【技术实现步骤摘要】
耦合微带型天线单元、确定方法及耦合天线光电导探测器
[0001]本专利技术涉及太赫兹
,特别是涉及一种耦合微带型天线单元、确定方法及耦合天线光电导探测器。
技术介绍
[0002]目前,在可见光波段和近红外波段中,研究人员常用表面等离子体激元(SurfacePlasmonPolaritons,SPPs)来增强光与物质的相互作用,增强光电探测器的性能。SPPs是金属与电介质界面处,自由电子随入射光同频率集体振荡产生的一种表面束缚电磁模式。它能将入射电磁波局域到亚波长尺度,实现近场增强。而在太赫兹(TeraHertz,THz)波段,金属类似于理想导体(Perfectelectricconductor,PEC),金属表面电子与THz波的耦合作用微弱,SPPs很难在金属表面实现THz波的局域。2004年,英国帝国理工大学的Pendry教授,提出了伪表面等离子体激元(SproofSPPs,SSPPs)的概念,成功地将SPPs应用到了THz波段。他提出通过在金属表面制作周期性的孔洞结构,可以等效降低金属的等离子体频率,从而在THz波 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种耦合微带型天线单元,其特征在于,包括:基底;工型天线,设置在所述基底的上表面;所述工型天线的中间臂的中心处设置有开口;两个具有相同结构参数的微带型天线,设置在所述基底的上表面;两个所述微带型天线分别对称放置在所述中间臂的两边;所述微带型天线包括多个凹槽结构,且每个所述凹槽结构的开口朝向所述中间臂;所述微带型天线的结构参数至少包括凹槽结构数目、凹槽周期、凹槽宽度和凹槽深度;经过所述微带型天线和所述工型天线间的共振耦合效应,将入射的THz波局域到所述工型天线的中心开口位置处,增强THz波局域电场强度。2.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天线单元,其特征在于,当所述凹槽周期、所述凹槽宽度和所述凹槽结构数目不变时,若所述凹槽深度减小时,则所述微带型天线中的一阶共振频率向高频移动。3.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天线单元,其特征在于,多个所述凹槽结构并排设置,且相邻两个所述凹槽结构共用同一侧壁。4.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天线单元,其特征在于,所述基底为GaAs基底。5.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天线单元,其特征在于,所述基底的厚度为20μm。6.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天线单元,其特征在于,所述凹槽周期为凹槽宽度与凹槽侧壁宽度的和。7.根据权利要求1所述的一种耦合微带型天...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊中刚,刘忠,刘泉澄,韩兴国,罗文军,李慧娴,罗素莲,
申请(专利权)人:桂林航天工业学院,
类型:发明
国别省市:
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