振荡器电路制造技术

本申请适用于晶体管振荡器技术领域，提供了振荡器电路，该振荡器电路包括：栅极偏置电路、漏极偏置电路和反馈电路；栅极偏置电路为反馈电路的有源器件提供低纹波栅极电压；漏极偏置电路为反馈电路的有源器件提供低纹波漏极电压；反馈电路包括：有源器件、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电感、第二电感、相位电感、第一二极管和负载，其中有源器件为共源结构氮化镓高电子迁移晶体管。本申请振荡器的实现了高频、大功率、高效率信号输出，还提高了振荡器的扫频范围。围。围。

【技术实现步骤摘要】
振荡器电路


[0001]本申请属于晶体管振荡器
，尤其涉及振荡器电路。

技术介绍

[0002]目前，常规的共射或共基结构振荡器，因采用并联反馈电路结构，一般实现了大功率、高效率的点频或非常窄带扫频电路。但是，无法满足射频能量宽带扫频，即无法实现物体均匀加热，仅应用于试验阶段，无法满足大规模工业化需求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了振荡器电路，以提高振荡器的扫频范围。
[0004]本申请是通过如下技术方案实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种振荡器电路，包括：栅极偏置电路、漏极偏置电路和反馈电路；
[0006]栅极偏置电路为反馈电路的有源器件提供低纹波栅极电压；
[0007]漏极偏置电路为反馈电路的有源器件提供低纹波漏极电压；
[0008]反馈电路包括：有源器件、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电感、第二电感、相位电感、第一二极管和负载，其中有源器件为共源结构氮化镓高电子迁移晶体管；
[0009]栅极偏置电路与有源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：栅极偏置电路、漏极偏置电路和反馈电路；所述栅极偏置电路为所述反馈电路的有源器件提供低纹波栅极电压；所述漏极偏置电路为所述反馈电路的有源器件提供低纹波漏极电压；所述反馈电路包括：有源器件、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一电感、第二电感、相位电感、第一二极管和负载，其中所述有源器件为共源结构氮化镓高电子迁移晶体管；所述栅极偏置电路与所述有源器件的栅极连接，所述漏极偏置电路与所述有源器件的漏极连接，所述有源器件的源极接地，所述有源器件的栅极还与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述有源器件的栅极还与所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端接地，所述第二电容的第二端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述有源器件的漏极连接，所述第二电容的第二端还与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端与所述第四电容的第一端连接，所述第四电容的第二端与所述第一二极管的阴极连接，所述第一二极管的阳极接地，所述第四电容的第二端还与所述相位电感的第一端连接，所述相位电感的第二端与调谐电压连接；所述第一电感的第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端接地，所述第一电感的第二端与所述第六电容的第一端连接，所述第六电容的第二端与所述负载的第一端连接，所述负载的第二端接地。2.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述栅极偏置电路包括：第七电容、第八电容、第一电阻、第三电感和栅极电源；所述栅极电源与所述第七电容的第一端连接，所述第七电容的第二端接地，所述栅极电源还与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第八电容的第一端连接，所述第八电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端还与所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端为所述栅极偏置电路的输出端与所述有源器件的栅极连接。3.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，所述漏极偏置电路包括：第九电容、第十电容、第四电感和漏极电源；所述漏极电源与所述第九电容的第一端连接，所述第九电容的第二端接地，所述漏极电源还与所述第十电容的第一端连接，所述第十电容的第二端接地，所述漏极电源还与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端为所述漏极偏置电路的输出端与所述有源器件的漏极连接。4.如权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述栅极电源的栅极电压VG为
‑
1.6V。5.如权利要求3所述的振荡器电路，其特征在于，所述漏极电源的漏极电压VD为12V。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓亮，许春良，蔡道民，刘志军，陈晓宇，顾占彪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：