带隙基准电路正常工作检测的标识电路制造技术

本申请公开了一种带隙基准电路正常工作检测的标识电路，包括：偏置电流源、带隙基准电路、第七至第九PMOS晶体管、以及第六和第七NMOS晶体管，带隙基准电路包括第三至第六PMOS晶体管、第三至第五NMOS晶体管、第二至第五电阻、以及第一和第二三极管。当电源电压低于基准电路的最低工作电压时，第三PMOS晶体管的电流减少，导致第六NMOS晶体管的漏极电流低于第七PMOS晶体管，输出指示信号通知系统。本申请能自适应温度和电源电压对输入对管和三极管的变化，从而给出准确的标识信号。从而给出准确的标识信号。从而给出准确的标识信号。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路正常工作检测的标识电路


[0001]本申请涉及集成电路
，特别涉及一种带隙基准电路正常工作检测的标识电路。

技术介绍

[0002]随着CMOS工艺的进步，集成电路已经发展到系统级芯片（System on chip，SOC）的阶段，由于CMOS电路的低成本，低功耗以及工作速度的不断提高，CMOS电路设计技术得到不断的进步，已经被证明是实现SOC的最好选择。带隙基准电路作为其中不可或缺的一个模块，一直以来是研究的热点，基准源是与电源、工艺、温度的关系很小，其精度及稳定性对系统有较大的影响。因此，需要对带隙基准电路做出监测，如果遇到极端条件，使得带隙基准电路精度受到影响时，需要及时发出指示信号，告知系统。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种带隙基准电路正常工作检测的标识电路，能自适应温度和电源电压对带隙基准电路中的输入对管和三极管的变化，从而给出准确的标识信号。
[0004]本申请公开了一种带隙基准电路正常工作检测的标识电路，包括：偏置电流源、带隙基准电路、第七PMOS晶体管、第七PMOS晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路正常工作检测的标识电路，其特征在于，包括：偏置电流源、带隙基准电路、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、以及第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管，所述带隙基准电路包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、以及第一三极管和第二三极管；其中，所述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第七PMOS晶体管的源极均耦合到电源，栅极均耦合到所述偏置电流源输出的偏置电压，所述第四PMOS晶体管的漏极耦合到所述第二电阻的一端和所述第五NMOS晶体管的漏极，所述第二电阻的另一端同时耦合到所述第三电阻和第四电阻的一端，所述第三电阻的另一端经由第五电阻耦合到所述第一三极管的发射极，所述第一三极管和第二三极管的基极和集电极均相连并耦合到地端，所述第五NMOS晶体管的栅极耦合到所述第四NMOS晶体管的漏极和第六PMOS晶体管的漏极，所述第四电阻的另一端耦合到所述第二三极管的发射极和所述第八PMOS晶体管的栅极，所述第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管的源极均耦合到所述第三PMOS晶体管的漏极，所述第五PMOS晶体管的漏极耦合到所述第三NMOS晶体管的漏极和栅极以及所述第四NMOS晶体管栅极，所述第三电阻和第五电阻之间的节点耦合到所述第五PMOS晶体管和第九PMOS晶体管的栅极，所述第八PMOS晶体管和第九PMOS晶体管的漏极均耦合到所述第七NMOS晶体管的漏极和栅极以及所述第六NMOS晶体管的栅极，所述第六NMOS晶体管的漏极耦合到所述第七PMOS晶体管的漏极，所述第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极均耦合到地端。2.如权利要求1所述的带隙基准电路正常工作检测的标识电路，其特征在于，所述偏置电流源包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管、以及第一电阻，其中，所述第一PMOS晶体管和第二P...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海灵动微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：