高速过流比较器及电池管理装置制造方法及图纸

本公开提供一种高速过流比较器，包括：参考电流产生电路，参考电流产生电路用于形成参考电流；以及差分电压输入放大电路，差分电压输入放大电路包括第一三极管、第二三极管和第三三极管，其中第一三极管的基极连接第二三极管的基极，第一三极管的集电极连接供电电压，第一三极管的发射极连接第二三极管和第三三极管的基极，第二三级管的发射极连接第一电阻的第一端，第一电阻的第二端连接第一输入端，第三三极管发射极连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接第二输入端；其中，流经第二三极管和第一电阻的电流为参考电流、以及流经第三三极管和第二电阻的电流为参考电流。本公开还提供了一种电池管理装置。开还提供了一种电池管理装置。开还提供了一种电池管理装置。

【技术实现步骤摘要】
高速过流比较器及电池管理装置


[0001]本公开涉及一种高速过流比较器及电池管理装置。

技术介绍

[0002]在可充电电池等的应用场景下，需要对电池的电流进行检测。因为在电池的使用过程中，可能存在过电流的情况。如果存现过电流的情况却没有采取安全措施，可能会导致发生安全事故。
[0003]因此在电池的使用过程中，需要对过电流进行检测。例如在授权公告号为CN114725897B的中国授权专利中公开了一种过流保护电路。在该电路保护电路中，过流比较速度较慢，对于某些情况并不能适用。对于该专利，其原理电路如图1所示。
[0004]可以采用跨导g来表征过流比较速度，其中跨导指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。如图1所示的电路中，过流比较器采用的是PMOS晶体管P1和P2的输入端，这样跨导其中表示跨导，I
D
表示流过P1和P2的漏极电流，V
GS
表示P1和P2的栅源电压，V
TH
表示P1和P2的阈值电压，通常而言，V
GS
‑
V
TH...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速过流比较器，其特征在于，包括：参考电流产生电路，所述参考电流产生电路用于形成参考电流；以及差分电压输入放大电路，所述差分电压输入放大电路包括第一三极管、第二三极管和第三三极管，其中第一三极管的基极连接第二三极管的基极，第一三极管的集电极连接供电电压，第一三极管的发射极连接第二三极管和第三三极管的基极，第二三级管的发射极连接第一电阻的第一端，第一电阻的第二端连接第一输入端，第三三极管发射极连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接第二输入端；其中，流经所述第二三极管和第一电阻的电流为参考电流、以及流经所述第三三极管和第二电阻的电流为参考电流。2.如权利要求1所述的高速过流比较器，其特征在于，所述参考电流产生电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中，第一PMOS晶体管的源极连接供电电压，第一PMOS晶体管的栅极和漏极连接，第一PMOS晶体管的漏极连接第二PMOS晶体管的源极，第二PMOS晶体管的栅极和漏极连接，第一NMOS晶体管的漏极连接第二PMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的源极连接参考电阻的第一端，参考电阻的第二端接地。3.如权利要求2所述的高速过流比较器，其特征在于，所述参考电流产生电路还包括比较器，所述比较器包括第一输入端和第二输入端，其中所述比较器的第一输入端接收参考电压，所述比较器的第二输入端与所述第一NMOS晶体管的源极连接，所述比较器的输出端与第一NMOS晶体管的栅极连接，使得所述第一NMOS晶体管的源极的电压为所述参考电压。4.如权利要求2所述的高速过流比较器，其特征在于，所述差分电压输入放大电路包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管和第六PMOS晶体管，第三PMOS晶体管的源极连接供电电压，第三PMOS晶体管的漏极连接第四PMOS晶体管的源极，第三PMOS晶体管的栅极与第一PMOS晶体管的栅极连接，第四PMOS晶体管的栅极与第二PMOS晶体管的栅极连接，这样将流经第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：迈巨微上海电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：