一种MoS2-Pd氢敏材料及其制备方法技术

技术编号:37985336 阅读:19 留言:0更新日期:2023-06-30 10:00
本发明专利技术公开了一种MoS2‑

【技术实现步骤摘要】
一种MoS2‑
Pd氢敏材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于氢气传感器
,具体地,本专利技术涉及一种MoS2‑
Pd氢敏材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来,化石燃料不断枯竭,并且燃烧带来严重的环境污染问题。氢能具有分布广泛、清洁可再生、能量密度大和应用面广等优点,被认为是一种替代化石燃料的理想能源。然而,氢气是一种无色无味的可燃性气体,具有较低的着火能,遇到明火或电流,极易发生爆炸,同时在生产、储存和运输过程中容易发生泄漏,存在严重的安全隐患。因此,对氢气进行及时、精准、灵敏地检测具有十分重要的意义。
[0003]光纤光栅型氢气传感器具有体积小、寿命长、本质安全、抗电磁干扰、灵敏度高等优点,适合在易燃、易爆等环境中工作,目前已经成为氢检测技术的研究热点。贵金属钯(Pd)对氢气具有特异选择性和可逆吸附性,因此被广泛用于光纤光栅氢气传感器中的氢敏材料。然而,Pd在吸氢后形成Pd的氢化物存在α相和β相,α相和β相存在较大的晶格膨胀系数差异,会导致光纤光栅传感器常用的Pd膜氢敏材料在多次吸氢、释氢循环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoS2‑
Pd氢敏材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,在基体上生长MoS2薄膜,得到负载有MoS2薄膜的基体;S2,制备导电基底;S3,将所述基体上的MoS2薄膜转移至所述导电基底上,得到负载有MoS2薄膜的导电基底;S4,配制氯化钯盐酸溶液作为电镀液;S5,将所述负载有MoS2薄膜的导电基底浸入所述电镀液中,在恒电位下进行电化学沉积后,再浸入去离子水中去除残留电镀液,制得所述MoS2‑
Pd氢敏材料。2.根据权利要求1所述的MoS2‑
Pd氢敏材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,在基体上生长MoS2薄膜的方法是:以MoO3和硫粉为反应原料,通过化学气相沉积法在基体上生长MoS2薄膜,得到负载有MoS2薄膜的基体;和/或,所述MoO3与所述硫粉的摩尔比为1:2.5~1:3;和/或,所述化学气相沉积的温度为820~850℃,时间为10~15min;和/或,所述基体为云母、硅片或蓝宝石中的任一种。3.根据权利要求1所述的MoS2‑
Pd氢敏材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,制备导电基底的方法是:在SiO2/Si基底表面蒸镀金属膜,得到所述导电基底;和/或,所述金属膜的蒸镀面积占所述SiO2/Si基底的表面积的30%~50%;和/或,所述金属膜为Cr/Au金属膜或Ti/Au金属膜;和/或,所述Cr/Au金属膜中,Cr金属膜与Au金属膜的厚度比为1:10;且所述Cr金属膜的厚度为6~10nm;所述Au金属膜的厚度为60~100nm;和/或,所述Ti/Au金属膜中,Ti金属膜与Au金属膜的厚度比为1:10;且所述Ti金属膜的厚度为6~10nm;所述Au金属膜的厚度为60~100nm。4.根据权利要求1所述的MoS2‑
Pd氢敏材料的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,转移MoS2薄膜的方法是:以PMMA为媒介通过湿法刻蚀的方式将基体上的MoS2薄膜转移至所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员:平小凡刘明义曹曦曹传钊林伟杰宋太纪雷浩东孙周婷杨超然成前赵珈卉白盼星
申请(专利权)人:中国华能集团香港有限公司
类型:发明
国别省市:

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