一种纳米晶导磁片的处理工艺及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种纳米晶导磁片的处理工艺及其应用，该处理工艺，包括步骤如下：(1)绕卷；(2)退火处理；(3)上胶；(4)碎磁处理；(5)层压和模切，其磁导率高，涡流损耗极低，超薄，柔性佳，不仅能够解决NFC天线读卡距离较短的问题，还能够应用于无线充电领域，极其适用于手机、手表等空间结构较小的可穿戴电子设备中。手表等空间结构较小的可穿戴电子设备中。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶导磁片的处理工艺及其应用


[0001]本专利技术涉及磁性材料
，分类号为H01F1/153，具体的，涉及一种纳米晶导磁片的处理工艺及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着移动数码电子产品的发展，特别是手机产品中集成的功能越来越多，包括无线充电技术、近场通讯NFC技术等，越来越被人们接受并广泛使用。目前应用于近场通讯NFC技术的一般为磁性材料，而磁性材料包括铁氧体和纳米晶材料，但铁氧体的饱和磁感应强度极低，一般为0.3
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0.5T，限制了NFC技术应用的领域，所以，有人采用纳米晶导磁片来应用于近场NFC技术，但是在13.56MHz的高频条件下，纳米晶导磁片的磁导率较高，能够解决NFC天线读卡距离较短的问题，但在高频条件下，不可避免的会带来一些涡流损耗，进而会限制纳米晶导磁片在无线充电领域上的应用。
[0003]中国专利CN103632795A公开了一种NFC磁片用浆料及其制备方法和一种NFC磁片，主要是通过纳米氧化铝粉和磁粉得到的浆料，所制备的NFC磁片显著降低了其损耗，增强导磁效果，但其制备工艺较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶导磁片的处理工艺，其特征在于，包括步骤如下：(1)绕卷；(2)退火处理；(3)上胶；(4)碎磁处理；(5)层压和模切。2.根据权利要求1所述的一种纳米晶导磁片的处理工艺，其特征在于，所述步骤(1)中绕卷的原材料为纳米晶带材，所述纳米晶带材包括Fe、Si、B、Nb、Cu元素。3.根据权利要求2所述的一种纳米晶导磁片的处理工艺，其特征在于，所述纳米晶带材的厚度为14
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25μm。4.根据权利要求1所述的一种纳米晶导磁片的处理工艺，其特征在于，所述步骤(2)中的退火处理中包括一次升温和二次升温。5.根据权利要求4所述的一种纳米晶导磁导磁片的处理工艺，其特征在于，所述一次升温和二次升温的升温速率均为3
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8℃，所述一次升温的温度为350
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550℃，保温时间为30
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70min。6.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家洪，黄继亮，王帅，
申请(专利权)人：创烨新材料苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：