一种射频毫米波分布式数字步进衰减器及衰减方法技术

本发明专利技术公开了一种射频毫米波分布式数字步进衰减器及衰减方法，涉及信号处理领域，包括相连的传输线TL1和传输线TL2；传输线TL1的一端连接有第一衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输入端；传输线TL1和传输线TL2之间并联有第二衰减单元；传输线TL2的另一端连接有第三衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输出端；每个衰减单元均包括串联的三级MOS管电路。本发明专利技术减小了所需传输线的数量，减小了面积和插入损耗，减小了幅度误差并且提升抗PVT特性，减小了衰减管在状态切换造成的幅度误差，减小了衰减器因承受功率过大而导致功率提前压缩的风险，从而提高了线性度。高了线性度。高了线性度。

【技术实现步骤摘要】
一种射频毫米波分布式数字步进衰减器及衰减方法


[0001]本专利技术涉及信号处理领域，具体涉及一种射频毫米波分布式数字步进衰减器及衰减方法。

技术介绍

[0002]由于移动应用的推动，导致数据流量和连接设备的不断增大。第五代移动通信技术与上一代相比，有着显著不同的系统性能指标，包括每秒千兆位级别的数据速率、极高的流量密度、毫秒级别的低迟、超密集连接。从电磁波资源的角度来看，6GHz以下可用的频谱资源已经非常有限，毫米波频段内有大量未使用的频谱资源。毫米波频带为30GHz
‑
300GHz，其短波长特性导致传播能力弱，即路径损耗大，绕射和透射能力差，这实际上会降低无线系统的SINR。相控阵技术通过波束赋形，使波束集中到期望方向，从而提高工作距离，成为当前工业界和学术界公认的解决毫米波频段通信问题最佳解决方案。
[0003]图1所示为典型的相控阵收发组件系统，从图1中可以看出，在发射通道和接收通道中，衰减器都起着至关重要的作用。如果相控阵系统没有幅度控制模块，即每路通道的归一化增益相同，那么第一副瓣增益只会比主瓣增益低13.3dB。在空间中存在很强的干扰信号的情况下，如此高的副瓣增益不利于空间干扰抑制，使得接收信号信噪比下降，误码率升高。在雷达应用中，常使用相控阵的空域滤波功能对目标回波的角度进行估计，高副瓣增益可能使得回波角度估计产生多个求解值，造成回波角度估计错误。因此，在需要高旁瓣抑制比的应用中，需要幅度控制电路对各个通道的归一化增益按照窗函数进行加权，以提高旁瓣抑制比。同时，系统应用也会对幅度控制电路的片上面积、插入损耗、线性度提出较高要求。
[0004]传统分布式衰减器如图2所示，在两条传输线TL之间并联一个衰减单元。当衰减器不工作时，MOS管栅极的控制电压V
cn
为低电平，MOS管等效为小电容，信号可近似认为不衰减；当衰减器工作时，MOS管栅极的控制电压V
cn
为高电平，MOS管等效为小电阻，为信号提供一条并联到地的低阻通路，实现衰减功能。因为衰减器工作时，并联到地的低阻通路会降低节点阻抗，恶化端口匹配，并且衰减量越大，端口匹配越差，四分之一波长传输线具有以倒数形式变换阻抗的功能，将较低的阻抗转换为较大的阻抗，因此使用传输线TL来优化端口匹配。但是该传统分布式衰减器存在如下问题：1、传统分布式衰减器尺寸较大。假设衰减单元数量为n，则需要的传输线数量为n
‑
1，即使是毫米波频段，四分之一波长传输线仍然需要数百甚至上千微米金属走线来实现，这会导致衰减器占用很大的片上面积。
[0005]2、传统分布式衰减器插入损耗较大。n
‑
1条传输线的欧姆电阻、寄生效应、趋附效应等损耗会造成很大的插入损耗。此外，在参考态，信号链路上并联的n个MOS管等效为n个寄生电容，这会进一步恶化插入损耗。
[0006]3、传统分布式衰减器幅度误差高、抗PVT特性差。在状态切换时，衰减器的端口阻抗会不可避免地发生变化，导致衰减量不准确，并且MOS管的实际工作参数通常会受到工艺
角、工作电压和温度波动的影响，抗PVT特性差，导致衰减器产生幅度误差。
[0007]4、传统分布式衰减器线性度低。在输入大功率信号时，过大的信号电压摆幅会改变MOS管的工作状态，降低衰减器的线性度。

技术实现思路

[0008]针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种射频毫米波分布式数字步进衰减器及衰减方法解决了现有分布式衰减器尺寸较大、插入损耗较大、幅度误差高、抗PVT特性差、线性度低的问题。
[0009]为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：提供一种射频毫米波分布式数字步进衰减器，其包括相连的传输线TL1和传输线TL2；传输线TL1的一端连接有第一衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输入端；传输线TL1和传输线TL2之间并联有第二衰减单元；传输线TL2的另一端连接有第三衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输出端；每个衰减单元均包括串联的三级MOS管电路，第n个衰减单元的第一级MOS管电路包括MOS管；第n个衰减单元的第二级MOS管电路包括MOS管、MOS管和MOS管；第一衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和MOS管；第二衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和MOS管；第三衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和和MOS管；n=1,2,3；在同一个衰减单元的同一级MOS管电路中，所有MOS管的漏极共同作为该级MOS管电路的输入端，所有MOS管的源极共同作为该级MOS管电路的输出端；最后一级MOS管的源极共同接地；所有MOS管的栅极分别连接外部控制器。
[0010]进一步地，所有MOS管的栅极和衬底端均串联有一个20千欧姆的电阻。
[0011]进一步地，MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管和MOS管的衰减量依次为1dB、1dB、1dB、3dB、2dB、3dB、2 dB、1dB和1dB；即第一衰减单元的可衰减量为1dB、2 dB和3 dB；第二衰减单元的可衰减量为2 dB、3 dB、5 dB、6 dB和8 dB；第三衰减单元的可衰减量为1 dB、2 dB、3 dB和4dB。
[0012]提供一种基于射频毫米波分布式数字步进衰减器的衰减方法，其包括以下步骤：S1、初始化所有MOS管的栅极为低电平；S2、获取目标衰减量A，根据各衰减单元的最大可衰减量向各衰减单元分配衰减量，使分配衰减量总和为目标衰减量A；S3、将分配衰减量不为0的衰减单元中第一级MOS管电路中的MOS管的栅极、第二级MOS管电路中的MOS管的栅极和第二级MOS管电路中的MOS管的栅极调整为高电平；S4、根据第三级MOS管电路中的MOS管的额定衰减量，通过控制分配衰减量不为0的衰减单元中第三级MOS管电路中的MOS管的导通状态，使相应衰减单元的预期衰减量与分配
的衰减量在设定偏差范围内；S5、获取实际衰减量并将其与目标衰减量A相比较，若实际衰减量大于目标衰减量A，进入步骤S6；若实际衰减量等于目标衰减量A，完成衰减；若实际衰减量小于目标衰减量A，进入步骤S7；S6、根据实际衰减量与目标衰减量A的差值和MOS管的额定衰减量，将部分栅极为高电平的MOS管的栅极调整为低电平，返回步骤S5；S7、根据实际衰减量与目标衰减量A的差值和MOS管的额定衰减量，将分配衰减量不为0的衰减单元中栅极为低电平的MOS管的栅极调整为高电平，返回步骤S5。
[0013]进一步地，步骤S2中根据各衰减单元的可衰减量向各衰减单元分配衰减量的具体方法为：使各衰减单元的分配衰减量总和为目标衰减量A，使各衰减单元的分配衰减量小于等于该衰减单元的最大可衰减量。
[0014]进一步地，步骤S4的具体方法为：获取衰减单元被分配的衰减量B，根据第三级MOS管电路中的MOS管的额定衰减量，获取额定衰减量总和为B
±
b的第三级MOS管电路中的MOS管，并将获取的第三级M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频毫米波分布式数字步进衰减器，其特征在于，包括相连的传输线TL1和传输线TL2；传输线TL1的一端连接有第一衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输入端；传输线TL1和传输线TL2之间并联有第二衰减单元；传输线TL2的另一端连接有第三衰减单元，并作为射频毫米波分布式数字步进衰减器的输出端；每个衰减单元均包括串联的三级MOS管电路，第n个衰减单元的第一级MOS管电路包括MOS管；第n个衰减单元的第二级MOS管电路包括MOS管、MOS管和MOS管；第一衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和MOS管；第二衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和MOS管；第三衰减单元的第三级MOS管包括MOS管、MOS管和和MOS管；n=1,2,3；在同一个衰减单元的同一级MOS管电路中，所有MOS管的漏极共同作为该级MOS管电路的输入端，所有MOS管的源极共同作为该级MOS管电路的输出端；最后一级MOS管的源极共同接地；所有MOS管的栅极分别连接外部控制器。2.根据权利要求1所述的射频毫米波分布式数字步进衰减器，其特征在于，所有MOS管的栅极和衬底端均串联有一个20千欧姆的电阻。3.根据权利要求1所述的射频毫米波分布式数字步进衰减器，其特征在于，MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管、MOS管和MOS管的衰减量依次为1dB、1dB、1dB、3dB、2dB、3dB、2 dB、1dB和1dB；即第一衰减单元的可衰减量为1dB、2 dB和3 dB；第二衰减单元的可衰减量为2 dB、3 dB、5 dB、6 dB和8 dB；第三衰减单元的可衰减量为1 dB、2 dB、3 dB和4dB。4.一种基于权利要求1~3任一所述的射频毫米波分布式数字步进衰减器的衰减方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、初始化所有MOS管的栅极为低电平；S2、获取目标衰减量A，根据各衰减单元的最大可衰减量向各衰减单元分配衰减量，使分配衰减量总和为目标衰减量A；S3、将分配衰减量不为0的衰减单元中第一级MOS管电路中的MOS管的栅极、第二级MOS管电路中的MOS管的栅极和第二级MOS管电路中的MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：段小波，康凯，赵晨曦，
申请(专利权)人：成都通量科技有限公司，
类型：发明
国别省市：