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本发明涉及一种具有高太阳能制氢率的异质结材料及其应用，属于半导体异质结技术领域。该异质结材料中1T相HfS2二维半导体层堆垛在具有六元环船式构象的β
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该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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