一种石墨舟用陶瓷环制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石墨舟用陶瓷环，包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的管本体，管本体的管壁外周至少设有一圈凹槽结构，管本体的管壁内设有锯齿状沟槽结构，锯齿状沟槽结构设有倾斜布置的内壁，凹槽结构与锯齿状沟槽结构相连通。本实用新型专利技术具有能有效提高电绝缘作用、延长陶瓷环使用寿命、降低石墨舟导通风险等优点。通风险等优点。通风险等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨舟用陶瓷环


[0001]本技术主要涉及石墨舟
，特指一种石墨舟用陶瓷环。

技术介绍

[0002]管式PECVD设备现已被广泛使用到镀膜工艺生产中，该设备通常使用石墨舟作为材料的载体，接入脉冲电源并通入反应气体后，在相应工艺条件下即可在材料表面镀膜。
[0003]石墨舟通常使用陶瓷杆作为支架，陶瓷杆上需加装陶瓷环来实现电绝缘，使石墨舟相邻正负极板间绝缘隔离。当使用PECVD镀掺杂非晶硅等良导体膜时，陶瓷环上会沉积上导电薄膜，并随着陶瓷环使用次数以及使用时间的增长而累积，最终会导致陶瓷环变为导体，使石墨舟正负极板间导通，引发工艺不稳定问题，造成产品质量及良率下降。因此，为降低因导电层在陶瓷环的沉积而造成石墨舟导通的风险，提高石墨舟的使用周期及产品的良率，本领域技术人员需要设计一种新的石墨舟陶瓷环结构。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的技术问题，本技术提供一种能有效提高电绝缘作用、延长使用寿命、降低石墨舟导通风险的石墨舟用陶瓷环。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
[0006]本技术提供了一种石墨舟用陶瓷环，包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的管本体，所述管本体的管壁外周至少设有一圈凹槽结构，所述管本体的管壁内设有锯齿状沟槽结构，所述锯齿状沟槽结构设有倾斜布置的内壁，所述凹槽结构与锯齿状沟槽结构相连通。
[0007]作为本技术的进一步改进：所述管本体为中空的圆柱体结构，所述凹槽结构与锯齿状沟槽结构为沿管本体的管壁设置的环形结构。
[0008]作为本技术的进一步改进：所述凹槽结构与锯齿状沟槽结构均为两组，两组所述凹槽结构与锯齿状沟槽结构对称布置在所述管本体的管壁上。
[0009]作为本技术的进一步改进：所述管本体的长度为11mm～13mm。
[0010]作为本技术的进一步改进：所述管本体内环的直径为12mm～14mm，外环的直径为18mm～20mm。
[0011]作为本技术的进一步改进：所述管本体的管壁厚度为6mm～8mm。
[0012]作为本技术的进一步改进：所述锯齿状沟槽结构的宽度为0.8mm～1mm，高度为2mm～3mm。
[0013]作为本技术的进一步改进：所述凹槽结构的宽度为0.8mm～1mm，所述凹槽结构处沿周向方向的管壁最小厚度大于2mm。
[0014]作为本技术的进一步改进：所述管本体的管壁中部沿轴向方向未开槽的长度应大于3mm。
[0015]作为本技术的进一步改进：所述内壁与管本体的轴线之间的夹角为α，其中
45
°
≤α≤75
°
。
[0016]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0017]本技术的石墨舟用陶瓷环，管本体的管壁上设有凹槽结构和锯齿状沟槽结构，锯齿状沟槽结构的内壁采用倾斜设计，增大了陶瓷环的内表面积，镀膜时，沉积薄膜会进入陶瓷环的环形凹槽内，从而将陶瓷环表面的镀膜层隔绝开，锯齿状沟槽结构的内壁采用倾斜设计，使得锯齿状沟槽结构靠管本体中心侧的内壁很难沉积导电层，能有效维持陶瓷环的绝缘状态，有效减少石墨舟陶瓷环因工艺后覆盖导电薄膜而导致石墨舟导通的问题，提高了陶瓷环的使用寿命，也提高了石墨舟的使用寿命及产品良率。
附图说明
[0018]图1为本技术的截面图。
[0019]图2为本技术的正视图。
[0020]图例说明：
[0021]1、管本体；2、凹槽结构；3、锯齿状沟槽结构；31、内壁。
具体实施方式
[0022]以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本技术作进一步描述，但并不因此而限制本技术的保护范围。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“侧部”、“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]以下将结合说明书附图和具体实施例对本技术做进一步详细说明。
[0025]如图1至图2所示，本实施例提供了一种石墨舟用陶瓷环，包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的管本体1，管本体1的管壁外周至少设有一圈凹槽结构2，管本体1的管壁内设有锯齿状沟槽结构3，锯齿状沟槽结构3设有倾斜布置的内壁31，凹槽结构2与锯齿状沟槽结构3相连通。
[0026]本技术的石墨舟用陶瓷环，管本体1的管壁上设有凹槽结构2和锯齿状沟槽结构3，锯齿状沟槽结构3的内壁31采用倾斜设计，增大了陶瓷环的内表面积，镀膜时，沉积薄膜会进入陶瓷环的环形凹槽结构2内，从而将陶瓷环表面的镀膜层隔绝开，锯齿状沟槽结构3的内壁31采用倾斜设计，使得锯齿状沟槽结构3靠近管本体中心侧的内壁31很难沉积导电层，能有效维持陶瓷环的绝缘状态，有效减少石墨舟陶瓷环因工艺后覆盖导电薄膜而导致石墨舟导通的问题，提高了陶瓷环的使用寿命，也提高了石墨舟的使用寿命及产品良率。
[0027]本实施例中，管本体1为中空的圆柱体结构，凹槽结构2与锯齿状沟槽结构3为沿管本体1的管壁设置的环形结构。凹槽结构2与锯齿状沟槽结构3均为两组，两组所述凹槽结构2与锯齿状沟槽结构3对称布置在所述管本体1的管壁上。整个陶瓷环本体的周壁、凹槽结构2、锯齿状沟槽结构3均为圆滑结构，能进一步降低非晶硅沉积在陶瓷环本体周壁上的概率。
[0028]本实施例中，管本体1的长度为11mm～13mm，管本体1的内环的直径为12mm～14mm，外环的直径为18mm～20mm，管本体1的管壁厚度为6mm～8mm。进一步的，在优选实施例中，锯齿状沟槽结构3的宽度为0.8mm～1mm，高度为2mm～3mm。需要说明的是，锯齿状沟槽结构3的锯齿数量可以根据实际情况进行调整。
[0029]本实施例中，凹槽结构2的宽度为0.8mm～1mm，凹槽结构2处沿周向方向的管壁最小厚度大于2mm，管本体1的管壁中部沿轴向方向未开槽的长度应大于3mm。保证管壁达到一定的厚度，一方面是方便陶瓷环的整体加工，另一方面能保证陶瓷环管壁的强度，避免管壁受到压力而损坏。
[0030]本实施例中，内壁31与管本体1的轴线之间的夹角为α，其中45
°
≤α≤75
°
，内壁31倾斜设计使得该面不易沉积导电薄膜，能有效延长陶瓷环的使用寿命。
[0031]以上仅是本技术的优选实施方式，本技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本技术思路下的技术方案均属于本技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨舟用陶瓷环，其特征在于，包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的管本体(1)，所述管本体(1)的管壁外周至少设有一圈凹槽结构(2)，所述管本体(1)的管壁内设有锯齿状沟槽结构(3)，所述锯齿状沟槽结构(3)设有倾斜布置的内壁(31)，所述凹槽结构(2)与锯齿状沟槽结构(3)相连通。2.根据权利要求1所述的石墨舟用陶瓷环，其特征在于，所述管本体(1)为中空的圆柱体结构，所述凹槽结构(2)与锯齿状沟槽结构(3)为沿管本体(1)的管壁设置的环形结构。3.根据权利要求2所述的石墨舟用陶瓷环，其特征在于，所述凹槽结构(2)与锯齿状沟槽结构(3)均为两组，两组所述凹槽结构(2)与锯齿状沟槽结构(3)对称布置在所述管本体(1)的管壁上。4.根据权利要求1至3任意一项所述的石墨舟用陶瓷环，其特征在于，所述管本体(1)的长度为11mm～13mm。5.根据权利要求1至3任意一项所述的石墨舟用陶瓷环，其特征在于，所述管本...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹佳朴，易辉，周塘华，江庆，谌业斌，李兴雨，
申请(专利权)人：湖南红太阳新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：