高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，该外延片包括：衬底、缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，有源层包括量子阱层和量子垒层组成的超晶格结构，量子阱层包括第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层和第四量子阱子层，第一量子阱子层为N型Al

【技术实现步骤摘要】
atoms/cm3~1E+19 atoms/cm3。
[0009]进一步的，上述高光效发光二极管外延片，其中，所述有源层包括周期性交替沉积的量子阱层和量子垒层，周期数1~20个。
[0010]本专利技术还公开了一种高光效发光二极管外延片的制备方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积缓冲层，在缓冲层上沉积非掺杂AlGaN层；在非掺杂AlGaN层上沉积N型AlGaN层；在N型AlGaN层上沉积有源层；在有源层上沉积电子阻挡层；在电子阻挡层上沉积P型AlGaN层；在P型AlGaN层上沉积P型接触层；其中，所述有源层包括量子阱层和量子垒层组成的超晶格结构，所述量子阱层包括依次沉积的第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层和第四量子阱子层，所述第一量子阱子层为N型Al
a
In
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N层，所述第二量子阱子层为Al
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In
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Ga1‑
m
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N层，所述第三量子阱子层为P型Al
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N层，所述第四量子阱子层为Al
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光效发光二极管外延片，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述有源层包括量子阱层和量子垒层组成的超晶格结构，所述量子阱层包括依次沉积的第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层和第四量子阱子层，所述第一量子阱子层为N型Al
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N层，所述第二量子阱子层为Al
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N层，所述第三量子阱子层为P型Al
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N层，所述第四量子阱子层为Al
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N层。2.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子阱子层中Al组分为0.01~0.9，In组分为0.01~0.1，且沿外延层沉积方向Al组分逐渐降低，In组分逐渐升高；所述第二量子阱子层中Al组分为0.01~0.2，In组分为0.01~0.1；所述第三量子阱子层中Al组分为0.01~0.9，In组分为0.01~0.1，且沿外延层沉积方向Al组分逐渐升高，In组分逐渐降低；所述第四量子阱子层中Al组分为0.01~1。3.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层的厚度为1 nm ~10 nm，所述第一量子阱子层/所述第二量子阱子层/所述第三量子阱子层/所述第四量子阱子层的厚度比为1:1:1:1~1:10:1:1。4.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子阱子层Si掺杂浓度为1E+16 atoms/cm3~1E+18 atoms/cm3，所述第三量子阱子层Mg掺杂浓度为1E+17 atoms/cm3~1E+19 atoms/cm3。5.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述有源层包括周期性交替沉积的量子阱层和量子垒层，周期数1~20个。6.一种如权利要求1至5任意一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：