包含硼硅酸盐玻璃的喷嘴板制造技术

本发明专利技术公开了一种喷嘴板，所述喷嘴板在基座处限定了至少一个喷嘴连接至喷嘴板，其中所述至少一个喷嘴具有高度和顶部，所述顶部具有内部宽度和外部宽度，其中所述高度与所述内部宽度的比率大于5，并且其中所述喷嘴板包括硼硅酸盐玻璃。所述喷嘴板经由下面的方法形成：提供具有表面的硅晶片；提供具有表面的硼硅酸盐玻璃晶片；刻蚀硅晶片表面以在表面中形成多个沟槽；将硅晶片的经蚀刻表面阳极连接至硼硅酸盐玻璃晶片表面以形成双层复合材料；在至少约750℃的温度下加热所述双层复合材料；和使硅晶片从硼硅酸盐玻璃释放以形成所述喷嘴板。硅晶片从硼硅酸盐玻璃释放以形成所述喷嘴板。硅晶片从硼硅酸盐玻璃释放以形成所述喷嘴板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含硼硅酸盐玻璃的喷嘴板
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年9月28日提交的美国临时申请第63/084,410号的权益，该临时申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及喷嘴板、形成该板的方法以及使用该喷嘴板喷射流体材料的方法。更具体而言，所述喷嘴板包括硼硅酸盐玻璃和至少一个具有高纵横比的用于喷射流体材料的喷嘴，所述流体材料在接触基材之前不会破散(破裂)成单个液滴。

技术介绍

[0004]硅工业建立在用于许多应用的构造为晶片形状的硅晶体的极度均匀性、化学性能和机械强度之上。硅可能是产生诸如晶体管的电子结构体的理想基材。例如，薄化硅集成电路基材现已成为一种常见的保持摩尔定律确立的趋势并满足消费应用所需的封装形状因子(外型尺寸)的工艺方法。薄化的硅晶片可用于独立的薄外形因子封装或与其他薄化的硅器件晶片组合使用以产生三维结构。然而，薄化的硅晶片非常难以处置并且通常需要使用通过临时连接方法附接的载体基材作为处置的辅助。
[0005]关于直接印刷领域，存在使用压电喷墨印刷工艺的若干应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种喷嘴板，所述喷嘴板在基座处限定了至少一个喷嘴连接至喷嘴板，其中所述至少一个喷嘴具有高度和顶部，所述顶部具有内部宽度和外部宽度，其中所述高度与所述内部宽度的比率大于5，并且其中所述喷嘴板包括硼硅酸盐玻璃。2.根据权利要求1所述的喷嘴板，其中所述高度与所述内部宽度的比率为约8至约10。3.根据权利要求1或2所述的喷嘴板，其中所述顶部近似地为圆形，使得所述内部宽度近似地定义为内径并且所述外部宽度近似地定义为外径。4.根据权利要求3所述的喷嘴板，其中所述内径为约0.03mm至约0.12mm。5.根据前述权利要求中任一项所述的喷嘴板，其中所述喷嘴板主要由硼硅酸盐玻璃组成。6.根据前述权利要求中任一项所述的喷嘴板，其中所述喷嘴板由硼硅酸盐玻璃组成。7.一种用于分配流体材料的涂布装置，所述涂布装置包括：根据权利要求1
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6中任一项所述的喷嘴板；可操作地附接至所述喷嘴板的定位机构，其中所述定位机构适于以多个自由度操作；至少一个可操作地联接至所述喷嘴板并联接至流体材料供应的流体分配导管，其中所述流体材料经由所述喷嘴板分配；和可操作地联接至所述定位机构的控制机构，其中所述控制机构适于控制所述定位机构以定位所述喷嘴板并且其中所述控制机构确定流体材料向所述喷嘴板的流动。8.一种制造喷嘴板的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有表面的硅晶片；提供具有表面的硼硅酸盐玻璃晶片；刻蚀硅晶片表面以在表面中形成多个沟槽；将硅晶片的经蚀刻表面阳极连接至硼硅酸盐玻璃晶片表面以形成双层复合材料；在至少约750℃的温度下加热所述双层复合材料以将硼硅酸盐玻璃晶片软化至熔融状态，使得熔融...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰，
申请(专利权)人：艾仕得涂料系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：