一种薄膜材料样品的高通量制备装置制造方法及图纸

技术编号:37993891 阅读:18 留言:0更新日期:2023-06-30 10:08
本发明专利技术提供一种薄膜材料样品的高通量制备装置,包括:壳体、材料释放装置、基台、固定掩膜板和活动掩膜板;材料释放装置设置在壳体的内腔中,用以向内腔中释放沉积材料的气相原子,基台具有位于在内腔中的承接面;固定掩膜板固定连接在承接面上,在固定掩膜板上设置有轴线与承接面的沉积孔,活动掩膜板体贴合在固定掩膜板的背对基台的表面上,在活动掩膜板上设置有能够与沉积孔相对应的流通孔,内腔中的气相原子能够通过流通孔进入沉积孔中,并在沉积孔内沉积在沉积表面上。其不仅结构简单、制作成本低廉,而且实现了小型化设计的要求,同时还具有便于操作的优点。时还具有便于操作的优点。时还具有便于操作的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜材料样品的高通量制备装置


[0001]本专利技术涉及薄膜热电器件等微纳器件中的高精度热电材料图案化设计、制备等
,特别涉及一种薄膜材料样品的高通量制备装置。

技术介绍

[0002]在薄膜材料快速筛选方法中,基于多元分立掩模法的高通量制备方法能够获得微区成分跨度较大的高通量薄膜样品,大幅提升材料的发现和优化效率。目前报道的大部分基于多元分立掩模法的高通量制备系统在薄膜沉积过程中掩模板和样品台无法同步转动,因此需要在沉积过程结束后利用退火等后处理方法促使微区内的元素均匀扩散以获得均匀的样品微区,实验步骤复杂。而少数无需后处理的高通量制备系统往往引入了复杂的掩模切换和对准系统,需要定制大型专用气相沉积设备,设备体积大,成本高,操作复杂,限制了高通量筛选方法的应用。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种薄膜材料样品的高通量制备装置,其不仅结构简单、制作成本低廉,而且实现了小型化设计的要求,同时还具有便于操作。
[0004]为实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案是:
[0005]一种薄膜材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜材料样品的高通量制备装置,其特征在于:包括:壳体(1)、材料释放装置(2),基台(3)、固定掩膜板(4)和活动掩膜板(5);所述材料释放装置(2)设置在所述壳体(1)的内腔(6)中,用以向所述内腔(6)中释放沉积材料的气相原子,所述基台(3)具有位于在所述内腔(6)中的承接面;所述固定掩膜板(4)固定连接在所述承接面上,在所述固定掩膜板(4)上设置有轴线与所述承接面的沉积孔(7),所述活动掩膜板(5)体贴合在所述固定掩膜板(4)的背对所述基台(3)的表面上,在所述活动掩膜板(5)上设置有能够与所述沉积孔(7)相对应的流通孔(8),所述内腔(6)中的气相原子能够通过所述流通孔(8)进入所述沉积孔(7)中,并在所述沉积孔(7)内沉积在所述沉积表面上。2.根据权利要求1所述的薄膜材料样品的高通量制备装置,其特征在于:还包括驱动机构(9);所述流通孔(8)包括第一流通孔(10)、第二流通孔(11)、

第N流通孔,其中N为大于2的整数;所述驱动结构与所述活动掩膜板(5)传动连接,用以驱动所述活动掩膜板(5)在所述固定掩膜板(4)的表面上、从相对于所述固定掩膜板(4)的第一位置、第二位置、

第N位置中的任意两个位置之间转换;当所述活动掩膜板(5)位于第一位置时,所述第一流通孔(10)与所述沉积孔(7)相对应,当所述活动掩膜板(5)位于第二位置时,所述第二流通孔(11)与所述沉积孔(7)相对应,

当所述活动掩膜板(5)位于第N位置时,所述第N流通孔与所述沉积孔(7)相对应。3.根据权利要求2所述的薄膜材料样品的高通量制备装置,其特征在于:所述沉积孔(7)的数量为两个以上;所述第一流通孔(10)的数量为两个以上并少于所述沉积孔(7)的数量,当所述活动掩膜板(5)位于第一位置时,两个以上所述第一流通孔(10)分别与同样数量的所述沉积孔(7)一一对应;所述第二流通孔(11)的数量为两个以上并少于所述沉积孔(7)的数量,当所述活动掩膜板(5)位于第二位置时,两个以上所述第二流通孔(11)分别与同样数量的所述沉积孔(7)一一对应;

所述第N流通孔的数量为两个以上并少于所述沉积孔(7)的数量,当所述活动掩膜板(5)位于第N位置时,两个以上所述第N流通孔分别与同样数量的所述沉积孔(7)一一对应。4.根据权利要求2或3所述的薄膜材料样品的高通量制备装置,其特征在于:所述驱动机构(9)包括:动力设备(12)、驱动轮(13)和承托盘(14);所述动力设备(12)与所述驱动轮(13)传动连接,所述承托盘(14)与所述驱动轮(13)固定连接;所述承托盘(14)为圆环形,并且所述承托盘(14)在垂直于轴向方向的两个端面分别为面对所述固定掩膜板(4)的第一端面(15)和面对所述驱动轮(13)的第二端面(16),所述活动掩膜板(5)卡接在所述第一端面(15)上。5.根据权利要求4所述的薄膜材料样品的高通量制备装置,其特征在于:所述活动掩膜板(5)为圆形,并且边沿具有卡接凸起(17),在所述第一端面(15)上设置
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【专利技术属性】
技术研发人员:祝薇韩广宇邓元郭思铭
申请(专利权)人:北京航空航天大学
类型:发明
国别省市:

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