【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置用部件
[0001]本专利技术涉及半导体制造装置用部件。
技术介绍
[0002]以往,作为半导体制造装置用部件,已知有具有晶片载放面的静电卡盘设置在冷却装置上的部件。例如,专利文献1的半导体制造装置用部件具备:气体供给孔,其设置于冷却装置;凹部,其以与气体供给孔连通的方式设置于静电卡盘;细孔,其从凹部的底面贯通至晶片载放面;以及多孔质插塞,其由填充于凹部的绝缘材料形成。当将氦等背侧气体向气体供给孔导入时,该气体从气体供给孔、多孔质插塞及细孔通过而向晶片的背面侧的空间供给。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2013-232640号公报
技术实现思路
[0006]然而,上述半导体制造装置用部件中,在构成静电卡盘的陶瓷板的凹部的底部设置有细孔,因此,从加工来讲,很难使细孔的上下方向上的长度变小。
[0007]本专利技术是为了解决上述课题而实施的,其主要目的在于,使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置用部件,其中,具备:陶瓷板,该陶瓷板在上表面具有晶片载放面;导电性基材,该导电性基材设置于所述陶瓷板的下表面;第一孔,该第一孔沿着上下方向贯穿所述陶瓷板;第二孔,该第二孔沿着上下方向贯穿所述导电性基材,且与所述第一孔连通;致密质的绝缘壳体,该绝缘壳体具有在下表面呈开口的有底孔,且配置于所述第一孔及所述第二孔;多个细孔,该多个细孔沿着上下方向贯穿所述有底孔的底部;以及多孔质插塞,该多孔质插塞配置于所述有底孔而与所述底部接触。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件,其中,所述晶片载放面具有对晶片进行支撑的大量小突起,所述绝缘壳体的上表面位于与所述晶片载放面的未设置所述小突起的基准面相同的高度,所述细孔的上下方向上的长度为0.01mm以上0.5mm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件,其中,所述第一孔具有:细径的第一孔上部、粗径的第一孔下部、以及形成...
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