一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片技术

本发明专利技术提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED
，特别涉及一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片。

技术介绍

[0002]随着LED芯片技术的发展，已衍生出较为成熟的倒装技术。倒装LED芯片，主要通过MOCVD（Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀）技术在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。
[0003]其中，倒装LED芯片需要设置反射镜，使得外延层发射出的光线全部从衬底面发出，一般反射镜为布拉格反射镜或者Ag反射镜，由于金属的Ag反射镜可以反射任何角度的光线，且Ag金属具有极强的导电性，使得使用Ag反射镜的倒装LED芯片外量子效率高、可靠性强，但是Ag金属与底材GaN或SiO2材料之间的粘附力较差，导致无法单独使用Ag金属作为反射镜，而需要在Ag金属与底材之间设置粘附层Ni金属，但设置粘附层Ni金属后，由于粘附层Ni金属具有一定的厚度，会对出射光进行部分阻挡，从而影响发光效率。
[0004]一般的，在Ag金属与底材中间设置的Ni层厚度介于20
Å‑
50
Å
之间，反射镜的反射率介于80%
‑
85%之间，相对纯Ag金属94%
‑
96%反射率而言，反射率降低10%以上。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，旨在解决现有技术中，通过传统方式制备的Ni层厚度较厚，导致反射镜的反射率低的问题。
[0006]根据本专利技术实施例当中的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，所述方法包括：提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率；将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上；在所述控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率的步骤中：控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至所述第一预设功率，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s
‑
15s，功率增长1000W，所述第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s
‑
30s，所述第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s
‑
30s，所述第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s
‑
60s。
[0007]进一步的，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段和第五阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段和所述第五阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保
持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s
‑
15s，功率降低1500W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为控制第四阶段中的功率最小值保持20s
‑
30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s
‑
10s，功率降低300W
‑
500W，其中，所述第五阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s
‑
60s。
[0008]进一步的，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段、第五阶段以及第六阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段、所述第五阶段以及所述第六阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s
‑
15s，功率降低1000W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为以2000W的功率保持20s
‑
30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s
‑
15s，功率降低500W，所述第五阶段中的功率保持子阶段为以1500W的功率保持10s
‑
20s，所述第六阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s
‑
10s，功率降低300W
‑
500W，其中，所述第六阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s
‑
60s。
[0009]进一步的，所述第一预设功率为3000W，所述第二预设功率为1000W
‑
1200W。
[0010]进一步的，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：对所述Ni金属靶材的预设区域进行所述预融处理，其中，所述预设区域为所述Ni金属靶材的中心区域，所述中心区域的面积为0.6cm
²‑
1.4cm
²
。
[0011]进一步的，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：预融处理中的真空度为1E6torr
‑
1E7torr。
[0012]进一步的，在所述将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上的步骤中：蒸镀过程中镀锅转速为6s/圈
‑
7s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为900%
‑
999%，蒸镀时间为5s
‑
10s，蒸镀功率为所述第二预设功率。根据本专利技术实施例当中的一种倒装LED芯片，包括通过上述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的Ni金属。进一步的，所述Ni金属的厚度为5
Å‑
10
Å
。
[0013]与现有技术相比：本专利技术提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
附图说明
[0014]图1为本专利技术实施例一提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的实现流程图；图2为实施例二至实施例五以及现有技术中的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的倒装LED芯片在各波段下进行反射率测试的曲线图。
具体实施方式
[0015]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率；将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上；在所述控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率的步骤中：控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至所述第一预设功率，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s
‑
15s，功率增长1000W，所述第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s
‑
30s，所述第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s
‑
30s，所述第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s
‑
60s。2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段和第五阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段和所述第五阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s
‑
15s，功率降低1500W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为控制第四阶段中的功率最小值保持20s
‑
30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s
‑
10s，功率降低300W
‑
500W，其中，所述第五阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s
‑
60s。3.根据权利要求1所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段、第五阶段以及第六阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段、所述第五阶段以及所述第六阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，鲁洋，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：