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13族元素氮化物结晶层的培养方法、氮化物半导体铸锭以及溅射靶技术
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文档序号:37983670
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通过使13族元素氮化物结晶层以高培养速度生长,得到厚度较大的结晶层。在至少包含晶种层的基底基板上来培养13族元素氮化物结晶层。将基底基板浸渍于包含助熔剂的熔液中,通过助熔剂法,在晶种层的氮极性面上二维地培养13族元素氮化物结晶层。13族元素...
该专利属于日本碍子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本碍子株式会社授权不得商用。
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