氧分子的除去方法和一氧化碳的纯化方法技术

本发明专利技术提供一种能够得到高纯度的一氧化碳的一氧化碳纯化方法。在催化剂制备工序中，通过在加热处理容器内对铂催化剂进行加热处理，从铂催化剂中去除水分。进行该加热处理直至供给至加热处理容器内并用于加热处理后从加热处理容器排出的非活性气体所含有的水分的浓度小于1000体积ppm。在氧分子除去工序中，使含一氧化碳气体与铂催化剂接触，从含一氧化碳气体中除去氧分子，得到氧分子除去后气体。在二氧化碳除去工序中，使用二氧化碳吸附剂将二氧化碳从氧分子除去后气体中去除，得到二氧化碳除去后气体。在变压吸附工序中，通过变压吸附法从二氧化碳除去后气体中回收一氧化碳，得到纯度为99.95体积％以上的纯化一氧化碳。得到纯度为99.95体积％以上的纯化一氧化碳。得到纯度为99.95体积％以上的纯化一氧化碳。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧分子的除去方法和一氧化碳的纯化方法


[0001]本专利技术涉及氧分子的除去方法和一氧化碳的纯化方法。

技术介绍

[0002]一氧化碳(CO)在制造NAND型闪存等非易失性存储器的硅半导体时的干蚀刻工序中被用作添加气体，但对于该用途的一氧化碳要求99.99体积％左右的高纯度。
[0003]作为一氧化碳的纯化方法，通常采用变压吸附法(PSA法：Pressure Swing Adsorption法)。例如在专利文献1、2中，公开了通过使用在氧化铝、活性炭等载体上负载氯化亚铜(CuCl)而形成的变压吸附剂的变压吸附法来纯化一氧化碳的方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利公报第5578608号
[0007]专利文献2：日本专利公报第5875111号
[0008]专利文献3：国际公开第2019/171882号

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的问题
[0010]但是，如果变压吸附剂中含有的氯化亚铜与氧分子(O2)反应而被氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧分子的除去方法，其具备以下工序：催化剂制备工序，该工序在压力被保持为低于大气压的加热处理容器内放置含有铂的铂催化剂，一边向该加热处理容器供给非活性气体并使其通过，一边在所述加热处理容器内对所述铂催化剂进行加热处理，由此从所述铂催化剂中去除所述铂催化剂所含有的水分，进行所述加热处理直至供给至所述加热处理容器内并用于所述加热处理后从所述加热处理容器排出的所述非活性气体所含有的水分的浓度小于1000体积ppm；和氧分子除去工序，该工序使含有一氧化碳和作为杂质的氧分子且所述一氧化碳的浓度为10体积％以上、水分的浓度小于1000体积ppm的含一氧化碳气体与在所述催化剂制备工序中实施了所述加热处理的所述铂催化剂接触，从所述含一氧化碳气体中除去所述氧分子，得到所述氧分子的浓度被降低的氧分子除去后气体。2.根据权利要求1所述的氧分子的除去方法，所述含一氧化碳气体中含有的所述氧分子的浓度小于2000体积ppm。3.根据权利要求1或2所述的氧分子的除去方法，所述含一氧化碳气体还含有选自氢分子、氮分子、二氧化碳、氩、氦和甲烷中的至少1种。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧分子的除去方法，在所述氧分子除去工序中，将所述氧分子除去后气体中含有的所述氧分子的浓度降低至小于1体积ppm。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧分子的除去方法，在所述氧分子除去工序中，向填充有实施了所述加热处理的所述铂催化剂的反应管中导入所述含一氧化碳气体并使其通过，所述将含一氧化碳气体导入所述反应管中的速度以空间速度计为500/h以上且1500/h以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧分子的除去方法，所述催化剂制备工序中的所述加热处理的压力条件为
‑
0.09MPaG以上且
‑
0.01MPaG以下，温度条件为150℃以上且300℃以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：河内大知，窦君，加贺一有，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：