【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件
[0001]本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
[0002]太阳能电池具有较好的光电转换能力，目前，在基底表面会制备隧穿层以及掺杂导电层，用于抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果。其中，隧穿层具有较好的化学钝化效果，掺杂导电层具有较好的场钝化效果。此外，为了对太阳能电池产生的光生载流子进行传输并收集，还会制备与掺杂导电层电接触的电极，用于对光生载流子进行收集。
[0003]光生载流子的数量与基底对入射光线的吸收利用率有关，基底对入射光线的吸收利用率高，则产生光生载流子的数量越多，从而能够提高太阳能电池的光电转换性能。
[0004]然而，太阳能电池的光电转换性能欠佳。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
[0006]本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，具有相对的第一表面以及第二表面，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，具有相对的第一表面以及第二表面，所述第一表面包括交替排布的第一部分以及第二部分，所述第一部分相对于所述第二部分朝所述第二表面方向凹陷；第一隧穿层，覆盖所述第一部分，所述第一隧穿层朝向所述第一部分的表面具有第一纹理结构，所述第一隧穿层远离所述第一部分的表面具有第二纹理结构，所述第二纹理结构的平整度大于所述第一纹理结构的平整度，所述第一纹理结构包括抛光面以及位于所述抛光面上的多个间隔的凸起结构，多个所述凸起结构在所述抛光面上的所占面积不大于所述抛光面的面积的1/2；第一掺杂导电层，覆盖所述第一隧穿层远离所述基底的表面；第一电极，与所述第一掺杂导电层电接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凸起结构包括第一金字塔结构或者第一平台凸起结构中的任一者。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述凸起结构在所述抛光面上的所占面积与所述抛光面的面积之比为1:11～1:2。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凸起结构为第一金字塔结构，所述第二纹理结构包括：第二平台凸起结构。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一部分的凹陷深度为1μm～5μm。6.根据权利要求1或5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极在第一方向上的宽度小于所述第一掺杂导电层在所述第一方向上的宽度，所述第一方向平行于所述第一部分，且垂直于所述第一电极的延伸方向。7.根据权利要求6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层在所述第一方向上的宽度与所述第一电极在所述第一方向上的宽度之比小于等于3。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括，第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂导电层以及所述第一表面的第二部分，所述第一电极穿透所述第一钝化层与所述第一掺杂导电层电接触。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一表面的第二部分具有第三纹理结构，所述第三纹理结构包括第二金字塔结构。10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型不同。11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的材料包括：非晶硅、多晶硅、碳化硅中的至少一者。12.根据权利要求8或10所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：发射极层，所述发射极层位于所述基底内，与所述第二部分正对，且所述基底露出所述发射层顶面，所述发射极层顶面与所述第一钝化层朝向所述基底的表面接触，所述发射极层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型不同。13.根据权利要求1或10所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：第二隧穿层，位于所述第二表面；第二掺杂导电层，位于所述第二隧穿层远离所述基底的表面。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同。15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层的材料包括：非晶硅、多晶硅、碳化硅中的至少一者。16.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张彼克，杨楠楠，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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