一种应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，基于MEMS工艺一体加工成形，包括隔离结构外围框架及位于外围框架内的隔离结构内部框架。外围框架和内部框架之间通过等厚正六边形蜂窝状的阵列支撑悬臂梁连接，外围框架和内部框架上具有不同数量的凸台分别与陶瓷底座和芯片基底相连。本发明专利技术能有效减小芯片贴片与封装过程中产生的应力对MEMS力敏感传感器的影响，同时能大幅提升整体隔离结构的稳定性和刚度，抵抗环境振动与冲击，维持传感器芯片的鲁棒性。该结构具有尺寸小、成本低、易于批量生产、与IC制作工艺兼容性好等优点，可广泛应用于MEMS力敏感传感器集成封装，可广泛应用于MEMS力敏感传感器集成封装。装。装。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构


[0001]本专利技术属于力敏感器件
，特别是MEMS系统中微惯性传感器
，尤其涉及一种应用于MEMS力敏感器件的封装级应力隔离结构。

技术介绍

[0002]微电子机械系统(micro
‑
electro
‑
mechanicalsystem，MEMS)，是由机械、电子、光学及其他一些功能元件，集成在单片或多个芯片上，构成对声、光、热、磁、运动等自然信息进行感知、识别、控制和处理的微型智能系统。经过四十多年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一。
[0003]它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。其中，MEMS压力传感器、MEMS加速度计、MEMS陀螺仪等都是典型的力敏感传感器，它们多用作压力、位移(加速度)及姿态(角速度)的高精度测量，具有尺寸小、成本低、功耗小、可靠度高、易于批量生产、与IC制作工艺兼容性好等优点。这些器件都是由MEMS工艺制成，材料包括多晶硅、石英、SiC、SOI(Si本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，其特征在于，整体结构基于MEMS工艺刻蚀成形，包括隔离结构外围框架简称外框架，以及位于外框架内的隔离结构内部框架简称内框架，所述外框架和内框架之间通过正六边形蜂窝状的阵列支撑梁连接，外框架、内框架以及阵列支撑梁呈二维轴对称分布且两者的对称轴重合。2.根据权利要求1所述的应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，其特征在于，所述封装级应力隔离结构为微米级尺度，外框架、内框架和阵列支撑梁位于同一平面内。3.根据权利要求1所述的应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，其特征在于，所述外框架和内框架为具有二维轴对称特点的几何结构。4.根据权利要求3所述的应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，其特征在于，所述外框架为矩形框架结构，其内设有方孔，在该方孔内设置方形的内框架，内框架的四边与外框架的四边对应，且内框架四边与对应的外框架四边之间的间距由每一侧阵列支撑梁的数量决定。5.根据权利要求1所述的应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，其特征在于，所述外框架和内框架上有n个用于与MEMS力敏感传感器芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晶，古旻，苏岩，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：