一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术具体涉及一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置，包括以下步骤：步骤1：控制模块从可控整流电路获取目标加热功率；判断目标加热功率是否大于预设功率；步骤2：如果所述目标加热功率小于所述预设功率，则在每个控制周期，控制所述可控整流电路依次进入导通Sinφ+b

【技术实现步骤摘要】
一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置


[0001]本专利技术涉及电磁加热装置
，更具体而言，涉及一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置。

技术介绍

[0002]目前电磁加热装置采用IGBT（绝缘栅双极型晶体管)构成的电磁谐振电路，通常采用并联谐振方式。
[0003]例如，公开一份申请号为： CN202010819637.9，本专利技术具体涉及一种电磁炉的控制方法及装置，包括以下步骤：控制单元通过IGBT反向检测模块检测IGBT反向电压的持续时间，并针对持续时间的长短来控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的导通时间，以到达保护绝缘栅双极型晶体管IGBT的目的；控制单元通过过零检测单元检测L线输入市电的过零点，对输入的市电的周期T分成n等分；控制单元通过浪涌检测单元检测输入市电受到干扰时的正向脉冲和负向脉冲。本专利技术的有益效果：本结构通过控制单元、IGBT反向检测模块、过零检测单元和浪涌检测单元组合使用，在电网干扰较小时，并且反向电压Uce比最大预设电压限值Umax高出许多时，可以更有效的保护IGBT。
[0004]实现电磁加热装置最大功率运行的谐振参数时，当IGBT在电磁低功率连续加热加段工作时，IGBT则会出现以下问题：（一）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管)的G极驱动电平相位超前C极端谐振电平相位形成超前开通，开通瞬间会导致IGBT瞬态开通峰值电流过高，使IGBT瞬时开通电流值超过规格限定值。
[0005]（二）、如果IGBT采用占空比方式断续加热实现低功率，由于谐振供电滤波电容的存在，IGBT在下一周期开通时会超前谐振电平相位形成硬开关造成IGBT损坏。
[0006]（三）、如果IGBT采用交流电电压过零点信号产生触发脉冲供IGBT瞬时开通对谐振供电滤波电容正电位端通过IGBT对GND端放电实现低功率连续加热，由于谐振供电滤波电容两端电平不能在最优电平点与所需谐振参数及振荡波形匹配，IGBT在下一周期开通时会超前谐振电平相位形成硬开关造成IGBT损坏和IGBT对谐振供电滤波电容正端对GND放电时形成的电磁涡流敲击被加热锅具造成的噪声。

技术实现思路

[0007]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种低功率加热的谐振电源调节方法和装置，实施安装方便及外观美观。
[0008]根据本专利技术的一种低功率加热的谐振电源调节方法，包括以下步骤：步骤1：控制模块从可控整流电路获取目标加热功率；判断目标加热功率是否大于预设功率；步骤2：如果所述目标加热功率小于所述预设功率，则在每个控制周期，控制所述可控整流电路依次进入导通Sinφ+b
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电工角，令可控整流电路处于全波整流滤波调压或半
波整流滤波调压，实施供电方式控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的功率谐振阶段，功率谐振阶段的第三电压的T+a时间宽度控制绝缘栅双极型晶体管IGBT开关状态，能够抑制绝缘栅双极型晶体管IGBT的脉冲电流，进而线圈盘L2实现毫秒极占空比的低功率连续加热。
[0009]具体进一步，所述步骤2中，全波整流调压阶段提供多个第一脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，并在所述半波整流调压阶段提供多个第二脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，所述第一脉冲信号的全波整流滤波输出幅值为第一调节电压，所述第二脉冲信号的半波整流滤波输出幅值为第二调节电压，且所述第一调节电压大于所述第二调节电压。
[0010]具体进一步，所述步骤2中，单向可控硅SCR的工作状态受控于控制模块发送的控制信号，控制信号以时间段T为一个控制周期，控制模块控制周期由导通时间段T1和截止时间段T2两部分构成，占空比K= T1/T，通过改变占空比K的值实现全波整流滤波输出和半波整流滤波输出。
[0011]具体进一步，所述步骤2中，单向可控硅SCR导通时间范围在10mS≤T≤10000mS。
[0012]具体进一步，所述第一脉冲信号和第二脉冲信号的脉冲宽度大于等于55us且小于等于200us。
[0013]具体进一步，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的谐振阶段预设的第三脉冲电压宽度阈值的取值范围为2.5us
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20.0us。
[0014]具体进一步，所述控制模块和可控整流电路之间通过第二驱动模块实施控制，所述第二驱动模块用于输出第三驱动电压控制绝缘栅双极型晶体管IGBT处于放大状态，或者饱和状态，或者关断状态。
[0015]具体进一步，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的谐振阶段中，流过所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的电流小于或等于预设电流值。
[0016]具体进一步，所述控制模块还用于在进入所述全波整流滤波阶段预设时间后或者在所述控制模块还用于在进入所述半波整流滤波阶段，以使所述全波整流滤波阶段、半波整流滤波阶段处于以所述电压过零点为中心构造的过零电压区间内，所述电压过零区间为
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500uS至500uS。
[0017]本专利技术公开一种应用上述的低功率加热的谐振电源调节方法的装置，包括线圈盘L2、控制模块、过零检测模块、电源模块及其它电路模块、绝缘栅双极型晶体管IGBT和第二驱动模块，过零检测模块、电源模块、其它电路模块、第二驱动模块分别连接于控制模块上，控制模块与绝缘栅双极型晶体管IGBT相连接，线圈盘L2与绝缘栅双极型晶体管IGBT相连接，控制模块连接有第一驱动模块，第一驱动模块连接有可控整流电路，可控整流电路包括有单向可控硅SCR与整流桥器、电感L1和电容C2，线圈盘L2和电感器L1相连接，电感器L1的另一端连接于单向可控硅SCR的E端，第一驱动模块连接于单向可控硅SCR的G端，整流桥器分二路，一路连接于控制模块的16脚处，另一路连接于单向可控硅SCR的A端和K端，电感L1连接于线圈盘L2的一端，电容C2的一端与电感L1相连接，电容C2的另一端连接于控制模块的17脚。
[0018]具体进一步，所述控制模块的16脚和17脚之间连接有金属膜电阻RJ1。
[0019]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过单向可控硅SCR与二极管组成的可调节整流电路，实现全波桥式整流和半波整流电平输出切换，该方法具有节能、提高电磁低功率加热谐
振转换效率及减少工作损耗、电磁低功率加热时无电磁涡流连续敲击被加热锅具噪声、适用各种锅具的加热最优功率调节，并在电磁炉整机待机状态下减小待机功耗等优点。
附图说明
[0020]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本专利技术的第一组检测波形状态示意图。
[0021]图2是根据本专利技术的第二组检测波形状态示意图。
[0022]图3是根据本专利技术的电路图。
具体实施方式
[0023]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：控制模块从可控整流电路获取目标加热功率；判断目标加热功率是否大于预设功率；步骤2：如果所述目标加热功率小于所述预设功率，则在每个控制周期，控制所述可控整流电路依次进入导通Sinφ+b
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电工角，令可控整流电路处于全波整流滤波调压或半波整流滤波调压，实施供电方式控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的功率谐振阶段，功率谐振阶段的第三电压的T+a时间宽度控制绝缘栅双极型晶体管IGBT开关状态，能够抑制绝缘栅双极型晶体管IGBT的脉冲电流，进而线圈盘L2实现毫秒极占空比的低功率连续加热。2.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述步骤2中，全波整流调压阶段提供多个第一脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，并在所述半波整流调压阶段提供多个第二脉冲信号至可控整流电路的单向可控硅SCR，所述第一脉冲信号的全波整流滤波输出幅值为第一调节电压，所述第二脉冲信号的半波整流滤波输出幅值为第二调节电压，且所述第一调节电压大于所述第二调节电压。3.根据权利要求2所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述步骤2中，单向可控硅SCR的工作状态受控于控制模块发送的控制信号，控制信号以时间段T为一个控制周期，控制模块控制周期由导通时间段T1和截止时间段T2两部分构成，占空比K= T1/T，通过改变占空比K的值实现全波整流滤波输出和半波整流滤波输出，所述步骤2中，单向可控硅SCR导通时间范围在10mS≤T≤10000mS。4.根据权利要求2所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述第一脉冲信号和第二脉冲信号的脉冲宽度大于等于55us且小于等于200us。5.根据权利要求1所述一种低功率加热的谐振电源调节方法，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的谐振阶段预设的第三脉冲电压宽度阈值的取值范围为2.5us
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈久忠，张天伟，李魏，
申请(专利权)人：中山市合硕高品电器有限公司，
类型：发明
国别省市：