【技术实现步骤摘要】
一种基于金属量子阱的类神经元光学开关
[0001]本专利技术属于微纳光电子
,具体涉及一种基于金属量子阱的类神经元光学开关。
技术介绍
[0002]随着微纳片上集成技术的迅速发展和硅光子学的深入研究,光子互联有潜力成为突破电子限制的发展方案之一。而光调制器就是短距离光互联器件的一个重要研究方向。其中,全光调制器采用光控制光的方案,在提高调制速度和克服电子设备的固有限制方面显示出了巨大的潜力。
[0003]在全光调制器的各种应用中,光学非线性神经元是光信息处理研究的前沿之一。全光学非线性神经元的功能是模拟生物突触的工作模式,实现具有高调制比和调制速度的全光输入输出函数。对光学神经元的研究可以从根本上克服传统计算机在类脑处理方面的局限性,也将为光学领域的神经网络计算创造更多可能性,极大地促进高效光学芯片的发展。
[0004]然而,与现有的电子神经网络相比,当前光学神经网络的实际性能仍不能令人满意。更具体地说,较强的相互作用需要相对较大的设备尺寸,并且由于缺乏有效的非线性操作和低速响应限制了光学神经元的性能, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于金属量子阱的类神经元光学开关,其特征在于,包括衬底,以及位于衬底上的双环谐振器和金属量子阱,其中;所述双环谐振器包括第一直波导、第一环形波导、第二直波导和第二环形波导,第一直波导包括第一输入端,第二直波导包括第二输入端和输出端,第一直波导与第一环形波导发生耦合,第一环形波导与第二环形波导发生耦合;所述金属量子阱位于第二环形波导与第二直波导之间;入射光从第一输入端进入第一直波导,经过耦合进入第一环形波导和第二环形波导,泵浦光从第二输入端进入第二直波导照射金属量子阱,通过改变泵浦光的光强度调控金属量子阱的折射率,进而调制从输出端输出的光的光强度。2.根据权利要求1所述的基于金属量子阱的类神经元光学开关,其特征在于,所述泵浦光的光强度为0
‑
123GW/cm2,所述入射光的透射率为0.008
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0.64。3.根据权利要求2所述的基于金属量子阱的类神经元光学开关,其特征在于,所述泵浦光的光强度为0
‑
123GW/cm2,所述光学开关的调制深度为3
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18.78dB。4.根据权利要求1所述的基于金属量子阱的类神经元光学开关,其特征在于,所述金属量子阱的长度为600
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2000nm,所述泵浦光的波长为600
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2000nm。5.根据权利要求1所述的基于金属量子阱的类神经元光学开关,其特征在于,所述金属量子阱的中心宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱浩亮,牛莙濡,
申请(专利权)人:浙江大学杭州国际科创中心,
类型:发明
国别省市:
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