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本发明公开了一种纳米晶导磁片的处理工艺及其应用，该处理工艺，包括步骤如下：(1)绕卷；(2)退火处理；(3)上胶；(4)碎磁处理；(5)层压和模切，其磁导率高，涡流损耗极低，超薄，柔性佳，不仅能够解决NFC天线读卡距离较短的问题，还能够应用...该专利属于创烨新材料（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过创烨新材料（苏州）有限公司授权不得商用。
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