双分裂变压器的生产方法及高压线圈匝数异常检测方法技术

本发明专利技术公开了双分裂变压器的生产方法及高压线圈匝数异常检测方法；所述检测方法用于在线圈装配完成且铁轭合上后，检测变压器半成品的高压上下部线圈的匝数异常情况；具体步骤如下：S1，高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，确定异常相；S2，断开异常相高压上下部线圈之间的联接引线，再次将高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，验证步骤S1中确定的异常相是否正确；S3，测量异常相中高压上下部线圈的线圈段与对应的低压上下部线圈之间的变比，得出高压上下部线圈中各线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点具体位置。以确定匝数异常点具体位置。以确定匝数异常点具体位置。

【技术实现步骤摘要】
双分裂变压器的生产方法及高压线圈匝数异常检测方法


[0001]本专利技术涉及双分裂变压器
，具体涉及双分裂变压器的生产方法及高压线圈匝数异常检测方法。

技术介绍

[0002]随着风力发电、光伏发电等新能源的兴起，双分裂变压器的应用越来越广泛。双分裂变压器是指每相由一个高压绕组与两个电压和容量均相同的低压绕组构成的多绕组电力变压器。双分裂变压器每相铁芯上的高压绕组分为上下对称的线圈，上部线圈和下部线圈并联；上部线圈和下部线圈的匝数必须一致，否则会在并联回路中产生不平衡电压，引起损耗增加。因此在半成品试验时需要进行变比试验，验证高压上下部线圈的匝数是否相等。但是，在实际的生产过程中，由于双分裂变压器的线圈匝数过多(一个变压器中一般包含上千匝线圈)，在半成品的变比试验过程中，很难发现线圈错匝问题，往往需要在成品的空载试验中才能发现(双分裂变压器中高压上下部线圈的匝数不一致，会造成空载试验异常)，具体试验方式为：在变压器装配完成后，将变压器的高压侧开路，并在低压侧送入100％额定电压，再测量变压器的空载损耗，与标准空载损耗相比，判断是否存在异常。如果存在异常，则需要先将变压器器身吊出，再断开每一相高压上下部线圈的电气联系，并分相分段测变比，以确定具体的异常点，确定异常点后，再进行相应的处理，处理完成后将变压器再次装配，此时，会耗费很大的人力、物力，直接影响到变压器的交期。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中存在的上述问题，本申请提供了一种双分裂变压器的生产方法；该生产方法在线圈装配完成且铁轭合上后，通过特定的检测方法，检测变压器半成品中高压线圈的匝数是否存在异常，便于进行相应的处理，避免后续质量损失发生，提高了产品一次出厂通过率。对应的，本申请还提供了一种双分裂变压器高压线圈匝数异常检测方法，根据双分裂变压器的磁路特点，在低压侧输入α％(16≤α≤20)的额定电压，再通过特定的步骤，检测变压器半成品中高压上下部线圈匝数是否存在异常，操作简单、高效，检测效率高。
[0004]对于生产方法而言，本申请的技术方案为：
[0005]双分裂变压器的生产方法，所述双分裂变压器包括两个铁轭、设于两个铁轭之间的三相三柱铁芯，以及套设于铁芯外的低压线圈和高压线圈；所述低压线圈沿轴向分裂成对称分布的低压上部线圈和低压下部线圈；所述高压线圈沿轴向分裂成对称分布的高压上部线圈和高压下部线圈；所述高压上部线圈和高压下部线圈均包括一个基本线圈段和多个分接线圈段；该生产方法中，在线圈装配完成且铁轭合上后，检测变压器半成品中高压上部线圈与高压下部线圈的匝数是否异常，并在匝数存在异常时，进行相应的处理以消除异常，然后进入下一道生产工序；其中，异常检测的具体步骤如下：
[0006]S1，将变压器半成品的高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别
测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则不存在异常，反之，则根据实际的测量结果，确定异常相；
[0007]S2，断开异常相高压上部线圈和高压下部线圈之间的联接引线，再次将高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则证明步骤S1中确定的异常相正确，进行下一步操作；反之，重新确定异常相；
[0008]S3，测量异常相中高压上部线圈的线圈段与该相低压上部线圈的变比，以及高压下部线圈的线圈段与该相低压下部线圈的变比，得出高压上部线圈和高压下部线圈中基本线圈段和各分接线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点的具体位置；
[0009]检测完成后，若异常点位置处的线圈匝数多于标准匝数，则拆除多余的线圈，若线圈匝数少于标准匝数，则增加线圈，以保证变压器半成品的质量。
[0010]与现有技术相比，本申请的双分裂变压器的生产方法在线圈装配完成且铁轭合上后，根据双分裂变压器的磁路特点，在低压侧输入α％(16≤α≤20；避免破坏高压绝缘)的额定电压，再通过特定的检测步骤，检测变压器半成品中高压上下部线圈的匝数异常情况，便于进行相应的处理，提高产品质量控制率(质量损失可降低80％)和产品一次出厂通过率。
[0011]作为优化，前述的双分裂变压器的生产方法中，步骤S1和步骤S2中，α＝20。在保证在低压侧输入20％的额定电压后，不会破坏高压绝缘，而且测试准确率高。步骤S1和步骤S2中，可以采用LMG641功率分析仪测量空载损耗。LMG641功率分析仪接线简单，且允许测量的电压、电流范围广，其测量准确度高、效率高。
[0012]作为优化，前述的双分裂变压器的生产方法中，步骤S3中，通过变比仪分别测量异常相中高压上部线圈的基本线圈段与该相低压上部线圈的变比，高压下部线圈的基本线圈段与该相低压下部线圈的变比，以及高压上部线圈的基本线圈段跟分接线圈段串联而成的组合线圈段与该相低压上部线圈的变比，高压下部线圈的基本线圈段与分接线圈段串联而成的组合线圈段与该相低压下部线圈的变比，得出高压上部线圈和高压下部线圈中的基本线圈段以及各分接线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点的具体位置。
[0013]对于检测方法而言，本申请的技术方案为：
[0014]双分裂变压器高压线圈匝数异常检测方法，所述双分裂变压器包括两个铁轭、设于两个铁轭之间的三相三柱铁芯，以及套设于铁芯外的低压线圈和高压线圈；所述低压线圈沿轴向分裂成对称分布的低压上部线圈和低压下部线圈；所述高压线圈沿轴向分裂成对称分布的高压上部线圈和高压下部线圈；所述高压上部线圈和高压下部线圈均包括一个基本线圈段和多个分接线圈段；该检测方法用于在线圈装配完成且铁轭合上后，检测变压器半成品中高压上部线圈与高压下部线圈的匝数异常情况；具体步骤如下：
[0015]S1，将变压器半成品的高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则不存在异常，反之，则根据实际的测量结果，确定异常相；
[0016]S2，断开异常相高压上部线圈和高压下部线圈之间的联接引线，再次将高压侧开路，低压侧送入α％(16≤α≤20)的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则证明步骤S1中确定的异常相正确；反之，重新确认异常相；
[0017]S3，测量异常相中高压上部线圈的线圈段与该相低压上部线圈的变比，以及高压
下部线圈的线圈段与该相低压下部线圈的变比，得出高压上部线圈和高压下部线圈中基本线圈段和各分接线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点的具体位置。
[0018]与现有技术相比，本申请的双分裂变压器的高压线圈匝数异常检测方法是根据双分裂变压器的磁路特点，在低压侧输入α％(16≤α≤20；可避免破坏高压绝缘、保证测试准确性)的额定电压，增加空载试验，再通过特定的步骤，检测变压器半成品高压上下部线圈的匝数异常情况：检测时，先测量变压器半成品本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.双分裂变压器的生产方法，所述双分裂变压器包括两个铁轭、设于两个铁轭之间的三相三柱铁芯，以及套设于铁芯外的低压线圈和高压线圈；所述低压线圈沿轴向分裂成对称分布的低压上部线圈和低压下部线圈；所述高压线圈沿轴向分裂成对称分布的高压上部线圈和高压下部线圈；所述高压上部线圈和高压下部线圈均包括沿轴向分布的一个基本线圈段和多个分接线圈段；其特征在于，该生产方法中，在线圈装配完成且铁轭合上后，检测变压器半成品中高压上部线圈与高压下部线圈的匝数是否异常，并在匝数存在异常时，进行相应的处理以消除异常，然后进入下一道生产工序；其中，异常检测的具体步骤如下：S1，将变压器半成品的高压侧开路，低压侧送入α％的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则不存在异常，反之，则根据实际的测量结果，确定异常相，其中，16≤α≤20；S2，断开异常相高压上部线圈和高压下部线圈之间的联接引线，再次将高压侧开路，低压侧送入α％的额定电压，分别测量A、B、C三相的空载损耗，并进行对比；若A相大于C相大于B相，则证明步骤S1中确定的异常相正确，进行下一步操作；反之，重新确定异常相，其中16≤α≤20；S3，测量异常相中高压上部线圈的线圈段与该相低压上部线圈的变比，以及高压下部线圈的线圈段与该相低压下部线圈的变比，得出高压上部线圈和高压下部线圈中基本线圈段和各分接线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点的具体位置；检测完成后，若异常点位置处的线圈匝数多于标准匝数，则拆除多余的线圈，若线圈匝数少于标准匝数，则增加线圈，以保证变压器半成品质量。2.根据权利要求1所述的双分裂变压器的生产方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中，α＝20。3.根据权利要求1所述的双分裂变压器的生产方法，其特征在于：步骤S3中，通过变比仪分别测量异常相中高压上部线圈的基本线圈段与该相低压上部线圈的变比，高压下部线圈的基本线圈段与该相低压下部线圈的变比，以及高压上部线圈的基本线圈段跟分接线圈段串联而成的组合线圈段与该相低压上部线圈的变比，高压下部线圈的基本线圈段与分接线圈段串联而成的组合线圈段与该相低压下部线圈的变比，得出高压上部线圈和高压下部线圈中的基本线圈段以及各分接线圈段的具体匝数，并与标准匝数相比，以确定匝数异常点的具体位置。4.根据权利要求1所述的双分裂变压器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡统辉，林焱，朱辉，
申请(专利权)人：三变科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：