镀膜遮蔽方法技术

本公开实施例提供一种镀膜遮蔽方法，待镀件至少包括第一部分和第二部分，所述第一部分无需镀膜；所述第二部分需要被镀膜，包括：提供第一遮蔽板，所述第一遮蔽板包括至少一个第一遮蔽体，将所述待镀件的第一部分的至少一个部分嵌入一个第一遮蔽体内，以密封该嵌入部分；以及采用支架板和侧护板，与所述第一遮蔽板围成密封箱体，所述第一遮蔽板构成所述密封箱体的一个侧面，所述第二部分位于所述密封箱体外。通过将第一遮蔽板、支架板和侧护板围成密封箱体，在进行镀膜工艺时，可以将待镀件的需要进行镀膜的第二部分露出所述密封箱体进行镀膜，将所述待镀件的无需进行镀膜的第一部分以及不可以被镀膜的第三部分放置在密封箱体内进行遮蔽。内进行遮蔽。内进行遮蔽。

【技术实现步骤摘要】
镀膜遮蔽方法


[0001]本专利技术涉及镀膜领域，具体涉及一种镀膜遮蔽方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着便携式电子设备的不断发展，为了保证电子产品的工作性能，对诸如数据线等较长的便携式电子设备在防水、防汗渍等方面提出了更高的要求。在便携式电子设备内部的较长的电路板的生产中，常会出现要将柔性电路板的线头插排部分进行表面镀膜，而线体部分不镀膜的情况。然而现有技术中，在对较长柔性电路板的待镀膜部分进行镀膜时，所述较长柔性电路板的无需进行镀膜的部分没有合适的位置进行存放，会使得无需进行镀膜的部分无法被充分遮蔽。
[0003]因此，需要一种新的镀膜遮蔽方法。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的问题，本公开实施例提供一种镀膜遮蔽方法，其能够在对待镀件的第二部分进行镀膜时，将待镀件的无需进行镀膜的第一部分及具有电学特性的第三部分进行遮蔽。
[0005]为解决上述技术问题，本公开实施例提供一种镀膜遮蔽方法，适于对待镀件进行镀膜遮蔽，所述待镀件至少包括第一部分和第二部分，所述第一部分无需镀膜；所述第二部分需要被镀膜，包括：提供第一遮蔽板，所述第一遮蔽板包括至少一个第一遮蔽体，将所述待镀件的第一部分的至少一个部分嵌入一个第一遮蔽体内，以密封该嵌入部分；以及提供支架板和侧护板，将所述支架板、所述侧护板与所述第一遮蔽板围成密封箱体，所述第一遮蔽板构成所述密封箱体的一个侧面，所述第二部分位于所述密封箱体外。
[0006]在一些实施例中，所述第一遮蔽板包括多个并排设置的第一遮蔽体，还包括：将所述多个第一遮蔽体相连，形成所述第一遮蔽板。
[0007]在一些实施例中，所述多个第一遮蔽体通过磁力连接。
[0008]在一些实施例中，所述多个第一遮蔽体通过磁体连接。
[0009]在一些实施例中，所述第一遮蔽体包括：第一遮蔽底板，其第一侧具有第一凹槽；第一遮蔽件，采用弹性材料制备，适于放入所述第一遮蔽底板的第一凹槽内，所述第一遮蔽件中形成有多个第一固定位以放入所述待镀件；以及第一遮蔽片，适于从所述第一遮蔽底板的第一侧将所述第一遮蔽件与所述第一遮蔽底板固定。
[0010]在一些实施例中，所述第一固定位有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件；和/或，所述第一遮蔽件有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件。
[0011]在一些实施例中，所述第一遮蔽底板上设有多个第一凹槽，适于放置多个所述第一遮蔽件。
[0012]在一些实施例中，设置于所述同一第一遮蔽底板上的不同第一凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第一遮蔽件；和/或，设置于所述不同第一遮蔽底板上的第一
凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第一遮蔽件。
[0013]在一些实施例中，所述第一遮蔽底板和所述第一遮蔽片的至少一部分采用磁性材料制备。
[0014]在一些实施例中，所述第一遮蔽件由硅胶材料制成。
[0015]在一些实施例中，所述待镀件还包括第三部分所述第三部分包括电路结构，在镀膜过程中需要被遮蔽，所述镀膜遮蔽方法还包括：提供第二遮蔽板，所述第二遮蔽板包括至少一个第二遮蔽板，所述第二遮蔽板包括至少一个第二遮蔽体，将所述待镀件的第三部分嵌入所述第二遮蔽体内，以密封该嵌入部分；以及将所述第二遮蔽板设置于所述密封箱体内。
[0016]在一些实施例中，所述待镀件的第三部分完全密封于所述第二遮蔽体内。
[0017]在一些实施例中，所述第二遮蔽板包括多个并排设置的第二遮蔽体，还包括：将所述多个第二遮蔽体相连，形成所述第二遮蔽板。
[0018]在一些实施例中，所述多个第二遮蔽体通过磁力连接。
[0019]在一些实施例中，所述多个第二遮蔽体通过磁体连接。
[0020]在一些实施例中，所述第二遮蔽体包括：第二遮蔽底板，其第二侧具有第二凹槽；第二遮蔽件，采用弹性材料制备，适于放入所述第二遮蔽底板的第二凹槽内，所述第二遮蔽件中形成有多个第二固定位以放入所述待镀件；以及第二遮蔽片，适于从所述第二遮蔽底板的第二侧将所述第二遮蔽件与所述第二遮蔽底板固定。
[0021]在一些实施例中，所述第二固定位有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件；和/或，所述第二遮蔽件有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件。
[0022]在一些实施例中，设置于所述同一第二遮蔽底板上的不同的第二凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第二遮蔽件；和/或，设置于所述不同第二遮蔽底板上的第二凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第二遮蔽件。
[0023]在一些实施例中，所述第二遮蔽底板和所述第二遮蔽片的至少一部分采用磁性材料制备。
[0024]在一些实施例中，所述第二遮蔽件由硅胶材料制成。
[0025]在一些实施例中，在将所述支架板、侧护板与所述第一遮蔽板围成密封箱体后，还包括：在所述侧护板上设置蝶形螺钉，用于将所述第一遮蔽板与所述侧护板进行固定。
[0026]本公开实施例还提供一种镀膜方法，包括：将如上述实施例中所述的密封箱体置于镀膜腔内，进行镀膜。
[0027]与现有技术相比，本公开实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0028]本公开实施例提供的一种镀膜遮蔽方法，将第一遮蔽板、支架板和侧护板围成一密封箱体，在进行镀膜工艺时，可以将待镀件的需要进行镀膜的第二部分露出所述密封箱体进行镀膜，将所述待镀件的无需进行镀膜的第一部分放置在密封箱体内进行遮蔽，从而实现对镀膜位置的精准控制，以及对无需镀膜部分的充分遮蔽。
[0029]本公开实施例提供的一种镀膜遮蔽方法，在密封箱体内还包括第二遮蔽板。在进行镀膜工艺时，将待镀件的具有电学结构的第三部分卡固在第二遮蔽板中进行二次遮蔽，使得所述第三部分不会由于被镀膜而失去电学特性。
附图说明
[0030]本公开的其它特征以及优点将通过以下结合附图详细描述的可选实施方式更好地理解，附图中相同的标记表示相同或相似的部件，其中：
[0031]图1示出了根据本公开的一个实施例的镀膜遮蔽方法的流程示意图；
[0032]图2示出了根据本公开的一个实施例的第一遮蔽板的结构示意图；
[0033]图3示出了图2中的一个第一遮蔽体的结构示意图；
[0034]图4示出了图3中的一个第一遮蔽件的结构示意图；
[0035]图5示出了根据本公开的一个实施例的镀膜治具的立体示意图；
[0036]图6示出了根据本公开的一个实施例的第二遮蔽板的结构示意图；
[0037]图7示出了图6中的一个第二遮蔽体的结构示意图；
[0038]图8示出了图7中的一个第二遮蔽件的结构示意图；
[0039]图9示出了根据本公开的一个实施例的镀膜治具的爆炸示意图；
[0040]图10
‑
12示出了根据本公开的一个实施例所述的镀膜遮蔽方法进行镀膜遮蔽的过程示意图。
具体实施方式
[0041]本公开实施例提供了一种镀膜遮蔽方法，在对待镀件的需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜遮蔽方法，适于对待镀件进行镀膜遮蔽，所述待镀件至少包括第一部分和第二部分，所述第一部分无需镀膜；所述第二部分需要被镀膜，其特征在于，包括：提供第一遮蔽板，所述第一遮蔽板包括至少一个第一遮蔽体，将所述待镀件的第一部分的至少一个部分嵌入一个第一遮蔽体内，以密封该嵌入部分；以及提供支架板和侧护板，将所述支架板、所述侧护板与所述第一遮蔽板围成密封箱体，所述第一遮蔽板构成所述密封箱体的一个侧面，所述第二部分位于所述密封箱体外。2.根据权利要求1所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一遮蔽板包括多个并排设置的第一遮蔽体，还包括：将所述多个第一遮蔽体相连，形成所述第一遮蔽板。3.根据权利要求2所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述多个第一遮蔽体通过磁力连接。4.根据权利要求3所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述多个第一遮蔽体通过磁体连接。5.根据权利要求1所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一遮蔽体包括：第一遮蔽底板，其第一侧具有第一凹槽；第一遮蔽件，采用弹性材料制备，适于放入所述第一遮蔽底板的第一凹槽内，所述第一遮蔽件中形成有多个第一固定位以放入所述待镀件；以及第一遮蔽片，适于从所述第一遮蔽底板的第一侧将所述第一遮蔽件与所述第一遮蔽底板固定。6.根据权利要求5所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一固定位有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件；和/或，所述第一遮蔽件有不同的尺寸，以适用于不同尺寸的待镀件。7.根据权利要求5所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一遮蔽底板上设有多个第一凹槽，适于放置多个所述第一遮蔽件。8.根据权利要求7所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，设置于所述同一第一遮蔽底板上的不同第一凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第一遮蔽件；和/或，设置于所述不同第一遮蔽底板上的第一凹槽有不同的尺寸，适于放置不同尺寸的所述第一遮蔽件。9.根据权利要求5所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一遮蔽底板和所述第一遮蔽片的至少一部分采用磁性材料制备。10.根据权利要求5
‑
9任一项所述的镀膜遮蔽方法，其特征在于，所述第一遮蔽件由硅胶材料制成。11.根据权利要求1所述的镀膜遮蔽方法，所述待镀件还包括第三部分，所述第三部分包括电路结构，在镀膜过...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，孙富恩，
申请(专利权)人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：