可调节温场的晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可调节温场的晶体生长装置。所述晶体生长装置包括生长容器和加热组件，所述生长容器包括壳体以及由壳体围合形成的生长室，所述加热组件与所述壳体导热配合，并用于对所述生长室进行加热；并且，所述可调节温场的晶体生长装置还包括：支撑组件，设置在所述壳体的外壁上，且所述支撑组件还与所述壳体导热配合并形成散热结构；保温组件，固定设置在所述支撑组件上，至少所述壳体的一部分被所述保温组件包裹。本实用新型专利技术直接对现有的生长容器进行改进，通过设置鳍片以及保温元件等改变了生长容器内的温度场，改进的成本低，且温度场的调节更加灵活方便。且温度场的调节更加灵活方便。且温度场的调节更加灵活方便。

【技术实现步骤摘要】
可调节温场的晶体生长装置


[0001]本技术特别涉及一种可调节温场的晶体生长装置，属于晶体生长


技术介绍

[0002]氮化铝(AlN)具有高禁带宽度(6.2eV)、高热导率(340W/(m
·
K))、高击穿场强(11.7MV/cm)、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底，如功率器件、深紫外发光二极管(DUV
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LEDs)、紫外激光器、传感器等。作为新型半导体材料，高质量的单晶生长及应用方面的探索还有待系统研究。
[0003]由于自然界没有有效的高质量AlN衬底，导致获取大尺寸且高质量的AlN单晶存在很大的挑战，物理气相传输法(PVT)具有生长速度快，晶体质量高以及可生长大块AlN晶体的优点，被认为是未来实现AlN晶体商业化的理想方法，轴向温度梯度和径向温度梯度是生长大尺寸AlN单晶的两个重要参数，其中轴向温度梯度是影响晶体生长速率和控制异质籽晶是否分解的关键参数，通过灵活控制轴向温度梯度可以调节晶体生长速率，还可以保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调节温场的晶体生长装置，包括生长容器和加热组件，所述生长容器包括壳体以及由壳体围合形成的生长室，所述加热组件与所述壳体导热配合，并用于对所述生长室进行加热；其特征在于，还包括：支撑组件，设置在所述壳体的外壁上，且所述支撑组件还与所述壳体导热配合并形成散热结构；保温组件，固定设置在所述支撑组件上，至少所述壳体的一部分被所述保温组件包裹。2.根据权利要求1所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：所述支撑组件包括多个导热的鳍片，多个鳍片沿所述生长容器的轴向方向依次间隔设置在所述壳体的外壁上。3.根据权利要求2所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：在所述生长容器的轴向方向和/或周向方向上，多个所述鳍片等间距分布或非等间距分布。4.根据权利要求3所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：任意两个所述鳍片的表面积和/或导热系数相同或不同。5.根据权利要求2或3所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：所述鳍片为沿所述生长容器的周向设置的环形构件或弧形构件。6.根据权利要求2或3所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：所述鳍片与所述壳体的一体设置，所述鳍片为所述壳体的局部沿径向方向凸伸形成。7.根据权利要求2或3所述的可调节温场的晶体生长装置，其特征在于：所述支撑组件还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾雄辉，李春鹏，王闯，王悦，周浩，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：