低功耗视频应用中的新型SRAM架构制造技术

本发明专利技术属于无线通信技术领域，具体为低功耗视频应用中的新型SRAM架构，该新型SRAM架构设计包括对SRAM位单元的稳定性进行改进；在进行读操作时，两条位线BL、BR最初都浮空在高电平上，不失一般性，可以假设Q最初为0而QB最初为1，QB和BR都应当保持为1，当字线WL电压上升时，BL应当通过驱动管ML1和存取管ML3被下拉至GND，在BL被下拉的同时，节点Q却趋于上升，因为虽然ML1使Q保持在低电平GND，但从ML3流入的电流却使Q升高，驱动管ML1必须比存取管ML3强，本发明专利技术可以对HOBs和LOBs所在的存储单元都可以有较高或较低的电压操作，不存在大面积惩罚，设计难度低，不存在不同单元组合在同一行的设计挑战。计挑战。计挑战。

【技术实现步骤摘要】
低功耗视频应用中的新型SRAM架构


[0001]本专利技术涉及无线通信
，具体为低功耗视频应用中的新型SRAM架构。

技术介绍

[0002]通信网络的广泛普及，加上功能强大的智能手机的日益普及，推动了无线通信中多媒体服务需求的指数级增长。随着越来越多的功能被集成到手持移动设备中，这些设备相应的功耗也在增加。因此，对于支持多媒体应用的移动设备来说，提供更低的功耗以延长这些设备的电池寿命至关重要。
[0003]降低电源电压是VLSI系统中最有效的降功耗技术之一，因为动态功耗与VDD2呈正比。然而，SRAM位单元的噪声裕度降低是SRAM在低电压下失效的主要原因，SRAM位单元的噪声裕度对最小单元电源电压有一个限制，HNM、SNM、WNM分别是SRAM位单元在空闲、读、写模式下，在失去其存储值之前所能容忍的最大噪声量。降低电源电压会很大程度上降低噪声裕度，并导致位单元不稳定。因此，在低压操作过程中，特别是在大规模技术中，工艺、电压和温度的显著变化会引起SRAM位单元的失效概率显著增加。
[0004]在混合SRAM结构中，即6T/8本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低功耗视频应用中的新型SRAM架构，其特征在于，该新型SRAM架构设计包括对SRAM位单元的稳定性进行改进；在进行读操作时，两条位线BL、BR最初都浮空在高电平上，不失一般性，可以假设Q最初为0而QB最初为1，QB和BR都应当保持为1，当字线WL电压上升时，BL应当通过驱动管ML1和存取管ML3被下拉至GND，在BL被下拉的同时，节点Q却趋于上升，因为虽然ML1使Q保持在低电平GND，但从ML3流入的电流却使Q升高，驱动管ML1必须比存取管ML3强，在本设计中采取将字线BL、BR和位线WL连接到低于单元电源的电压来获得更好的静态噪声裕度SNM；在进行写操作时，同样假设Q最初为0并且希望写1到这个单元中，BL被预充至高电平并保持浮空，而BR被写驱动器下拉，由上述的读操作可知读稳定性约束的限制，BL将不能通过ML3强制使Q的电平升高，因此该单元必须通过MR3强制使QB的电平降低才能写入，但MR2阻止这一操作，因此MR2必须比MR3弱才能使QB下拉至足够低的电平，因此，在本设计中采取将字线BL、BR和位线WL连接到高于单元电源的电压来获得更好的写噪声裕度WNM，一旦QB下降至低电平，ML1变为截止而ML2变为导通，于是就将Q上拉至所希望的高电平。2.根据权利要求1所述的低功耗视频应用中的新型SRAM架构，其特征在于：在动态电源时序中，当SRAM进...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄圆，
申请(专利权)人：苏州智存宽显电子有限公司，
类型：发明
国别省市：