一种正交混频器芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种正交混频器芯片，射频信号从射频信号输入端口输入，经过射频功分器单元分成两路幅度和相位相同的信号，并分别输入两个双平衡混频器单元；本振信号从本振信号输入端口输入，本振驱动放大器单元将输入的本振信号的功率进行放大，并输入本振90

【技术实现步骤摘要】
一种正交混频器芯片


[0001]本专利技术涉及雷达信号处理领域，更具体地，涉及一种正交混频器芯片。

技术介绍

[0002]在过去的几十年里，全固态有源相控阵雷达技术得到了快速发展，人们对于相控阵雷达中变频组件也更加关注，与此同时，对于高性能小尺寸的变频组件的需求也日益提升。而作为变频组件的关键模块，正交混频器电路由于其工作状态及技术指标较多，成为了变频组件中设计难度及设计成本较高的电路之一，其中对于正交混频器的隔离度和正交性设计尤为重要。作为现有技术，CN213521864U公开了一种射频信号接收芯片的混频器电路，CN102522952A公开了一种谐波抑制混频器和GSM射频芯片。但目前的正交混频器电路存在边带抑制度和镜像抑制度低、信号隔离度和谐波抑制度差等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种正交混频器芯片，能够解决边带抑制度和镜像抑制度低、信号隔离度和谐波抑制度差等问题。
[0004]为解决上述问题至少之一，本专利技术的一个方面提供一种正交混频器芯片，包括射频功分器单元、第一双平衡混频器单元、第二双平衡混频器单元、本振90
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电桥单元、本振驱动放大器单元、射频信号输入端口、本振信号输入端口、第一～第四中频信号输出端口；射频信号从所述射频信号输入端口输入，所述射频功分器单元用于将输入的射频信号分成两路幅度和相位相同的信号，并分别输入所述第一和第二双平衡混频器单元的射频输入端口；本振信号从所述本振信号输入端口输入，所述本振驱动放大器单元用于将输入的本振信号的功率进行放大，并输入所述本振90
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电桥单元，以驱动所述第一和第二双平衡混频器单元，所述本振90
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电桥单元用于将由所述本振驱动放大器单元放大后的本振信号分成两路幅度相同、相位正交的信号，并分别输入所述第一和第二双平衡混频器单元的本振输入端口；所述第一和第二双平衡混频器单元用于将本振信号与射频信号进行频率混合，并分别输出两路幅度相同、相位相反的中频信号，其中，所述第一双平衡混频器单元输出相位相反的第一和第二中频信号，分别从所述第一和第二中频信号输出端口输出，所述第二双平衡混频器单元输出相位相反的第三和第四中频信号，分别从所述第三和第四中频信号输出端口输出。
[0005]优选地，所述第一和第二双平衡混频器单元的结构相同，包括第一巴伦、第二巴伦、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第三肖特基二极管、第四肖特基二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容，其中，所述第一巴伦第一端口作为所述第一和第二双平衡混频器单元的射频输入
端口；所述第一巴伦第二端口与所述第一电容第一端口相连接；所述第一电容第二端口与地相连接；所述第一巴伦第三端口与所述第一肖特基二极管第一端口及所述第二肖特基二极管第二端口相连接；所述第一巴伦第四端口与所述第三肖特基二极管第一端口及所述第四肖特基二极管第二端口相连接；所述第一巴伦第五端口与所述第二电容第一端口相连接，并作为所述第一和第二双平衡混频器单元的第一中频输出端口；所述第二电容第二端口与地相连接；所述第二巴伦第一端口作为所述第一和第二双平衡混频器单元的本振输入端口；所述第二巴伦第二端口与所述第三电容第一端口相连接；所述第三电容第二端口与地相连接；所述第二巴伦第三端口与所述第二肖特基二极管第一端口及所述第三肖特基二极管第二端口相连接；所述第二巴伦第四端口与所述第四肖特基二极管第一端口及所述第一肖特基二极管第二端口相连接；所述第二巴伦第五端口与所述第四电容第一端口相连接，并作为所述第一和第二双平衡混频器单元的第二中频输出端口；所述第四电容第二端口与地相连接。
[0006]优选地，所述第一双平衡混频器单元的射频输入端口与所述射频功分器单元的第一输出端相连接；所述第一双平衡混频器单元的本振输入端口与所述本振90
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电桥单元的第一输出端相连接；所述第一双平衡混频器单元的第一中频输出端口与所述第一中频信号输出端口相连接；所述第一双平衡混频器单元的第二中频输出端口与所述第二中频信号输出端口相连接；所述第二双平衡混频器单元的射频输入端口与所述射频功分器单元的第二输出端相连接；所述第二双平衡混频器单元的本振输入端口与所述本振90
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电桥单元的第二输出端相连接；所述第二双平衡混频器单元的第一中频输出端口与所述第三中频信号输出端口相连接；所述第一双平衡混频器单元的第二中频输出端口与所述第四中频信号输出端口相连接。
[0007]优选地，所述本振90
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电桥单元包括第三λ/4微带线、第四λ/4微带线、第五λ/4微带线、第六λ/4微带线和第二电阻，其中，所述第三λ/4微带线第一端与所述第五λ/4微带线第一端相连接，并作为所述本振90
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电桥单元的输入端；所述第三λ/4微带线第二端与所述第五λ/4微带线第二端相连接，并作为所述本振90
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电桥单元的第一输出端；所述第四λ/4微带线第一端与所述第六λ/4微带线第一端相连接，并作为本振90
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电桥单元的第二输出端；所述第四λ/4微带线第二端与所述第六λ/4微带线第二端及第二电阻第一端相连接；所述第二电阻第一端与地相连接。
[0008]优选地，所述本振90
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电桥单元的输入端与所述本振驱动放大器单元的输出端口相连接；所述本振90
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电桥单元的第一输出端与所述第一双平衡混频器单元的本振输入端口相连接；所述本振90
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电桥单元的第二输出端与所述第二双平衡混频器单元的本振输入端口相连接。
[0009]优选地，所述射频功分器单元包括第一λ/4微带线、第二λ/4微带线和第一电阻，其中，所述第一λ/4微带线第一端与第二λ/4微带线第一端相连接，并作为射频功分器单元的输入端；所述第一λ/4微带线第二端与第一电阻第一端相连接，并作为射频功分器单元的第一输出端；所述第二λ/4微带线第二端与第一电阻第二端相连接，并作为射频功分器单元的第二输出端。
[0010]优选地，所述射频功分器单元的输入端与所述射频信号输入端口相连接；所述射频功分器单元的第一输出端与第一双平衡混频器单元的射频输入端口相连接；所述射频功分器单元的第二输出端与第二双平衡混频器单元的射频输入端口相连接。
[0011]优选地，所述本振驱动放大器单元包括第一晶体管、第二晶体管、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感、第七电感、第八电感、第三电阻、第四电阻，所述第五电容第一端作为本振驱动放大器单元的输入端口；所述第五电容第二端与第一电感第一端、第二电感第一端及第六电容第一端相连接；所述第一电感第二端与地相连接；所述第六电容第二端与地相连接；所述第二电感第二端与第四电阻第一端及第一晶体管栅极相连接；所述第一晶体管源极与第七电容第一端及第三电阻第一端相连接；所述第七电容第二端与地相连接；第三电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正交混频器芯片，其特征在于，包括射频功分器单元、第一双平衡混频器单元、第二双平衡混频器单元、本振90
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电桥单元、本振驱动放大器单元、射频信号输入端口、本振信号输入端口、第一～第四中频信号输出端口；射频信号从所述射频信号输入端口输入，所述射频功分器单元用于将输入的射频信号分成两路幅度和相位相同的信号，并分别输入所述第一和第二双平衡混频器单元的射频输入端口；本振信号从所述本振信号输入端口输入，所述本振驱动放大器单元用于将输入的本振信号的功率进行放大，并输入所述本振90
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电桥单元，以驱动所述第一和第二双平衡混频器单元，所述本振90
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电桥单元用于将由所述本振驱动放大器单元放大后的本振信号分成两路幅度相同、相位正交的信号，并分别输入所述第一和第二双平衡混频器单元的本振输入端口；所述第一和第二双平衡混频器单元用于将本振信号与射频信号进行频率混合，并分别输出两路幅度相同、相位相反的中频信号，其中，所述第一双平衡混频器单元输出相位相反的第一和第二中频信号，分别从所述第一和第二中频信号输出端口输出，所述第二双平衡混频器单元输出相位相反的第三和第四中频信号，分别从所述第三和第四中频信号输出端口输出。2.根据权利要求1所述的正交混频器芯片，其特征在于，所述第一和第二双平衡混频器单元的结构相同，包括第一巴伦、第二巴伦、第一肖特基二极管、第二肖特基二极管、第三肖特基二极管、第四肖特基二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容，其中，所述第一巴伦第一端口作为所述第一和第二双平衡混频器单元的射频输入端口；所述第一巴伦第二端口与所述第一电容第一端口相连接；所述第一电容第二端口与地相连接；所述第一巴伦第三端口与所述第一肖特基二极管第一端口及所述第二肖特基二极管第二端口相连接；所述第一巴伦第四端口与所述第三肖特基二极管第一端口及所述第四肖特基二极管第二端口相连接；所述第一巴伦第五端口与所述第二电容第一端口相连接，并作为所述第一和第二双平衡混频器单元的第一中频输出端口；所述第二电容第二端口与地相连接；所述第二巴伦第一端口作为所述第一和第二双平衡混频器单元的本振输入端口；所述第二巴伦第二端口与所述第三电容第一端口相连接；所述第三电容第二端口与地相连接；所述第二巴伦第三端口与所述第二肖特基二极管第一端口及所述第三肖特基二极管第二端口相连接；所述第二巴伦第四端口与所述第四肖特基二极管第一端口及所述第一肖特基二极管第二端口相连接；所述第二巴伦第五端口与所述第四电容第一端口相连接，并作为所述第一和第二双平衡混频器单元的第二中频输出端口；所述第四电容第二端口与地相连接。3.根据权利要求2所述的正交混频器芯片，其特征在于，所述第一双平衡混频器单元的射频输入端口与所述射频功分器单元的第一输出端相连接；所述第一双平衡混频器单元的本振输入端口与所述本振90
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电桥单元的第一输出端相连接；所述第一双平衡混频器单元的第一中频输出端口与所述第一中频信号输出端口相连接；所述第一双平衡混频器单元的第二中频输出端口与所述第二中频信号输出端口相连
接；所述第二双平衡混频器单元的射频输入端口与所述射频功分器单元的第二输出端相连接；所述第二双平衡混频器单元的本振输入端口与所述本振90
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电桥单元的第二输出端相连接；所述第二双平衡混频器单元的第一中频输出端口与所述第三中频信号输出端口相连接；所述第一双平衡混频器单元的第二中频输出端口与所述第四中频信号输出端口相连接。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的正交混频器芯片，其特征在于，所述本振90
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电桥单元包括第三λ/4微带线、第四λ/4微带线、第五λ/4微带线、第六λ/4微带线和第二电阻，其中，所述第三λ/4微带线第一端与所述第五λ/4微带线第一端相连接，并作为所述本振90
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电桥单元的输入端；所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：万祥，蔡琛，罗强，郝迦琛，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：