【技术实现步骤摘要】
一种自动检测传输方向的双向电平转换装置
[0001]本专利技术涉及集成电路
，更具体地说是用于工作在两个不同电压域设备之间接口的装置，也可用于两个相同电压域设备之间，提供更强的驱动能力。
技术介绍
[0002]在系统应用中，常常需要电平转换电路以完成不同逻辑电平的转换。例如，FPGA的逻辑高电平是1.2V，而被控制的装置逻辑高电平可能是1.8V、3.3V或者5V。有一些逻辑信号在传输过程中方向是确定的，比如时钟信号、复位信号等，通常是master传输给slave；而有一些逻辑信号的传输方向是不确定的，需要在传输的过程中切换逻辑信号传输的方向，比如数据信号在某些时间需要从master传输给slave，某些时间又需要从slave传输给master。
[0003]因此，如何实现双向电平转换，自动切换信号传输方向，提高系统集成度、降低成本是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，可以实现双向电平转换，同时又可以自动切换信号传输方向，方便系统设计，提高了系统的集成度，降低了成本。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，包括：输入检测和输出控制电路、第一P
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typeMOSFET、第一N
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typeMOSFET、第一电阻、第二P
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type MOSFET、第二N
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，其特征在于，包括：输入检测和输出控制电路(101)、第一P
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type MOSFET(102)、第一N
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type MOSFET(103)、第一电阻(104)、第二P
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type MOSFET(105)、第二N
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type MOSFET(106)、第二电阻(107)；输入检测和输出控制电路(101)的两个输入信号端口分别与第一输入/输出端口P1、第二输入/输出端口P2电连接，第一输出信号A1、第二输出信号A2、第三输出信号B1、第四输出信号B2分别与第一P
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type MOSFET(102)的gate端、第一N
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type MOSFET(103)的gate端、第二P
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type MOSFET(105)的gate端、第二N
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type MOSFET(106)的gate端电连接；第一P
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type MOSFET(102)的source端及第一电阻(104)的其中一端分别与VCC1相连，第一P
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type MOSFET(102)的drain端、第一电阻(104)的另一端以及第一N
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type MOSFET(103)的drain端分别与第一输入/输出端口P1相连，第一N
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type MOSFET(103)的source端接地；第二P
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type MOSFET(105)的source端及第二电阻(107)的其中一端分别与VCC2相连，第二P
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type MOSFET(105)的drain端、第二电阻(107)的另一端以及第二N
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type MOSFET(106)的drain端分别与第二输入/输出端口P2相连，第二N
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type MOSFET(106)的source端接地。2.根据权利要求1所述的一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，其特征在于，输入检测和输出控制电路(101)包括：电平转换电路(201)、第一单次触发电路(202)、第二单次触发电路(203)、第一两输入或非门(204)、第二两输入或非门(205)、第一三输入与门(206)、第二三输入与门(207)；第一输入/输出端口P1与电平转换电路(201)的输入端相连，且电平转换电路(201)输出的信号B3分别接到第一单次触发电路(202)和第一两输入或非门(204)的一个输入端，第二输出信号A2接到第一两输入或非门(204)的另一输入端；第一单次触发电路(202)的输出为第三输出信号B1，通过第三输出信号B1控制第二P
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type MOSFET(105)；第三输出信号B1、第一两输入或非门(204)的输出信号B4、第一输出信号A1分别接到第一三输入与门(206)的输入端，第一三输入与门(206)的输出为第四输出信号B2，通过第四输出信号B2控制第二N
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type MOSFET(106)；第二输入/输出端口P2分别与第二单次触发电路(203)、第二两输入或非门(205)的一个输入端相连，且第四输出信号B2接到第二两输入或非门(205)的另一输入端；第二单次触发电路(203)的输出为第一输出信号A1，通过第一输出信号A1控制第一P
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type MOSFET(102)；第三输出信号B1、第一输出信号A1、第二两输入或非门(205)的输出信号A4分别接到第二三输入与门(207)的输入端，第二三输入与门(207)的输出为第二输出信号A2，通过第二输出信号A2控制第一N
‑
type MOSFET(103)。3.根据权利要求2所述的一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，其特征在于，电平转换电路(201)包括：第三P
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type MOSFET(301)、第三N
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type MOSFET(302)、第四P
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type MOSFET(303)、第四N
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type MOSFET(304)、第五P
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type MOSFET(305)、第五N
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type MOSFET(306)；输入信号IN1分别接到第三P
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type MOSFET(301)的gate端、第三N
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type MOSFET(302)的gate端、第五N
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type MOSFET(306)的gate端，第三P
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type MOSFET(301)的source端接VCC1，第四P
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type MOSFET(303)的source端、第五P
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type MOSFET(305)的source端分别接
VCC2；第三N
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type MOSFET(302)的source端、第四N
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type MOSFET(304)的source端、第五N
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type MOSFET(306)的source端均接地；第三P
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type MOSFET(301)的drain端、第三N
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type MOSFET(302)的drain端、第四N
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type MOSFET(304)的gate端之间两两相连；第四P
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type MOSFET(303)的gate端、第五P
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type MOSFET(305)的drain端、第五N
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type MOSFET(306)的drain端之间两两相连；第四P
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type MOSFET(303)的drain端、第四N
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type MOSFET(304)的drain端、第五P
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type MOSFET(305)的gate端之间两两相连，且均接到输出信号OUT1；输入信号IN1的逻辑高电平为VCC1，输出信号OUT1的逻辑高电平为VCC2。4.根据权利要求2所述的一种自动检测传输方向的双向电平转换装置，其特征在于，第一单次触发电路(202)和第二单次触发电路(203)的结构包括：第六P
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type MOSFET(401)、第三电阻(402)、第六N
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type MOSFET(403)、电容(404)、两输入与非门(405)；输入信号IN2分别接到第六P
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type MOSFET(401)的gate端、第六N
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type MOSFET(403)的gate端以及两输入与非门(405)的其中一个输入端口；第六P
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type MOSFET(401)的drain端、第三电阻(402)的其中一端、电容(404)的其中一端以及两输入与非门(405)的另一个输入端口之间两两相连，且两输入与非门(405...
【专利技术属性】
技术研发人员：管锐，鲍占营，靳瑞英，付美俊，
申请(专利权)人：上海帝迪集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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