一种窄发光峰LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明专利技术的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。减小了光串扰。减小了光串扰。

【技术实现步骤摘要】
一种窄发光峰LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种窄发光峰LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管（LED）以节能、高效、寿命长等优势已逐渐成为照明和显示领域的主流技术，近年来随着微纳加工技术的不断发展，LED的尺寸进一步小型化，集成高密度像素发光单元的Micro
‑
LED。Micro
‑
LED具有功耗低、使用寿命长、响应度快、可视角度广的优势，在显示和可见光通讯中具有重要的应用潜力。
[0003]Micro
‑
LED的发光峰半高宽会影响显示色阈、色纯度，目前，常规Micro
‑
LED的发光半高宽达20 nm，为了提高Micro
‑
LED显示的显示阈值和色纯度等，需要进一步降低Micro
‑
LED的发光半高宽。Al
x
Ga
y
In
（1
‑
x
‑
y）
N作为Micro
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种窄发光峰LED芯片，包括P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极；其特征在于：在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、 P型半导体层的外侧壁上均设有介质滤波层，所述有源层的发光波长为λ0，介质滤波层在λ0±
Δλ的波长范围具有高透射性，Δλ≤10nm ，2Δλ为介质滤波层高透射范围宽度；在（λ0‑
Δλ）
‑
λ1&gt; 20 nm和λ2‑
（λ0+Δλ）&gt; 20 nm波长范围内具有高反射率，λ1和λ2分别是介质滤波层高反射率两边的边界波长。2.根据权利要求1所述的窄发光峰LED芯片，其特征在于：所述有源层是由Al
x
Ga
y
In
(1
‑
x
‑
y)
N半导体材料制备。3.根据权利要求1所述的窄发光峰LED芯片，其特征在于：所述有源层的发光波长λ
0 &gt;600 nm。4.根据权利要求1所述的窄发光峰LED芯片，其特征在于：所述LED芯片结构为垂直结构。5.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的窄发光峰LED芯片，其特征在于：所述介质滤波层是两种折射率不同的介质材料交替设置，介质滤波层结构为H（LH）
k
（HL）
k
H或（HL）
k
（LH）
k
； L为低折射率材料SiO2, H为高折射率材料SiN
x
或TiO2；介质滤波层中的每层介质材料的厚度为d=λ0/（4n），n为该层介质材料的折射率；k＝4
‑‑
20，k为介质滤波层的周期数。6.根据权利要求5所述的窄发光峰...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立，王伟，莫春兰，吴小明，蒋恺，李新华，刘志华，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：