利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，包括依次叠层设置的上端板、上垫片、上集流板、上绝缘垫圈、PTFE隔膜、下绝缘垫圈、下集流板、下垫片和下端板；上端板、上垫片、上集流板之间形成有出水腔室，下集流板、下垫片和下端板之间形成有进水腔室；下端板上设置有进水口，所述上端板上设置有出水口。本发明专利技术改变传统电容去离子系统进水方向，使水流垂直穿过阴阳集流板，多孔阴极集流板连接外接电源负极，作为阳极的活性炭涂层多孔集流板与正极相连以在电容去离子组件中形成电场，辅助阴极材料捕获目标带电体，强化系统离子去除效果，提高电极材料的有效利用率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置


[0001]本专利技术属于废水处理
，具体涉及一种利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置。

技术介绍

[0002]重金属污染是当前全球环境问题之一。钴作为一种重要的过渡金属材料，广泛应用于三元电池、硬质合金、玻璃、颜料、电镀等行业，大量的含钴废水随之产生。未经处理的钴废水直接排放不仅造成工业资源的浪费，而且环境中超标的重金属离子会在生物体中积累，引起多种疾病。因此，对含钴离子废水的有效处理变得十分重要。
[0003]传统钴离子废水处理方法包括化学沉淀法、离子交换树脂法、吸附法、生物法。流程复杂，且需要加入多种反应药剂，效率低且成本高。因此，开发一种高效率、低成本的钴离子废水处理工艺具有重要意义。

技术实现思路

[0004]基于上述技术问题，本专利技术提供了一种利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，解决现有的钴离子废水处理技术存在去除效率低、迁移扩散速度慢、电极材料易脱落的问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，其特征在于，包括依次叠层设置的上端板(1)、上垫片(2)、上集流板(3)、上绝缘垫圈(4)、PTFE隔膜(5)、下绝缘垫圈(6)、下集流板(7)、下垫片(9)和下端板(10)；所述上端板(1)、上垫片(2)、上集流板(3)之间形成有出水腔室，所述下集流板(7)、下垫片(9)和下端板(10)之间形成有进水腔室；所述下端板(10)上设置有进水口，所述上端板(1)上设置有出水口；所述上集流板(3)和下集流板(7)均为多孔钛板；所述上集流板(3)位于PTFE隔膜(5)的一侧涂覆有正电极材料涂层，所述正电极材料为导电活性炭；所述下集流板(7)位于PTFE隔膜(5)的一侧涂覆有负电极材料涂层，所述负电极材料为ZIF
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67包覆棒状MnO2粉末形成的复合材料；所述上集流板(3)和下集流板(7)分别与电源(11)的正、负极连接。2.利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，其特征在于，包括权利要求1所述的装置以及电源(11)、电导率仪(12)、用于放待处理溶液的储水容器(13)、蠕动泵(14)；所述上端板(1)的出水口与所述储水容器(13)连接，所述下端板(10)的进水口与蠕动泵(14)连接，蠕动泵(14)与储水容器(13)连接。3.如权利要求1或2所述的利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，其特征在于，所述下集流板(7)和下端板(10)之间设置有超滤膜(8)。4.如权利要求1或2所述的利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，其特征在于，所述钛板上的孔洞直径为200～500um；钛板厚度为0.4～0.7mm。5.如权利要求1或2所述的利用包覆式复合材料去除钴离子的流通式电容去离子装置，其特征在于，所述正电极材料涂层制备方法为：步骤1，将PVDF粉末在60～70℃下活化36～48h后，分散于DMF中，70～80℃加热搅拌30～60min，获得胶体溶液；步骤2，将步骤1的胶体溶液与活性炭、乙炔黑、PVDF混合搅拌,获得均匀的活性炭混合浆料；所述活性炭、乙炔黑、PVDF的质量比为8：1：1；步骤3，将步骤2得到的混合浆料刷涂在集流板上，在40～60℃下干燥4～8h，再在去离子水中浸泡12～15...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，
申请(专利权)人：西安金藏膜环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：