一种驱动控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体领域的驱动控制，具体为一种驱动控制电路，其能够显著的增强整个系统的稳定性和温度适应性，其包括运算放大器，运算放大器的正相输入端连接正温度系统电流源一端和电阻R1一端，正温度系统电流源另一端连接内部电源，正温度系统电流源的输出端连接MOS管M1的栅端，MOS管的漏端连接内部电源，MOS管的源端连接电阻R2一端、功率管Mpower的栅端、正温度系统电流源的反相输入端，电阻R1另一端、电阻R2另一端、功率管Mpower的源端均接地，功率管Mpower的漏端连接外部负载一端，外部负载另一端连接外部电源。外部负载另一端连接外部电源。外部负载另一端连接外部电源。

【技术实现步骤摘要】
一种驱动控制电路


[0001]本技术涉及半导体领域的驱动控制，具体为一种驱动控制电路。

技术介绍

[0002]在当今电气化的时代，社会对能源的需求与日俱增，大到工厂的设备运转，小到每个人使用的电子设备。在一些设备的供电时，需要保证供电的正常和减少功耗，增强绿色能源的利用率。
[0003]如在高压电源的供电下，个别系统需要具有一定的驱动能力的低压电源供电，使其在一个较低的电源里工作，从而减少整个系统功耗,同时保证低压电源系统不随高压电源供电系统的波动出现较大的波动，避免造成低压工作设备的异常，甚至损坏，从而使其整个系统都能安全稳定的工作，保证其寿命。
[0004]传统的半导体功率器件相同驱动电压差下，随温度上升，其等效电阻增大，整个系统的稳定性和温度适应性较差，如图1可见，随着环境温度的升高，功率管的Ron也上升，特别是高温，上升更快。

技术实现思路

[0005]为了解决现有系统的稳定性和温度适应性较差的问题，本技术提供了一种驱动控制电路，其能够显著的增强整个系统的稳定性和温度适应性。
[0006]其技术方案是这样的：一种驱动控制电路，其特征在于，其包括运算放大器，所述运算放大器的正相输入端连接正温度系统电流源一端和电阻R1一端，所述正温度系统电流源另一端连接内部电源，所述正温度系统电流源的输出端连接MOS管M1的栅端，所述MOS管的漏端连接所述内部电源，所述MOS管的源端连接电阻R2一端、功率管Mpower的栅端、所述正温度系统电流源的反相输入端，所述电阻R1另一端、电阻R2另一端、功率管Mpower的源端均接地，所述功率管Mpower的漏端连接外部负载一端，所述外部负载另一端连接外部电源。
[0007]采用本技术，正温度系统电流源、MOS管M1、电阻R2构成输出驱动缓冲器，在低温时，正温度系统电流源提供给驱动管的栅源电压差较小，随着温度升高到室温时，正温度系统电流源提供给驱动管的栅源电压差适中，在高温时, 正温度系统电流源提供给驱动管的栅源电压差较大，这样在整个温度范围内,通过合理的动态调整功率管的栅源电压差来保持功率管的等效电阻不变。
附图说明
[0008]图1为传统电容装置曲线图；
[0009]图2为功率管输出特性曲线图；
[0010]图3为本技术装置原理图；
[0011]图4为本技术的等效电阻图。
具体实施方式
[0012]见图3所示，一种驱动控制电路，其包括运算放大器，运算放大器的正相输入端连接正温度系统电流源一端和电阻R1一端，正温度系统电流源另一端连接内部电源，正温度系统电流源的输出端连接MOS管M1的栅端，MOS管M1的漏端连接内部电源，MOS管的源端连接电阻R2一端、功率管Mpower的栅端、正温度系统电流源的反相输入端，电阻R1另一端、电阻R2另一端、功率管Mpower的源端均接地，功率管Mpower的漏端连接外部负载一端，外部负载另一端连接外部电源。
[0013]功率管输出特性曲线图如图2所示，可见在可变电阻区，相同UD下，Ugs 越大，id越大。在低温时，提供给驱动管的栅源电压差为Ugs1；在室温时，提供给驱动管的栅源电压差为Ugs2；在高温时，提供给驱动管的栅源电压差为Ugs3；这样在整个温度范围内,保持功率管的等效电阻不变。
[0014]具体的，Iptcs为正温度系数电流源，R1为电阻，V1=Iptcs* R1提供一个正温度系数电压源，正温度系统电流源OP、MOS管M1、电阻R2构成输出驱动缓冲器，Mpower为功率管，Load表示外部负载。
[0015]在低温时，Iptcs电流较小，V1较小，提供给驱动管的栅源电压差较小；
[0016]随着温度升高到室温时，Iptcs电流适中，V1适中，提供给驱动管的栅源电压差适中；
[0017]在升高到高温时, Iptcs电流较大，V1较大，提供给驱动管的栅源电压差较大；
[0018]这样在整个温度范围内,通过合理的动态调整功率管的栅源电压差来保持功率管的等效电阻不变，具体见图4所示。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动控制电路，其特征在于，其包括运算放大器，所述运算放大器的正相输入端连接正温度系统电流源一端和电阻R1一端，所述正温度系统电流源另一端连接内部电源，所述正温度系统电流源的输出端连接MOS管M1的栅端，所述MOS管的漏端连接所述内部电源，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵祥桂，朱杰，
申请(专利权)人：杭州思泰微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：