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本发明提供了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，该外延片包括：衬底、缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，有源层包括量子阱层和量子垒层组成的超晶格结构，量子阱层包括第...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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