一种电子封装及电子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开一种电子封装及电子设备，涉及半导体封装技术领域。为解决电子封装的内嵌式基板容易积累较高的温度影响晶粒之间的信号传输质量的问题而发明专利技术。所述电子封装包括：封装基板和互连基板，在所述封装基板的第一表面上设有凹槽，所述互连基板嵌设在所述凹槽中；在所述互连基板底部设有第一散热件；在所述封装基板的第一表面上设有第一晶粒和第二晶粒；所述第一晶粒和所述第二晶粒通过所述互连基板电连接。适用于需要改善晶粒之间的信号传输质量的应用场景。的信号传输质量的应用场景。的信号传输质量的应用场景。

【技术实现步骤摘要】
一种电子封装及电子设备


[0001]本技术涉及半导体封装
尤其是涉及一种电子封装及电子设备。

技术介绍

[0002]目前的电子封装中，可通过在一基板上设置一嵌入式基板，通过该嵌入式基板实现不同晶粒之间的高密度互连。
[0003]由于内嵌式基板上的信号线连接密度通常较高，容易累积较高的温度，由此可能会影响到信号传输的质量。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供一种电子封装及电子设备，便于改善晶粒之间的信号传输质量。
[0005]为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：
[0006]第一方面，本技术实施例提供一种电子封装，包括：封装基板和互连基板，在所述封装基板的第一表面上设有凹槽，所述互连基板嵌设在所述凹槽中；在所述互连基板底部设有第一散热件；在所述封装基板的第一表面上设有第一晶粒和第二晶粒；所述第一晶粒和所述第二晶粒通过所述互连基板电连接。
[0007]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相连通，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度；所述第一散热件支撑在所述第二凹槽内，且所述第一散热件的至少部分设在所述第一凹槽内，所述互连基板设在所述第一凹槽内并支撑在所述第一散热件上。
[0008]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述第一散热件包括第二散热部和第一散热部，所述第一散热部与所述第二散热部相连，所述第二散热部的宽度小于所述第一散热部的宽度；所述第二散热部设在所述第二凹槽内，所述第一散热部设在所述第一凹槽内，并支撑在所述第一凹槽与所述第二凹槽过渡连接处的台阶上；所述互连基板支撑在所述第一散热部上。
[0009]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述第二凹槽贯穿所述封装基板的第二表面。
[0010]根据本技术实施例的一种具体实现方式，还包括散热孔，至少沿所述第一散热件的轴线方向，设置在所述第一散热件的第二散热部中。
[0011]根据本技术实施例的一种具体实现方式，还包括金属环，设在所述封装基板上；所述第一晶粒和所述第二晶粒设在所述金属环所围设的空间内。
[0012]根据本技术实施例的一种具体实现方式，还包括第二散热件，支撑在所述金属环上，所述第二散热件与所述第一晶粒和所述第二晶粒相对应。
[0013]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述封装基板包括：第一互连层，所述第一凹槽设于所述第一互连层中，所述第一互连层包括交替堆叠的第一金属连线层和第
一介质层；所述互连基板包括：第二互连层，包括交替堆叠的第二金属连线层和第二介质层，其中，所述第二介质层包括有机材料，所述第二金属连线层的排列密度大于所述第一金属连线层的排列密度。
[0014]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述有机材料包括聚酰亚胺。
[0015]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述封装基板还包括：多个第一连接凸块，位于所述第一互连层的上表面，所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片通过所述第一连接凸块与所述封装基板电连接；所述互连基板还包括：多个第二连接凸块，位于所述第二互连层的上表面，所述第一芯片的所述一部分与所述第二芯片的所述一部分通过所述第二连接凸块与所述互连基板电连接。
[0016]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述第二连接凸块和所述第一连接凸块之间满足以下至少之一：所述第二连接凸块的宽度小于所述第一连接凸块的宽度；以及相邻所述第二连接凸块之间的距离小于相邻所述第一连接凸块之间的距离。
[0017]第二方面，本技术实施例提供一种电子设备，如第一方面任一项所述的电子封装；以及用于安装所述电子封装的主板，所述电子封装通过所述封装基板与所述主板电连接。
[0018]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述主板上与所述凹槽相对应的位置处开设有第一通孔。
[0019]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述凹槽贯穿所述封装基板的第二表面，与所述第一通孔相连通。
[0020]根据本技术实施例的一种具体实现方式，所述第一散热件自所述封装基板中伸出至所述第一通孔中。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0022]图1为本技术的一些实施例中的电子封装的示意图；
[0023]图2为本技术的一些实施例中的封装基板上的第二散热件的示意图；
[0024]图3为本技术的一些实施例中的互连基板的示意图；
[0025]图4为本技术的另一些实施例中的电子封装的示意图；
[0026]图5为本技术的一些实施例中的设有凹槽的封装基板的俯视图；
[0027]图6为本技术的另一些实施例中的设有凹槽的封装基板的俯视图；
[0028]图7为本技术的又一些实施例中的电子封装的示意图；
[0029]图8为本技术的一些实施例中的电子设备的示意图；
[0030]图9为本技术的另一些实施例中的电子设备的示意图；
[0031]图10为本技术的又一些实施例中的电子设备的示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
[0033]应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0034]图1为本技术的一些实施例中的电子封装的示意图，参看图1，本技术实施例提供的电子封装，包括：封装基板1和互连基板2，在封装基板1的第一表面上设有凹槽3，互连基板2嵌设在凹槽3中；在互连基板2底部设有第一散热件4；在封装基板1的第一表面上设有第一晶粒5和第二晶粒6；第一晶粒5和第二晶粒6通过互连基板2电连接。
[0035]在一些示例中，封装基板1可以是树脂基板(Ajinomoto Build
‑
up Film substrate)，英文简称ABF substrate，中文简称ABF基板。可通过光刻、激光挖槽等工艺在封装基板1的第一表面上(例如上表面)设置凹槽3。封装基板1还可包括粘合层，粘合层可位于第一散热件4与凹槽3的槽底之间，通过粘合层将互连基板2的底部固定在第一散热件4上，使互连基板2嵌设在凹槽3中。粘合层的材质可为双面粘膜。第一散热件4，也可称为第一散热片、第一导热件等。其材料可为铜、铝合金等。
[0036]本实施例中，由于互连基板2底部设有第一散热件4，这样，通过第一散热件4，便于对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装，其特征在于，包括：封装基板和互连基板，在所述封装基板的第一表面上设有凹槽，所述互连基板嵌设在所述凹槽中；在所述互连基板底部设有第一散热件；在所述封装基板的第一表面上设有第一晶粒和第二晶粒；所述第一晶粒和所述第二晶粒通过所述互连基板电连接。2.根据权利要求1所述的电子封装，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相连通，所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度；所述第一散热件支撑在所述第二凹槽内，且所述第一散热件的至少部分设在所述第一凹槽内，所述互连基板设在所述第一凹槽内并支撑在所述第一散热件上。3.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述第一散热件包括第一散热部和第二散热部，所述第一散热部与所述第二散热部相连，所述第二散热部的宽度小于所述第一散热部的宽度；所述第二散热部设在所述第二凹槽内，所述第一散热部设在所述第一凹槽内，并支撑在所述第一凹槽与所述第二凹槽过渡连接处的台阶上；所述互连基板支撑在所述第一散热部上。4.根据权利要求3所述的电子封装，其特征在于，所述第二凹槽贯穿所述封装基板的第二表面。5.根据权利要求4所述的电子封装，其特征在于，还包括散热孔，至少沿所述第一散热件的轴线方向，设置在所述第一散热件的第二散热部中。6.根据权利要求1所述的电子封装，其特征在于，还包括金属环，设在所述封装基板上；所述第一晶粒和所述第二晶粒设在所述金属环所围设的空间内。7.根据权利要求6所述的电子封装，其特征在于，还包括第二散热件，支撑在所述金属环上，所述第二散热件与所述第一晶粒和所述第二晶粒相对应。8.根据权利要求2所述的电子封装，其特征在于，所述封装基板包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜树安，钱晓峰，杨晓君，郭瑞，杨柳，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：新型
国别省市：