存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器技术领域，提供了一种存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器，其中方法包括：在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。本发明专利技术通过在上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，根据电源电压控制写入辅助电路对应的功能状态，使得存储器正常进行写操作，克服了存储器因电源电压低造成写入失败的缺陷。的缺陷。的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器。

技术介绍

[0002]SRAM（Static Random
‑
Access Memory）是一种易失性随机存储器，其通过存储阵列存储数据，并通过写入电路将外部数据写入存储阵列。为了降低功耗，现在的存储芯片通常工作在较低的电源电压下，而当电源电压下降时，SRAM的bit cell（存储单元）会由于write margin（写入裕度）不足而写入失败。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的为提供一种存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器，旨在克服存储器因电源电压低造成写入失败的缺陷。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种存储器自适应写入辅助电路控制方法，应用于易失性随机存储器，包括以下步骤：在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。
[0005]进一步地，所述根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态的步骤，包括：将所述电源电压与第一电压阈值以及第二电压阈值进行对比；其中，第一电压阈值大于第二电压阈值；若所述电源电压不低于所述第一电压阈值，则判定所述存储器为正常工作电压状态；若所述电源电压低于所述第一电压阈值且不低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第一异常电压状态；若所述电源电压低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第二异常电压状态。
[0006]进一步地，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为正常工作电压状态，则控制写入辅助电路对应的功能关闭。
[0007]进一步地，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为第一异常工作电压状态，则控制写入辅助电路开启降低位线电压的功能。
[0008]进一步地，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为第二异常工作电压状态，则控制写入辅助电路同时开启降低位线电压的功能以及升高字线电压的功能。
[0009]进一步地，根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作的步骤之后，包括：获取一个测试数据，并生成一个数据标识；获取所述测试数据的数据长度，在所述测试数据中添加一个数据头部，并在所述数据头部中添加所述数据长度以及数据标识；将添加数据头部的测试数据写入存储器中；获取写入存储器中的目标数据的数据头部，检测所述数据头部中是否存在所述数据标识；若存在，则获取所述数据头部中记载的数据长度，以及获取所述目标数据的数据长度；判断所述数据头部中记载的数据长度是否与所述目标数据的数据长度一致；若一致，则判定所述存储器写入数据正常。
[0010]进一步地，所述在所述数据头部中添加所述数据长度以及数据标识的步骤，包括：将所述数据头部分割为两个依次相连的分区，两个分区之间采用预设的分隔符进行连接；针对数据标识以及数据长度分别生成对应的标识符，分别为数据标识符、长度标识符；在前一个分区的头部添加所述数据标识符，在后一个分区的头部添加所述长度标识符；将所述数据长度添加在所述数据头部的长度标识符之后；将所述数据标识添加在所述数据头部的数据标识符之后。
[0011]本专利技术还提供了一种存储器自适应写入辅助电路控制装置，应用于易失性随机存储器，包括：获取单元，用于在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；判断单元，用于根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；控制单元，用于根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。
[0012]进一步地，所述判断单元，具体用于：将所述电源电压与第一电压阈值以及第二电压阈值进行对比；其中，第一电压阈值大于第二电压阈值；若所述电源电压不低于所述第一电压阈值，则判定所述存储器为正常工作电压状态；若所述电源电压低于所述第一电压阈值且不低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第一异常电压状态；
若所述电源电压低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第二异常电压状态。
[0013]本专利技术还提供了一种存储器，其上有自适应写入辅助电路控制电路实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0014]本专利技术提供的存储器自适应写入辅助电路控制方法、装置和存储器，包括：在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。本专利技术通过在上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，根据电源电压控制写入辅助电路对应的功能状态，使得存储器正常进行写操作，克服了存储器因电源电压低造成写入失败的缺陷。
附图说明
[0015]图1是本专利技术一实施例中存储器自适应写入辅助电路控制方法步骤示意图；图2是本专利技术一实施例中存储器自适应写入辅助电路控制装置结构框图。
[0016]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0017]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0018]参照图1，本专利技术一实施例中提供了一种存储器自适应写入辅助电路控制方法，应用于易失性随机存储器，包括以下步骤：步骤S1，在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；步骤S2，根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；步骤S3，根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路（Write Assist）对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。
[0019]在本实施例中，上述存储器为易失性随机存储器，为了降低功耗，其通常工作的较低的电源电压下，但是当电源电压过低时，容易造成写入数据失败。因此，如上述步骤S1所述的，在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，需要获取存储器的电源电压，即存储器工作时的电源电压，若该电源电压过低，则后续应当进行相应的处理，避免存储写入操作失败；如上述步骤S2所述的，根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；即判断出存储当前的电源电压所处的状态，是否出现电压过低的情况。如上述步骤S3所述的，根据存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作。上述写入辅助电路具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，应用于易失性随机存储器，包括以下步骤：在存储器上电阶段完成时，存储器启动后，正常工作前，获取存储器的电源电压；根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态；根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作，并锁定所述写入辅助电路的功能状态。2.根据权利要求1所述的存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，所述根据所述存储器的电源电压，判断所述存储器的电压状态的步骤，包括：将所述电源电压与第一电压阈值以及第二电压阈值进行对比；其中，第一电压阈值大于第二电压阈值；若所述电源电压不低于所述第一电压阈值，则判定所述存储器为正常工作电压状态；若所述电源电压低于所述第一电压阈值且不低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第一异常电压状态；若所述电源电压低于所述第二电压阈值，则判定所述存储器为第二异常电压状态。3.根据权利要求2所述的存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为正常工作电压状态，则控制写入辅助电路对应的功能关闭。4.根据权利要求2所述的存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为第一异常工作电压状态，则控制写入辅助电路开启降低位线电压的功能。5.根据权利要求2所述的存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，所述根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态的步骤，包括：若所述存储器为第二异常工作电压状态，则控制写入辅助电路同时开启降低位线电压的功能以及升高字线电压的功能。6.根据权利要求1所述的存储器自适应写入辅助电路控制方法，其特征在于，根据所述存储器的电压状态，控制写入辅助电路对应的功能状态，以使得存储器正常进行写操作的步骤之后，包括：获取一个测试数据，并生成一个数据标识；获取所述测试数据的数据长度，在所述测试数据中...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪瑛，
申请(专利权)人：深圳亘存科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：