一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片技术

本发明专利技术实施例公开了一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该内凹结构的图形化衬底的制备方法包括：提供基底，在基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，其中，光刻胶胶柱掩膜远离基底的表面凹陷；根据光刻胶胶柱掩膜，对基底进行图形化，形成多个凸起微结构，其中，多个凸起微结构均位于基底一侧表面上，多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，形成凹陷区域。利用上述方法，能够制备出周期性的内凹结构的图形化衬底，其中的多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，在该内凹结构的图形化衬底中可以有效改善光线的传播路径，增加了光线的折射和反射次数，提高了LED芯片的光出射效率，提升了LED芯片的亮度。了LED芯片的亮度。了LED芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片。

技术介绍

[0002]由于外延层与蓝宝石衬底之间的反射系数的差别，导致外延层与蓝宝石衬底的复合结构出现光提取效率较低、大部分光不能出射以及大量的光子转换成热能的情况，进而导致组成器件的性能、寿命和可靠性降低。
[0003]目前，图形化蓝宝石衬底在改善外延材料质量和提高器件出光效率方面效果显著，但图形化蓝宝石衬底的图形普遍为金字塔形状的立体图案，依靠金字塔形状的锥形表面发生折射和反射，增加出光效率。若想要提升出光效率，就需要尽可能将这种金字塔形状的立体图案做的更密集，但是由于蓝宝石衬底较硬，刻蚀较困难，图案分布较密集时很难控制刻蚀深度和精度。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片，以在内凹结构中改善光线的传播路径，增加光线的折射和反射次数，提高LED芯片的光出射效率。
[0005]第一方面，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内凹结构的图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使所述光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，其中，所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面凹陷；根据所述光刻胶胶柱掩膜，对所述基底进行图形化，形成多个凸起微结构，其中，所述多个凸起微结构均位于所述基底一侧表面上，所述多个凸起微结构远离所述基底的表面凹陷，形成凹陷区域。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供基底，在所述基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使所述光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，包括：在所述基底上形成光刻胶层，并将掩膜版置于所述光刻胶层的上方，其中，所述掩膜版包括部分透光区和全透光区；通过图形转移技术在所述光刻胶层上的所述部分透光区对应的区域形成所述光刻胶胶柱掩膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述部分透光区的透光性由中心区域至边缘区域逐渐减小。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述中心区域和所述边缘区域的透光性范围为3％
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5％。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过图形转移技术在所述光刻胶层上的所述部分透光区对应的区域形成所述光刻胶胶柱掩膜之后，还包括：在真空中对所述光刻胶胶柱掩膜进行加热处理，以调节所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面的凹陷程度。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在真空中对所述光刻胶胶柱掩膜进行加热处理，以调节所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面的凹陷程度，包括：在真空中对所述光刻胶胶柱掩膜进行加热处理，以调节所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面在第一方向上的凹陷深度与所述光刻胶胶柱掩膜在第一方向上的高度的比例范围为1％
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10％，其中，所述第一方向与所述基底的表面垂直。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在真空中对所述光刻胶胶柱掩膜进行加热处理的压力范围为2.5mT
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【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏辉，康凯，张剑桥，王子荣，王农华，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：