述负载电路的负载变化时，调整第一固定电阻Rzs和第二固定电阻Rzx得到随所述负载变化的补偿零点。在本方案中，通过可调电阻电路检测负载电路中负载的变化，随着负载由轻载向重载跳变的过程中，或者随着负载由重载向轻载跳变的过程中，调整固定电阻接入电路的比例，从而得到随负载变化的补偿零点，达到在保证LDO稳定性的同时提高LDO负载瞬态响应能力的目的。
附图说明...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应补偿电路，其特征在于，所述自适应补偿电路包括：误差放大器、共源极放大器、负载电路和自适应零点补偿网络；所述共源极放大器设置于所述误差放大器与所述负载电路之间；所述自适应零点补偿网络包括第一固定电阻Rzs、第二固定电阻Rzx、电容Cc和可调电阻电路；所述电容Cc的一端与所述误差放大器的输出端连接，另一端与所述第二固定电阻Rzx的一端连接；所述第二固定电阻Rzx与所述第一固定电阻Rzs的公共端与所述可调电阻电路的一控制端相连，所述第一固定电阻Rzs的另一端与所述可调电阻电路的另一控制端相连，所述可调电阻电路的检测端与所述负载电路连接，所述可调电阻电路的输出端与所述共源极放大器和所述负载电路相连；当所述可调电阻电路检测到所述负载电路的负载变化时，调整第一固定电阻Rzs和第二固定电阻Rzx得到频率随阻值和负载变化的补偿零点。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述可调电阻电路包括：第一功率管M1、第二功率管M2和控制电路；所述第二功率管M2的源级与所述第二固定电阻Rzx和所述第一固定电阻Rzs的公共端相连，所述第二功率管M2的栅极与控制电路的第二控制端相连；所述第二功率管M2的漏极与所述第一功率管M1的源级相连的一端与所述第一固定电阻Rzs的另一端连接；所述第一功率管M1的栅极与所述控制电路的第一控制端相连，所述第一功率管M1的漏极与所述共源极放大器和所述负载电路相连；所述控制电路的采样端与所述负载电路相连，用于采集所述负载电路产生的负载，若负载变小，所述控制电路控制所述第一功率管M1与所述第一固定电阻Rzs和第二固定电阻Rzx构成第一调零电阻，得到低频的补偿零点；若负载变大，所述控制电路控制所述第一功率管M1、第二功率管M2与所述第二固定电阻Rzx构成第二调零电阻，得到高频的补偿零点。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一功率管M1和所述第二功率管M2为N型MOS管。4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述控制电路包括：第三功率管M3、第四功率管M4、第五功率管M5、第六功率管M6、采样管MS和滤波器；所述采样管MS的栅极与所述负载电路相连，源级与所述第六功率管M6的漏极相连，所述采样管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：李念龙，刘珍超，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：