一种双发光区及多发光区的单色LED制造技术

本申请公开了一种双发光区及多发光区的单色LED，该单色LED包括层叠设置的两组或两组以上的发光区，其中每个发光区包括有源层以及位于有源层两侧的p型半导体层和n型半导体层，其中相邻的两个发光区共用位于二者的有源层之间的p型半导体层或n型半导体层，两组或两组以上的发光区的有源层所产生的光线的波长相同。本申请通过层叠设置的两组或两组以上的发光区，且两组或两组以上的发光区的有源层所产生的光线的波长相同，能够增强提升单片单色LED的发光效率；同时，其中相邻的两个发光区共用位于二者的有源层之间的p型半导体层或n型半导体层，能够减少半导体层的数量，简化单色LED的结构，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种双发光区及多发光区的单色LED


[0001]本申请涉及半导体器件
，特别是涉及一种双发光区及多发光区的单色LED。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片为半导体晶片，是LED的核心组件，其主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，其中空穴占主导地位，另一部分是N型半导体，其中电子占主导地位。当两种半导体连接起来形成一个P
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N结，电流通过导线作用于这个晶片，电子就会被推向P区，电子跟空穴在P区里实现复合，以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。其中光的波长也就是光的颜色，是由形成P
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N结的材料决定的。
[0003]然而现有技术的单片LED芯片通常为单P
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N结构，其发光效率较低，为了实现大面积或强光照射的效果，通常需要使用多颗LED芯片，提高了生产成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种共用P极或共用N极的双发光区及多发光区的单色LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双发光区及多发光区的单色LED，其特征在于，所述单色LED包括层叠设置的两组或两组以上的发光区，其中每个所述发光区包括有源层以及位于所述有源层两侧的p型半导体层和n型半导体层，其中相邻的两个所述发光区共用位于二者的所述有源层之间的所述p型半导体层或所述n型半导体层，所述两组或两组以上的发光区的有源层所产生的光线的波长相同。2.根据权利要求1所述的单色LED，其特征在于，所述单色LED进一步包括反射层，所述反射层设置于所述单色LED的最外侧的所述发光区背离于其他发光区的一侧。3.根据权利要求2所述的单色LED，其特征在于，所述两组或两组以上的发光区顺序生长于衬底的同一侧主表面上，所述反射层设置于所述衬底背离所述两组或两组以上的发光区的另一侧主表面上。4.根据权利要求2所述的单色LED，其特征在于，所述单色LED进一步包括p型电极和n型电极，所述p型电极用于电连接所述p型半导体层，所述n型电极用于连接所述n型半导体层，所述单色LED设置有通孔结构或台阶结构，所述p型电极和所述n型电极中的至少部分电极设置于所述通孔结构内或者设置于所述台阶结构上。5.根据权利要求4所述的单色LED，其特征在于，所述p型电极的数量与所述p型半导体层的数量对应，并分别电连接对应的所述p型半导体层，并且/或者所述n型电极的数量与所述n型半导体层的数量对应，并分别电连接对应的所述n型半导体层。6.根据权利要求4所述的单色LED，其特征在于，所述两组或两组以上的发光区顺序生长于衬底的同一侧主表面上，所述单色LED进一步包括键合衬底，所述键合衬底设置成在所述衬底移除后与所述单色LED的最外侧的所述发光区背离于其他发光区的一侧键合，所述反射层进一步夹设于所述键合衬底与所述最外侧的所述发光区之间。7.根据权利要求1所述的单色LED，其特征在于，位于相邻的两个所述发光区的有源层之间的半导体层为n型半导体层，所述单色LED进一步包括ITO电流扩展层和生长准备层，所述两组或两组以上的发光区顺序生长于所述生长准备层，并在朝向所述生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫春辉，何婧婷，杜彦浩，杨安丽，钟增梁，孙伟，
申请(专利权)人：纳微朗科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：