【技术实现步骤摘要】
一种压电微位移器叠堆及其制备方法
[0001]本专利技术涉及压电微位移器
,具体地说,涉及一种压电微位移器叠堆及其制备方法。
技术介绍
[0002]多层压电陶瓷微位移器是由数量为N、厚度为t、相邻陶瓷片极化方向相反的压电陶瓷片叠堆而成。其中,每片压电陶瓷与相邻压电陶瓷片以机械串联、电学上并联的方式,即电极采用叉指电极的方式进行连接。该叠堆器件谐振频率高、推力大且体积小、响应速度快,功耗低,可用作变形镜、快反镜的驱动器件,以对光轴指向和光束质量进行闭环校正,在自适应光学系统中有广泛的应用。
[0003]烧结好的陶瓷片,用于制作压电陶瓷微位移器叠堆。工艺主要包括:陶瓷印电极、超声清洗、测阻抗、压电常数测试、刷胶叠片、固化、切割、开槽、涂胶、溅射电极、上铜片引线焊接、封装、老化,外观及电性能检测。制作工艺复杂决定了压电叠堆可靠性的影响因素也较为复杂,如陶瓷片厚度的均匀性,陶瓷片电性能参数(d
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、c等)是否一致,陶瓷与表面金属层的结合强度,陶瓷片与陶瓷片间的结合力,叠堆整体的抗拉强度、平整度,叠堆
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压电微位移器叠堆,其特征在于,包括第一陶瓷片、第二陶瓷片和第一金属薄片,所述第一金属薄片的两面分别与所述第一陶瓷片的下表面、第二陶瓷片的上表面相连,所述第一金属薄片设于所述第一陶瓷片的下表面、第二陶瓷片的上表面之间。2.根据权利要求1所述的压电微位移器叠堆,其特征在于:所述第一金属薄片的面积等于或小于所述第一陶瓷片的下表面和第二陶瓷片的上表面。3.根据权利要求1所述的压电微位移器叠堆,其特征在于:所述第一陶瓷片的下表面和/或第二陶瓷片的上表面上还设有电极。4.根据权利要求3所述的压电微位移器叠堆,其特征在于:所述电极为铜电极或银电极。5.根据权利要求1所述的压电微位移器叠堆,其特征在于:所述第一金属薄片的两面分别通过粘结剂与所述第一陶瓷片的下表面、第二陶瓷片的上表面粘结。6.根据权利要求1所述的压电微位移器叠堆,其特征在于:所述第一金属薄片的材...
【专利技术属性】
技术研发人员:时雪,满振勇,赵坤宇,郑嘹赢,
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所,
类型:发明
国别省市:
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