一种BSIM-IMG噪声模型优化方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种BSIM

【技术实现步骤摘要】
一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法及装置


[0001]本申请涉及器件提参建模
，具体涉及一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法及装置。

技术介绍

[0002]随着集成电路的核心MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金属
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氧化物半导体场效应晶体管)器件特征的不断缩小，传统的体硅器件已经到达了物理极限。FDSOI(Fully Depleted Silicon
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On
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Insulator，全耗尽绝缘体上硅)MOSFET器件比起传统的MOSFET器件，有漏电流更小、电压阈值可调等优势，应用前景良好。
[0003]FDSOI MOSFET器件的模型为BSIM
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IMG(Berkeley Short
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channel IGFET Model
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Independent Multi
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Gate，伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型
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独立多栅)模型，随着器件尺寸越来越小，低频噪声对模型仿真结果的影响变得不可忽略。目前，BSIM
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IMG噪声模型基于1/f噪声随着背栅电压的增大而单调增大来进行模型仿真，存在BSIM
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IMG噪声模型仿真准确率较低的问题。
专利技术内容
[0004]有鉴于此，本申请提供一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法及装置，优化后的BSIM
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IMG噪声模型考虑了背栅电压对1/f噪声的影响，能够有效提高模型仿真准确率。
[0005]为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请提供一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法，所述方法包括：添加FDSOI MOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数，所述沟道背界面参数包括NOIA2陷阱密度参数、NOIB2陷阱密度参数、NOIC2陷阱密度参数以及界面陷阱参数，所述载流子分布参数包括载流子分布峰值；根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型。
[0007]基于实施例提供的方案，背栅电压影响沟道背界面参数和载流子分布参数，进而影响1/f噪声的大小，基于沟道背界面参数和载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，优化后的BSIM
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IMG噪声模型能够更准确的对1/f噪声进行仿真，提高了BSIM
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IMG噪声模型仿真准确率。
[0008]在一种可能实现的方式中，所述根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型，包括：
[0009]根据所述NOIA2陷阱密度参数、所述NOIB2陷阱密度参数、所述NOIC2陷阱密度参数、所述界面陷阱参数以及所述载流子分布峰值计算噪声电流功率谱密度，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型，所述噪声电流功率谱密度用于表征1/f噪声参数的大小。
[0010]在一种可能实现的方式中，所述方法还包括：
[0011]基于所述噪声电流功率谱密度确定噪声电压功率谱密度。
[0012]在一种可能实现的方式中，在所述添加FDSOI MOSFET器件的沟道背界面参数和载
流子分布参数之前，所述方法还包括：
[0013]利用硅器件建模软件提取所述优化后的BSIM
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IMG噪声模型的I
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V特性参数；
[0014]根据所述I
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V特性参数确定完成I
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V特性拟合。
[0015]在一种可能实现的方式中，所述FDSOI MOSFET器件为22nm。
[0016]第二方面，本申请提供一种BSIM
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IMG噪声模型优化装置，所述装置包括：
[0017]添加模块，用于添加FDSOI MOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数所述沟道背界面参数包括NOIA2陷阱密度参数、NOIB2陷阱密度参数、NOIC2陷阱密度参数以及界面陷阱参数，所述载流子分布参数包括载流子分布峰值；
[0018]优化模块，用于基于所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型。
[0019]在一种可能实现的方式中，所述优化模块，具体用于：根据所述NOIA2陷阱密度参数、所述NOIB2陷阱密度参数、所述NOIC2陷阱密度参数、所述界面陷阱参数以及所述载流子分布峰值计算噪声电流功率谱密度，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型，所述噪声电流功率谱密度用于表征1/f噪声参数的大小。
[0020]在一种可能实现的方式中，所述装置还包括：
[0021]确定模块，用于基于所述噪声电流功率谱密度确定噪声电压功率谱密度。
[0022]在一种可能实现的方式中，在所述添加FDSOI MOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数之前，所述装置还包括：
[0023]提取模块，用于利用硅器件建模软件提取所述优化后的BSIM
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IMG噪声模型的I
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V特性参数；
[0024]确定模块，还用于根据所述I
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V特性参数确定完成I
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V特性拟合。
[0025]在一种可能实现的方式中，所述FDSOI MOSFET器件为22nm。
[0026]第三方面，本申请提供一种BSIM
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IMG噪声模型优化设备，包括：处理器、存储器、系统总线；
[0027]所述处理器以及所述存储器通过所述系统总线相连；
[0028]所述存储器用于存储一个或多个程序，所述一个或多个程序包括指令，所述指令当被所述处理器执行时使所述处理器执行上述第一方面所述的BSIM
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IMG噪声模型优化方法。
[0029]第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储指令，当所述指令在设备上运行时，使得所述设备执行上述第一方面所述的BSIM
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IMG噪声模型优化方法。
[0030]由此可见，本申请具有如下有益效果：
[0031]本申请提供一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法，首先添加FDSOI MOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数，所述沟道背界面参数包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BSIM
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IMG噪声模型优化方法，其特征在于，所述方法包括：添加FDSOIMOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数，所述沟道背界面参数包括NOIA2陷阱密度参数、NOIB2陷阱密度参数、NOIC2陷阱密度参数以及界面陷阱参数，所述载流子分布参数包括载流子分布峰值；根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM
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IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型，包括：根据所述NOIA2陷阱密度参数、所述NOIB2陷阱密度参数、所述NOIC2陷阱密度参数、所述界面陷阱参数以及所述载流子分布峰值计算噪声电流功率谱密度，得到优化后的BSIM
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IMG噪声模型，所述噪声电流功率谱密度用于表征1/f噪声参数的大小。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：基于所述噪声电流功率谱密度确定噪声电压功率谱密度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述添加FDSOIMOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数之前，所述方法还包括：利用硅器件建模软件提取所述优化后的BSIM
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IMG噪声模型的I
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V特性参数；根据所述I
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V特性参数确定完成I
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V特性拟合。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FDSOI MOSFET器件为22nm。6.一种BSIM...

【专利技术属性】
技术研发人员：李子韩，卜建辉，张心怡，王可为，李博，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：