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锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法技术

技术编号:3810832 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及电子材料与器件领域,公开了一种锆钛酸铅—铁酸钴厚膜的制备方法,该 方法的步骤包括:将Pb(Zr0.52Ti0.48)O3粉体和CoFe2O4粉体分散在溶剂中制成浓度均匀的悬 浮液,然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明专利技术制得的锆钛酸铅—铁酸钴厚膜 具有良好的电性能和磁性能,可应用于制备厚膜传感器,位移器,具有设备简单,成本低、 成膜快、组分易于调整等特点,可大规模制备膜材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法,包括如下步骤: 1)先将锆钛酸铅粉体、铁酸钴粉体混合并分散于分散介质中制成悬浮液; 2)将电极放置在悬浮液中,保持两极板平行; 3)在恒电场条件下,电泳沉积获得厚膜; 4)将电泳完 毕后所得厚膜进行等静压处理; 5)将经过等静压处理的厚膜在高温环境下热处理,制得锆钛酸铅-铁酸钴厚膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:翟继卫莫伟锋尚飞
申请(专利权)人:翟继卫莫伟锋尚飞
类型:发明
国别省市:31

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