用于产生宽带辐射的方法以及相关联的宽带源和量测装置制造方法及图纸

披露了一种产生宽带输出辐射的方法和相关联的宽带辐射源。所述方法包括：产生输入辐射的脉冲，所述脉冲具有在50fs至400fs的范围内的持续时间且具有小于60fs的上升时间；和利用用输入辐射的所述脉冲来激励中空芯部光纤内的工作介质。内的工作介质。内的工作介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于产生宽带辐射的方法以及相关联的宽带源和量测装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月03日递交的欧洲申请20189212.2和于2020年9月28日递交的欧洲申请20198713.8的优先权，并且这些欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种光源和一种用于操作所述光源的方法，所述光源特别是用于光刻设备或量测工具的宽带光源。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以被形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种通过激励中空芯部光子晶体光纤内的工作介质来产生宽带输出辐射的方法，所述方法包括：产生包括脉冲的输入辐射，所述脉冲具有在50fs至400fs的范围内的持续时间且具有小于60fs的上升时间；和利用所述输入辐射激励所述工作介质。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上升时间小于40fs。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上升时间小于20fs。4.根据权利要求1所述的方法，其中，每个脉冲的下降边缘近似于高斯函数或对数正态函数的下降边缘。5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过产生利用平方函数信号截断的洛伦兹光谱来获得所述脉冲。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述脉冲中的每个脉冲包括平顶脉冲。7.根据权利要求1所述的方法，其中，每个脉冲的所述持续时间在50fs至150fs的范围内。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述脉冲的重复率在6MHz与15MHz之间。9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述脉冲的重复率在8MHz与12M...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪永锋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：