一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用制造技术

技术编号:38002638 阅读:19 留言:0更新日期:2023-06-30 10:16
本发明专利技术涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用,属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β

【技术实现步骤摘要】
一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用


[0001]本专利技术属于半导体异质结
,涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用。

技术介绍

[0002]随着社会经济的不断发展,大量化石燃料被开发利用,由此带来的环境污染问题日益严重。为了避免环境污染引发的自然灾害,人们开始致力于寻找合适的清洁能源。
[0003]电能、风能、潮汐能和太阳能是目前已知的可适用于人类生活生产的清洁能源。其中,以太阳能最为丰富和清洁。太阳能大多并不是直接被利用的,而是常被转化为生物能、热能、电能来供自然界的生物和人类进行生命活动。近年来,将太阳能转化为化学能成为了科研工作者研究的热点。太阳能转化为化学能的过程就是利用太阳能,在光催化材料的辅助下,推动化学反应发生的过程。在这个过程中,光催化材料吸收太阳能,在内部产生具有氧化还原能力的电子和空穴对,这些电子和空穴对反应体系中的物质进行还原或者氧化,生成对应的产物或产生相应的效果,从而完成光催化反应,实现太阳能到化学能的转换。如今,光催化反应已被应用到多种场合。其中,利用光催化反应过程产生的电子和空穴可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高太阳能制氢率的异质结材料,其特征在于:所述异质结材料中HfS2二维半导体层堆垛在β

SnSe二维半导体层上,所述HfS2二维半导体层和β

SnSe二维半导体层之间为真空层;所述β

SnSe二维半导体层的构象为六元环船式;所述HfS2二维半导体层为1T相;所述异质结材料为四方体结构,具体如下所示:其中,上层中黑球表示Hf原子、白球表示S原子;下层中黑球表示Sn原子、白球表示Se原子;所述堆垛的方式为1型堆垛、2型堆垛、3型堆垛或4型堆垛中的任意一种;所述1型堆垛为将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:贺利军龙兴张朝鹏马康佘良谢治杨王振张文霞张丽
申请(专利权)人:重庆邮电大学
类型:发明
国别省市:

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