紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法技术

本发明专利技术涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以Al

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法


[0001]本专利技术涉及紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法。

技术介绍

[0002]灵活运用了氮化物类半导体材料的深紫外线用发光二极管，作为灭菌用光源从无汞、长寿命、精简化、轻量化、节能等角度而言，近年来期待其市场的扩大。然而，这些深紫外线用发光二极管用外延层，是将蓝宝石基板或AlN基板作为基底基板，利用氢化物气相生长(HVPE)法使AlN层生长(专利文献1)。在形成于晶格常数不同的蓝宝石或SiC等所谓晶格常数不同的材料基板上时，具有因晶格失配而导致产生缺陷、内量子效率下降而能量转换效率下降的倾向。另外，在波长短于250nm时，该影响变得更加显著。另外，晶格常数较接近的GaN单晶自立基板由其带隙而言为光吸收基板，会使外量子效率下降。AlN单晶自立基板虽非常有望用作高质量的外延用基板，但制造困难且为非常高价的材料。因此，在普及高输出、高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于所述平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及在所述晶种层上依次层叠生长以Al
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Ga1‑
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N为主要成分的第一导电型包覆层、AlGaN类活性层、及以Al
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Ga1‑
y
N为主要成分的第二导电型包覆层而成的外延层，其中，0.5＜x≤1、0.5＜y≤1。2.根据权利要求1所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述第一支撑基板由陶瓷核层与封装该陶瓷核层的杂质封装层构成，所述杂质封装层以SiO
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N
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的组成式表示，其中，x＝0～2、y＝0～1.5、x+y＞0。3.根据权利要求2所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述陶瓷核层以多晶AlN陶瓷为主要成分。4.根据权利要求1～3中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述平坦层由SiO2、氮氧化硅(Si
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O
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N
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)、Si及AlAs中的1种以上的材料构成。5.根据权利要求1～4中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述晶种层为Al
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Ga1‑
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N的单晶，其中，0.5＜X≤1。6.根据权利要求1～5中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述AlGaN类活性层以MQW结构形成，存在作为除Al、Ga、N以外的构成元素的In，所述In的比例小于1％。7.根据权利要求1～6中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述AlGaN类活性层的于25℃通入0.2A/mm2的电流时的发光光谱的峰值波长λp为短于235nm的波长。8.根据权利要求1～7中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述晶种层的带隙大于所述AlGaN类活性层的带隙。9.根据权利要求1～8中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，其特征在于，所述晶种层的外延生长面为C面。10.一种紫外线发光元件的制造方法，其特征在于，准备权利要求1～9中任一项所述的紫外线发光元件用外延晶圆，从所述第二导电型包覆层侧出发，将所述外延层的一部分至少去除至所述Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田雅人，石崎顺也，土屋庆太郎，久保田芳宏，川原实，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：