一种背面SE结构制备方法技术

本申请公开了一种背面SE结构制备方法，属于太阳能电池领域，该方法包括：对衬底的背面的多晶硅层进行扩散，使杂质源中的杂质进入多晶硅层形成多晶硅掺杂层；进行激光辐照的同时通入氧气，在印刷电极栅线的区域将杂质推进多晶硅掺杂层形成重掺杂区域，并在推进杂质的同时在重掺杂区域背离衬底的表面形成氧化层；多晶硅掺杂层中未被推进杂质的区域为浅掺杂区域；在重掺杂区域形成氧化层后，采用腐蚀溶液去除衬底的正面绕镀的多晶硅层和杂质源；在去除绕镀的多晶硅层和杂质源后，在衬底的背面形成SE结构。本申请可以保护背面选择性掺杂区域在去正面多晶硅绕镀时不被腐蚀溶液腐蚀，从而提升电池的效率和良率。提升电池的效率和良率。提升电池的效率和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种背面SE结构制备方法


[0001]本申请涉及太阳能电池领域，特别涉及一种背面SE结构制备方法。

技术介绍

[0002]隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)其核心为超薄氧化硅和掺杂多晶硅的一种钝化结构，选择性使得多子可以穿过隧穿氧化层，对少子起阻挡作用，实现少子多子在背面空间分离，极大的减少复合；高掺杂的多晶硅也利于背面金属化，因此TOPCon电池在开压上有明显优势，是目前高效电池的热门研究之一。但是，由于背面需要高掺杂多晶硅匹配丝网金属化，导致长波较严重的寄生吸收，会严重影响短路电流，因此较N型钝化发射极背表面全扩散电池(Passivated Emitter Rear Totally
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diffused，PERT)短路电流有所降低。
[0003]目前的选择性发射极钝化接触太阳电池的制备方案，在背面的N+多晶硅掺杂层进行局部掺杂，形成N++重掺杂区；在N型硅片的正面和背面分别进行电极金属化时，背面电极套印在所述的N++重掺杂区上。此方案虽然简捷，但是在背面打完选择性发射极(Selective Emitter，SE)后，磷硅玻璃(Phosphorosilicate glass，PSG)层会被破坏，导致N++重掺杂区直接裸露。当形成N++重掺杂区后，直接通过碱溶液去除正面多晶硅时，会导致背面N++重掺杂区被碱溶液腐蚀而被破坏，从而严重影响电池的效率和良率。因此，如何提升电池的效率和良率，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。<br/>
技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种背面SE结构制备方法，从而提升电池的效率和良率。
[0005]为实现上述目的，本申请提供了一种背面SE结构制备方法，包括：
[0006]对衬底的背面的多晶硅层进行扩散，使杂质源中的杂质进入所述多晶硅层形成多晶硅掺杂层；
[0007]进行激光辐照的同时通入氧气，在印刷电极栅线的区域将所述杂质推进所述多晶硅掺杂层形成重掺杂区域，并在推进所述杂质的同时在所述重掺杂区域背离所述衬底的表面形成氧化层；所述多晶硅掺杂层中未被推进所述杂质的区域为浅掺杂区域；
[0008]在所述重掺杂区域形成所述氧化层后，采用腐蚀溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源；
[0009]在去除绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源后，在所述衬底的背面形成SE结构。
[0010]可选的，所述对衬底的背面的多晶硅层进行扩散前，包括：
[0011]在所述衬底的背面沉积隧穿氧化层；
[0012]在所述隧穿氧化层背离所述衬底的表面沉积本征非晶硅，并对所述本征非晶硅进行晶化形成所述多晶硅层。
[0013]可选的，在所述衬底的背面沉积隧穿氧化层前，还包括：
[0014]对所述衬底的背面进行抛光。
[0015]可选的，所述采用腐蚀溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源，包括：
[0016]采用碱体系溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层；
[0017]采用HF\HCL溶液去除所述杂质源。
[0018]可选的，在所述衬底的背面形成SE结构，包括：
[0019]在所述衬底的正面和背面沉积钝化层和减反射层；
[0020]在沉积完所述钝化层和所述减反射层后，在所述重掺杂区域印刷电极栅线以使所述电极栅线与所述重掺杂区域接触，形成SE结构。
[0021]可选的，在所述衬底的正面和背面沉积钝化层和减反射层，包括：
[0022]使用ALD设备在所述衬底的正面沉积氧化铝钝化层；
[0023]在沉积完所述氧化铝钝化层后，使用PEVCD设备在所述衬底的正面和背面沉积氮化硅减反射薄膜。
[0024]可选的，所述氧气的流量为300sccm
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1000sccm，且包括两端的值。
[0025]可选的，所述激光为绿光纳秒模式；所述激光的波长为450nm
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600nm，且包括两端的值；所述激光的掺杂频率为100kHz
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500kHz，且包括两端的值；所述激光的功率为30％
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100％，且包括两端的值。
[0026]可选的，当所述衬底为N型硅片时，所述杂质源为磷硅玻璃；所述杂质为磷原子；当所述衬底为P型硅片时，所述杂质源为硼硅玻璃；所述杂质为硼原子。
[0027]可选的，当所述衬底为N型硅片时，所述对衬底的背面的多晶硅层进行扩散前，包括：
[0028]对所述N型硅片的正面进行制绒；
[0029]对制绒后的所述N型硅片的正面进行硼扩散，使硼硅玻璃中的硼原子进入所述N型硅片。
[0030]本申请提供的一种背面SE结构制备方法，包括：对衬底的背面的多晶硅层进行扩散，使杂质源中的杂质进入所述多晶硅层形成多晶硅掺杂层；进行激光辐照的同时通入氧气，在印刷电极栅线的区域将所述杂质推进所述多晶硅掺杂层形成重掺杂区域，并在推进所述杂质的同时在所述重掺杂区域背离所述衬底的表面形成氧化层；所述多晶硅掺杂层中未被推进所述杂质的区域为浅掺杂区域；在所述重掺杂区域形成所述氧化层后，采用腐蚀溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源；在去除绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源后，在所述衬底的背面形成SE结构。
[0031]显然，本申请在背面激光选择性掺杂的同时通入氧气，在氧气的氛围下打激光，利用激光的瞬间高温，掺杂的同时在激光区域的表面生成一层氧化层作为保护层，此氧化层可以保护背面选择性掺杂区域在去正面多晶硅绕镀时不被腐蚀溶液腐蚀，从而提升电池的效率和良率；且由于无需增加其他工序设备(如链式热氧)单独制作氧化层保护膜，在保证效率提升的同时节约了成本。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0033]图1为本申请实施例提供的一种背面SE结构制备方法的流程图；
[0034]图2为本申请实施例提供的一种背面SE结构制备方法的流程示意图；
[0035]图3为本申请实施例提供的一种太阳能电池结构图。
具体实施方式
[0036]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]请参考图1，图1为本申请实施例提供的一种背面SE结构制备方法的流程图，该方法可以包括：
[0038]S101：对衬底的背面的多晶硅层进行扩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背面SE结构制备方法，其特征在于，包括：对衬底的背面的多晶硅层进行扩散，使杂质源中的杂质进入所述多晶硅层形成多晶硅掺杂层；进行激光辐照的同时通入氧气，在印刷电极栅线的区域将所述杂质推进所述多晶硅掺杂层形成重掺杂区域，并在推进所述杂质的同时在所述重掺杂区域背离所述衬底的表面形成氧化层；所述多晶硅掺杂层中未被推进所述杂质的区域为浅掺杂区域；在所述重掺杂区域形成所述氧化层后，采用腐蚀溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源；在去除绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源后，在所述衬底的背面形成SE结构。2.根据权利要求1所述的背面SE结构制备方法，其特征在于，所述对衬底的背面的多晶硅层进行扩散前，包括：在所述衬底的背面沉积隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层背离所述衬底的表面沉积本征非晶硅，并对所述本征非晶硅进行晶化形成所述多晶硅层。3.根据权利要求2所述的背面SE结构制备方法，其特征在于，在所述衬底的背面沉积隧穿氧化层前，还包括：对所述衬底的背面进行抛光。4.根据权利要求1所述的背面SE结构制备方法，其特征在于，所述采用腐蚀溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层和所述杂质源，包括：采用碱体系溶液去除所述衬底的正面绕镀的所述多晶硅层；采用HF\HCL溶液去除所述杂质源。5.根据权利要求1所述的背面SE结构制备方法，其特征在于，在所述衬底的背面形成SE结构，包括：在所述衬底的正面和背面沉积钝化层和减反射层；在沉积完所述钝化层和所述减反射层后，在所述重...

【专利技术属性】
技术研发人员：何帅，付少剑，张明明，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：