发光元件制造技术

发光元件从下方朝向上方依次具备分别由氮化物半导体构成的第一n侧半导体层、第一活性层、第一p侧半导体层、与所述第一p侧半导体层相接的第二n侧半导体层、第二活性层以及第二p侧半导体层。所述第二n侧半导体层从下方朝向上方依次包含：第一层，其包含镓；第二层，其包含铝以及镓；以及第三层，其包含镓，具有比所述第一层的n型杂质浓度以及所述第二层的n型杂质浓度低的n型杂质浓度。所述第一层的厚度以及所述第二层的厚度分别比所述第三层的厚度的50％小。度的50％小。度的50％小。

【技术实现步骤摘要】
发光元件


[0001]本专利技术涉及发光元件。

技术介绍

[0002]日本特开2004－128502号公报公开了一种发光元件，其例如具备：包含第一n型层、第一活性层以及第一p型层的第一发光部；配置于第一发光部上的隧道结层；以及第二发光部，配置于隧道结层上，包含第二n型层、第二活性层以及第二p型层。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一实施方式的目的在于提供发光效率较高的发光元件。
[0004]本专利技术的一实施方式的发光元件从下方朝向上方依次具备分别由氮化物半导体构成的第一n侧半导体层、第一活性层、第一p侧半导体层、与所述第一p侧半导体层相接的第二n侧半导体层、第二活性层以及第二p侧半导体层。所述第二n侧半导体层从下方朝向上方依次包含：第一层，其包含镓；第二层，其包含铝以及镓；以及第三层，其包含镓，具有比所述第一层的n型杂质浓度以及所述第二层的n型杂质浓度低的n型杂质浓度。所述第一层的厚度以及所述第二层的厚度分别比所述第三层的厚度的50％小。
[0005]根据本专利技术的一实施方式，能够提供发光效率较高的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，从下方朝向上方依次具备分别由氮化物半导体构成的第一n侧半导体层、第一活性层、第一p侧半导体层、与所述第一p侧半导体层相接的第二n侧半导体层、第二活性层以及第二p侧半导体层，所述第二n侧半导体层从下方朝向上方依次包含：第一层，其包含镓；第二层，其包含铝以及镓；以及第三层，其包含镓，具有比所述第一层的n型杂质浓度以及所述第二层的n型杂质浓度低的n型杂质浓度，所述第一层的厚度以及所述第二层的厚度分别比所述第三层的厚度的50％小。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第二层的厚度比所述第一层的厚度小。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第二层的厚度为所述第一层以及所述第二层的总厚度的40％以下。4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第二层的n型杂质浓度为所述第一层的n型杂质浓度以下。5.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：福森孝典，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：