本发明专利技术公开一种电容器结构，包括：第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。本发明专利技术中进行堆叠或层叠的组合，并且将这些电容器结构进行并联设置，从而可以得到具有更大电容值的电容器结构或半导体装置。的电容器结构或半导体装置。的电容器结构或半导体装置。
【技术实现步骤摘要】
电容器结构和半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种电容器结构和半导体装置。
技术介绍
[0002]半导体装置(或器件)广泛应用于各种电子应用中，例如个人计算机、移动电话、数码相机和其他电子设备。作为半导体工业取得进步的结果，需要比上一代半导体装置占据更少空间的更小的半导体装置。
[0003]然而，尽管现有的半导体装置总体上满足要求，但它们并未在各个方面都令人满意。例如，虽然晶体管和电阻器等电子元件的尺寸越来越小，但由于其物理特性，电容器仍需要比其他电子元件占用更多空间。这对半导体装置的(尺寸)缩小是不利的。因此，需要对半导体装置进行进一步改进。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种电容器结构和半导体装置，以解决上述问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，公开一种电容器结构，包括：
[0006]第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；
[0007]第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；
[0008]底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。
[0009]绝缘层，设置于该底部电极之上；以及
[0010]顶部电极，设置于该绝缘层上。
[0011]根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体装置，包括：r/>[0012]第一电容器结构，设置在基板之上，并且该第一电容器结构包括：第一梳形电极；以及第二梳状电极，与该第一梳状电极相邻；
[0013]电介质材料，设置在该第一电容器结构之上；以及
[0014]第二电容器结构，设置在该介电材料上，并且该第二电容器结构包括：底部电极，包括由介电材料隔开的第一部分、第二部分和第三部分，其中第一部分和第三部分电耦接到第一电容器结构；绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。
[0015]根据本专利技术的第三方面，公开一种半导体装置，包括：
[0016]底部电极，设置在基板之上；
[0017]绝缘层，设置于该底部电极之上；
[0018]顶部电极，设置于该绝缘层之上；
[0019]介电材料，覆盖该顶部电极；
[0020]第一梳状电极，配置于该介电材料上且电性耦接至该顶部电极，其中该第一梳状电极具有第一接垫以及连接至该第一接垫的第一指状物；以及
[0021]第二梳状电极，设置于该介电材料上且电性耦接至该底部电极，其中该第二梳状电极具有第二接垫及连接至该第二接垫的第二指状物，
[0022]其中该介电材料在该第一指状物和该第二指状物之间延伸。
[0023]本专利技术的电容器结构由于包括：第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。本专利技术中将梳状电容器结构与板状电容器结构进行堆叠或层叠的组合，并且将这些电容器结构进行并联设置，从而可以得到具有更大电容值的电容器结构或半导体装置，并且由于采用堆叠或层叠的结构，因此避免了占用过多的横向面积或尺寸，因此可以在不增加设计面积的情况下增加电容器结构和半导体装置的电容值。
附图说明
[0024]图1是根据一些实施例的示例性半导体装置的剖视图。
[0025]图2是根据一些实施例的图1的示例性半导体装置的一部分的俯视图。
[0026]图3是根据一些实施例的图1的示例性半导体装置的一部分的俯视图。
[0027]图4是根据一些实施例的示例性半导体装置的一部分的俯视图。
[0028]图5A是根据一些实施例的图4的示例性半导体装置的一部分的剖视图。
[0029]图5B是根据一些实施例的图4的示例性半导体装置的一部分的剖视图。
[0030]图6是根据一些实施例的示例性半导体装置的剖视图。
[0031]图7是根据一些实施例的示例性半导体装置的剖视图。
具体实施方式
[0032]在下面对本专利技术的实施例的详细描述中，参考了附图，这些附图构成了本专利技术的一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了可以实践本专利技术的特定的优选实施例。对这些实施例进行了足够详细的描述，以使本领域技术人员能够实践它们，并且应当理解，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行机械，结构和程序上的改变。本专利技术。因此，以下详细描述不应被理解为限制性的，并且本专利技术的实施例的范围仅由所附权利要求限定。
[0033]将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用于描述各种组件、组件、区域、层和/或部分，但是这些组件、组件、区域、这些层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一或主要组件、组件、区域、层或部分可以称为第二或次要组件、组件、区域、层或部分。
[0034]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...之下”、“在...下”、“在...上方”、“在...之上”之类的空间相对术语，以便于描述一个组件或特征与之的关系。如图所示的另一组件或特征。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或运行中的不同方位。该设备可以以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，
并且在此使用的空间相对描述语可以同样地被相应地解释。另外，还将理解的是，当“层”被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。
[0035]术语“大约”、“大致”和“约”通常表示规定值的
±
20％、或所述规定值的
±
10％、或所述规定值的
±
5％、或所述规定值的
±
3％、或规定值的
±
2％、或规定值的
±
1％、或规定值的
±
0.5％的范围内。本专利技术的规定值是近似值。当没有具体描述时，所述规定值包括“大约”、“大致”和“约”的含义。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数术语“一”，“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术构思。如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0036]将理解的是，当将“组件本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电容器结构，其特征在于，包括：第一梳状电极，具有第一接垫及第一指状物，该第一梳状电极连接至该第一接垫；第二梳状电极，具有第二接垫及第二指状物，该第二指状物连接至该第二接垫，其中一个第二指状物配置于相邻的两个第一指状物之间；底部电极，包括间隔开的第一部分、第二部分及第三部分，其中该第一部分及该第三部分分别电性耦接至该第一梳状电极及该第二梳状电极。绝缘层，设置于该底部电极之上；以及顶部电极，设置于该绝缘层上。2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括介电材料，将该第一梳状电极与该第二梳状电极隔开。3.如权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，该第一部分、该第二部分与该第三部分由该介电材料隔开。4.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括：第三梳状电极，设置于该第一梳状电极下方，该第三梳状电极具有第三接垫及连接于该第三接垫的第三指状物；第四梳状电极，配置于第一梳状电极下方，该第四梳状电极具有第四接垫及连接该第四接垫的第四指状物，其中一个第四指状物配置于相邻的两个第三指状物之间。5.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，该第三接垫基本上平行于该第一接垫，该第四接垫基本上平行于该第二接垫。6.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，该第三接垫基本上平行于该第一指状物，该第四接垫基本上平行于该第二指状物。7.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括：第三梳状电极，设置于该顶部电极上方，该第三梳状电极具有第三接垫以及连接于该第三接垫的第三指状物；第四梳状电极，设置于该顶部电极上方，该第四梳状电极具有第四接垫以及连接于该第四接垫的第四指状物，其中该第四指状物的其中之一设置于相邻的两个第三指状物之间。8.如权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，该底部电极的该第一部分与该第三部分分别电性耦接该第三梳状电极与该第四梳状电极。9.如权利要求7所述的电容器结构，其特征在于，还包括：第五梳状电极，设置于该第三梳状电极之上，该第五梳状电极具有第五接垫及连接于该第五接垫的第五指状物；以及第六梳状电极，配置于该第三梳状电极之上，该第六梳状电极具有第六接垫及连接于该第六接垫的第六指状物，其中一个第六指状物配置于两个相邻的第五指状物之间。10.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，该第五接垫基本上平行于该第三接垫，该第六接垫基本上平行于该第四接垫。11.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，该第五接垫基本上平行于该第三指状物，该第六接垫基本上平行于该第四指状物。12.一种半导体装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：温哲民，林振华，冉景涵，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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