13族元素氮化物结晶层的培养方法、氮化物半导体铸锭以及溅射靶技术

通过使13族元素氮化物结晶层以高培养速度生长，得到厚度较大的结晶层。在至少包含晶种层的基底基板上来培养13族元素氮化物结晶层。将基底基板浸渍于包含助熔剂的熔液中，通过助熔剂法，在晶种层的氮极性面上二维地培养13族元素氮化物结晶层。13族元素氮化物结晶层。13族元素氮化物结晶层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】13族元素氮化物结晶层的培养方法、氮化物半导体铸锭以及溅射靶


[0001]本专利技术涉及13族元素氮化物结晶层的培养方法、氮化物半导体铸锭以及溅射靶。

技术介绍

[0002]氮化物半导体具有直接跃迁型的宽带隙，且具有高绝缘击穿电场、高饱和电子速度，因此，作为LED、LD等发光器件、高频/高功率的电子器件用半导体材料而备受关注。
[0003]已知有：通过所谓的助熔剂法，使氮化镓结晶在坩埚内壁面上沿着
‑
c轴方向生长(专利文献1：日本特开2005
‑
206415)。该方法中，为了促进氮化镓结晶在坩埚内壁面上的N面生长，在熔液中添加了Mn、Fe、Cr、Co、Ni等元素，不过，在实施例中，仅得到长度1.5mm左右的柱状结晶的生长。
[0004]另一方面，提出了使氮化镓结晶厚膜生长来制作铸锭。
[0005]例如，专利文献2(日本特开2010
‑
280562)中公开了如下方法，即，通过助熔剂法和气相法的组合，使氮化镓结晶生长得较厚，并加工成表面粗糙度Ra为5nm以下且翘曲的曲率半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种13族元素氮化物结晶层的培养方法，其中，在包含由13族元素氮化物形成的晶种层的基底基板上培养13族元素氮化物结晶层，所述培养方法的特征在于，将所述基底基板浸渍于包含助熔剂的熔液中，通过助熔剂法，在所述晶种层的氮极性面上二维地培养13族元素氮化物结晶层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述13族元素氮化物结晶层生长至厚度5mm以上。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，包括：在基体上形成所述晶种层的工序、将所述晶种层的13族元素极性面接合于支撑基板的工序、以及使所述基体自所述晶种层剥离而得到所述基底基板的工序。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的方法，其特征在于，通过将所述13族元素氮化物结晶层自所述基底基板分离开而得到由所述13族元素氮化物结晶层形成的氮化物半导体铸锭。5.一种氮化物半导体铸锭，其特征在于，所述氮化物半导体铸锭是通过权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓冈义孝，野中健太朗，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：